• 센서학회지
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• 제10권1호
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• pp.80-85
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• 2001

$Hg_{1-x}Cd_xTe$(MCT)박막을 $CdSO_4$, $TeO_2$, 및 $HgCl_2$이 혼합된 수용액을 사용하여 음극 전착법으로 ITO 유리와 티타늄기판 위에 성장하였다. 주된 박막의 성장 조건 변수로 전착전위와 성장 온도를 고려하였다. 전착된 MCT 박막은 SEM사진과 XRD 및 EPMA측정을 통하여 박막의 성장 조건이 결정 구조와 성분 조성비에 미치는 영향을 분석 연구하였다. XRD 분석으로부터 전착된 MCT 박막은 cubic zinc blonde 구조임을 알 수 있었고, EPMA에 의한 성분조성비의 분석결과로부터 전착전위를 변화시키므로서 MCT의 성분 조성비를 조절할 수 있음을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.451-451
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• 2011

적외선 소자의 재료로 쓰이는 액상 에피 성장법(Liquid phase epitaxy: LPE)으로 성장된 HgCdTe (MCT)박막의 Hg 분위기 열처리에 따른 구조적 변화를 고 분해능 투과 전자 현미경으로 관찰하였다. 일반적으로 LPE방법으로 성장된 MCT박막은 성장 방법의 특성상 Te 과다 영역의 성장용액이 사용되므로 상온 냉각 과정에서 박막 내 국부적인 Te 석출물을 형성 시킬 가능성이 높다. 또한, 성장 과정시 높은 Hg 증기압으로 인해 Hg-vacancy가 존재하므로 품질을 저하시키는 요인이 된다. 따라서, 본 실험에서는 Hg-vacancy와 국부적인 Te 석출물의 제거를 위해 Hg 분위기 열처리 공정을 실시하여 박막의 결정성 변화 및 국부적인 조성 변화를 관찰하였다. 실험결과, 열처리에 따른 Hg의 박막 내 공급으로 인한 이차상의 형성 등이 관찰 되었으며 부피 팽창으로 인해 격자의 변형이 관찰 되었다. 이는 투과 전자 현미경의 고 분해능 이미지 와 Gaussian mask filtering 기법으로 보여진 격자 줄무늬상 (lattice fringe)으로 확인 하였다. 또한, 열처리에 따른 국부적인 조성 편기의 해소는 high angle annular dark field scanning TEM(HAADF-STEM)을 이용하여 관찰 하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.116-119
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• 2003

[ $Hg_{1-x}Cd_xTe$ ] (MCT) was grown by hot wall epitaxy method. Prior to the MCT growth, the CdTe (111) buffer layer was grown on the GaAs substrate at the temperature of 590 C for 15 min. When the thickness of the CdTe buffer layer was 5 m or thicker, the full width at half maximum values obtained from the x-ray rocking curves were found to significantly decrease. After a good quality CdTe buffer layer was grown, the MCT epilayers were grown on the CdTe (111) /GaAs substrate at various temperature in situ. The crystal quality for those epilayers was investigated by means of the x-ray rocking curves and the photocurrent experiment. The photoconductor characterization for the epilayers was also measured. The energy band gap of MCT was determined from the photocurrent measurement and the x composition rates from the temperature dependence of the energy band gap were turned out.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권4호
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• pp.388-394
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• 1994

단결정 Hg(1-x)Cd(x)Te (MCT,X=0,21)가 특수 제작된 고압로에서 Traveling Heater Method(THM)으로 성장되었다.X-선 회절 실험으로 MCT는 입방ZnS 구조임을 확인하였다. 측정된 격자상수는 $6.464 {\AA}$이엇으며, J.C.Wooley가 측정한 값과 비교하여 얻은 MCT의 성분비는 0.21이었다.MCT의 결정 구조를 분석하기 위하여 X-선 회절 강도로 부터 전자 밀도를 계산하였다.전자 분포 밀도도로 부터 MCT는 주로 공유 결합을 하고 있으며, 인접 원자들 상에는 사면체 구조를 이루고 있음을 알 수 있다. 격자 상수가 Vegard line으로 부터 편이 되는 원인은 성분비x가 증가될 때 원자간 거리 변화의 비선형적 증가로 판단되며, 이것은 결합 에너지와 관련될 것으로 추축된다.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권9호
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• pp.56-64
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• 1992

