Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.33
no.2
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pp.155-160
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2020
Ga2O3/n-type 4H-SiC heterojunction diodes were fabricated by RF magnetron sputtering. The optical properties of Ga2O3 and electrical properties of diodes were investigated. I-V characteristics were compared with simulation data from the Atlas software. The band gap of Ga2O3 was changed from 5.01 eV to 4.88 eV through oxygen annealing. The doping concentration of Ga2O3 was extracted from C-V characteristics. The annealed oxygen exhibited twice higher doping concentration. The annealed diodes showed improved turn-on voltage (0.99 V) and lower leakage current (3 pA). Furthermore, the oxygen-annealed diodes exhibited a temperature cross-point when temperature increased, and its ideality factor was lower than that of as-grown diodes.
P/N(CuO/ZnO) Heterojunction gas sensors were made by 2-step sintering methods and its gas sensing property was measured by varying the injected gases and the operating temperatures. As the applied voltage was increased in air ambients, the current-voltage characteristics shown the ohmic properties. However, when the CO gas ambients, 500 ppm at $200^{\circ}C$, the current-voltage characteristics behaves like a rectifying diode s after 3 mins later and its conduction mechanism is discussed qualitatively for the first times.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1996.11a
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pp.353-356
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1996
Ultra-high-speed analog and digital ICs (integrated circuits) fur 10Gbit/sec optical communication systems have been designed, fabricated and analyzed in this research. These circuits, which are laser diode (LD) driver, pre-amplifier, automatic gain controlled (AGC) amplifier, limiting amplifier and decision circuit, have been implemented with AIGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs). The optimized AIGaAs/GaAs HBTs for the 10Gbps circuits in this work showed the cutoff and maximum oscillation frequencies of 65㎓ and 53㎓, respectively. It is demonstrated in this paper that the 10Gbps optical communication system can be realized with the ICs designed and fabricated using AlGaAs/GaAs HBTs.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.261.1-261.1
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2013
Well-aligned nanowire arrays can be used as building blocks for nanoscale device. Recently, we reported that well-aligned single-crystal organic nanowires has been created by using a direct printing method which is named liquid-bridge mediated nanotransfer molding (LB-nTM). Moreover, multi-layering nanostructures can be fabricated by repeating this printing process. As a result, it is possible to make simple and basic concept of heterojunction devices such as crossed nanowire devices. We fabricated crossed single-crystal organic nanowires nanojunction devices from 6,13-bis (triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS-PEN) and fullerene (C60) single-crystal nanowires using by direct printing method in solution process. Crossed TIPSPEN/ C60 single-crystal nanowires diode has rectifying behavior with on/off ratios of ~13. In addition, the device shows photodiode characteristics as well as rectification. Our study represent methodology of heterojunction devices using single-crystal nanowires, thereby provide a new direction of future nanoelectronics.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2007.04a
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pp.143-144
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2007
저온 성장이 가능한 MOCVD를 이용하여 단결정 p-Si 기판위에 n-ZnO를 산소분압을 달리하여 성장하였다. 산소유량에 따른 이종접합 다이오드의 전기적 특성을 평가하기위하여 n-ZnO의 전기전도도, 이동도, 캐리어 농도를 측정하였으며, 소자에 저항성 접촉(ohmic contact) 전극을 형성하여 전류-전압 특성을 파악하였다.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.20
no.1
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pp.15-21
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1983
In this paper, the theoretical analysis of lateral guiding mechanism in stripe geometry Double Heterojunction Laser Diode is performed. In the analysis, the spatial variations of gain form refractive index profile are modeled by the mathematical form of injected current density and the beam width variations dependence of active layer, stripe width & cavity length have been analyzed by perturbed mode equation.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.15
no.1
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pp.35-40
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2015
In this study, an n-ZnO/p-Si heterojunction diode with embedded Ag nanoparticles was fabricated to investigate the possible improvement of light trapping via the surface plasmon resonance effect for solar cell applications. The Ag nanoparticles were fabricated by the physical sputtering method. The acquired current-voltage curves and optical absorption spectra demonstrated that the application of Ag nanoparticles in the n-ZnO/p-Si interface increased the photo current, particularly in specific wavelength regions. The results indicate that the enhancement of the photo current was caused by the surface plasmon resonance effect generated by the Ag nanoparticles. In addition, minority carrier lifetime measurements showed that the recombination losses caused by the Ag nanoparticles were negligible. These results suggest that the embedding of Ag nanoparticles is a powerful method to improve the performance of n-ZnO/p-Si heterojunction solar cells.
Chung, Seung Hwan;Lee, Hyung Jin;Lee, Hee Jae;Byun, Dong Wook;Koo, Sang Mo
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.21
no.4
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pp.138-143
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2022
We analyzed the influence of post-annealing on Ga2O3/n-type 4H-SiC heterojunction diode. Gallium oxide (Ga2O3) thin films were deposited by radio frequency (RF) sputtering. Post-deposition annealing at 950℃ in an Oxygen atmosphere was performed. The material properties of Ga2O3 and the electrical properties of the diodes were investigated. Atomic Force Microscopy (AFM), X-Ray Diffraction and Scanning Electron Microscope (SEM) images show a significant increase in the roughness and crystallinity of the O2-annealed films. After Oxygen annealing X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) shows that the atomic ratio of oxygen increases which is related to a decrease in oxygen vacancy within the Ga2O3 film. The O2-annealed diodes exhibited higher on-current and lower leakage current. Moreover, the ideality factor, barrier height, and thermal activation energy were derived from the current-voltage curve by increasing the temperature from 298 - 434K.
Kim, Young-Gi;Kim, Chang-Woo;Kim, Seong-Il;Min, Byoung-Gue;Lee, Jong-Min;Lee, Kyung-Ho
ETRI Journal
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v.27
no.1
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pp.75-80
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2005
This paper addresses a fully-integrated low phase noise X-band oscillator fabricated using a carbon-doped InGaP heterojunction bipolar transistor (HBT) GaAs process with a cutoff frequency of 53.2 GHz and maximum oscillation frequency of 70 GHz. The oscillator circuit consists of a negative resistance generating circuit with a base inductor, a resonating emitter circuit with a microstrip line, and a buffering resistive collector circuit with a tuning diode. The oscillator exhibits 4.33 dBm output power and achieves -127.8 dBc/Hz phase noise at 100 kHz away from a 10.39 GHz oscillating frequency, which benchmarks the lowest reported phase noise achieved for a monolithic X-band oscillator. The oscillator draws a 36 mA current from a 6.19 V supply with 47.1 MHz of frequency tuning range using a 4 V change. It occupies a $0.8mm{\times}0.8mm$ die area.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.191.2-191.2
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2013
The negative photoconductivity was frequently observed in some semiconductors. It was known that the origin of the negative photoresponse from ZnO is molecular chemisorption or the charging effect of nanoparticles in bulk matrix. However, the origin of the negative photoresponse of thin film was not still clear. One of possible explanation is due to the deep level trap scheme, which describes the origin of the negative photoresponse via defect state under illumination of light. However, the defect states below Fermi level have high capture rate by Coulomb effect, so that these states are usually filled by electrons if the defect states have donor-like character. Therefore the condition which the defect states located in below Fermi level should be partially filled by electrons make more difficult to understand of mechanism of the negative photoresponse. In this study, n-ZnO/p-Si heterojunction diodes were fabricated by UHV RF magnetron sputter. Then, some diodes show the negative photoresponse under ultra-violet light illumination. The defect state of the ZnO was analyzed by photoluminescence and deep level transient spectroscopy. To interpret the negative photoconductivity, band diagram was simulated by using SCAPS program.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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