$1{\mu}m$ BCD 650V 공정을 이용한 300W 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동IC의 설계
(Design of the High Voltage Gate Driver IC for 300W Half-Bridge Converter Using $1{\mu}m$ BCD 650V process)
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- 대한전자공학회:학술대회논문집
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- 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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- pp.463-464
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- 2008