Because of a small bandgap energy, a high doping density, and a low operating temperature, the dark current in HgCdTe photodiode is almost composed of a tunneling current. The tunneling current is devided into an indirect tunneling current via traps and a band-to-band direct tunneling current. The indirect tunneling current dominates the dark current for a relatively high temperature and a low reverse bias and forward bias. For a low temperature and a high reverse bias the direct tunneling current dominates. In this paper, to verify the tunneling currents in HgCdTe photodiode, the new tunneling-recombination equation via trap is introduced and tunneling-recombination current is calculated. The new tunneling-recombination equation via trap have the same form as SRH (Shockley-Read-Hall) generation-recombination equation and the tunneling effect is included in recombination times in this equation. Chakrabory and Biswas's equation being introduced, band to band direct tunneling current are calculated. By using these equations, HgCdTe (mole fraction, 0.29 and 0.222) photodiodes are analyzed. Then the temperature dependence of the tunneling-recombination current via trap and band to band direct tunneling current are shown and it can be known what is dominant current according to the applied bias at athe special temperature.

• 전자통신동향분석
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• 제3권4호
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• pp.45-56
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• 1988

적외선검출기용 반도체소자($Hg_1_xCd_xTe$)의 특성 및 응용에 대하여 조사하고, 국외의 연구현황과 국내의 문제점 및 향후 전망에 대하여 기술하였다. $Hg_1_xCd_xTe$는 조성에 따라 검지기 파장영역을 조절할 수 있으며, 그 자체에 검지부와 신호처리부를 집적할 수 있는 monolithic기술이 유망하여 앞으로 중요한 반도체중의 하나로 확립될 것이다.

• 한국진공학회지
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• 제6권S1호
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• pp.34-42
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• 1997

Hg-Te-CdTe superlattices have received much interests over the last several years as a potential material for its applications for detecting devices and optoelectronics. We have grown the HgTe-CdTe superlattice using MBE. in our lab. We have carried out DCRC spectroscopy after growth of HgTe-CdTe superlattice with varying the superlattice periods and controlling the barrier thickness and we have that the presence of the main peak and the satellite peaks. We obtained 20 arcsec of FWHM over 100 periods of superlattice. We also note that high peak intensity shows the high quality of the sample and each layer of superlattice has abrupt interfaces. The angular separation between the main peak(m=0) and the first satellite peak(m=$\pm$1) is increased when the barrier layer thickness in superlatice layers are decreased. The separation between the first setellite peak(m=$\pm$1) and the second satellite peak(m$\pm$2) is increased similarly. The number of the satellite peak is a qualitative measure of the interfacial abruptness of the superlattice.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권7호
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• pp.45-55
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• 1997

Electircal characteristics of HgCdTe photodiodes with a heterostructure to achieve high performance are analyzed numerically. A two-dimensional device simulator which can handle a HgCdTe heterostructure, was developed for this work. The effects of band nonparabolicity, carrier degeneracy, and band-offset of heterointerace are included in a carrier transport model. A unified generation-recombination model includes simultaneously phonon-assisted tunneling and pure tunneling of carriers via traps is newly employed for describing the electric field and temperature dependency of dark current effectively. Furthermore, to accurately predict the effect mole fraction variations on genration rates, ray-trace algorithm is incorporated in the our simulator. Under the various circumstances such as dark, illumination, and surface states, electrical properties of planar heterostructure photodiode are presented and those of homojunction are compared. These results serve as a explanation of cap layer's role on performance.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1993년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.90-90
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• 1993

• 한국진공학회지
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• 제2권4호
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• pp.410-415
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• 1993

The direct growth OMVPE system, designed specificallyfor direct growth of Hg1-xCdxTe using annular rectant inlet inverted verticla (ARIIV) reactor, was constructed. This paper presents the detailed technical approach on a newly designed ARIIV reactor that increases Hg incorporation, imposes uniformity, and avoids the needs for temperature processing to create alloys by inter diffusion approach.