• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권2호
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• pp.85-90
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• 2012

In this paper, we compared and analyzed 3D silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) multi layer flash memory devices fabricated on nitride or oxide layer, respectively. The device fabricated on nitride layer has inferior electrical properties than that fabricated on oxide layer. However, the device on nitride layer has faster program / erase speed (P/E speed) than that on the oxide layer, although having inferior electrical performance. Afterwards, to find out the reason why the device on nitride has faster P/E speed, 1/f noise analysis of both devices is investigated. From gate bias dependance, both devices follow the mobility fluctuation model which results from the lattice scattering and defects in the channel layer. In addition, the device on nitride with better memory characteristics has higher normalized drain current noise power spectral density ($S_{ID}/I^2_D$>), which means that it has more traps and defects in the channel layer. The apparent hooge's noise parameter (${\alpha}_{app}$) to represent the grain boundary trap density and the height of grain boundary potential barrier is considered. The device on nitride has higher ${\alpha}_{app}$ values, which can be explained due to more grain boundary traps. Therefore, the reason why the devices on nitride and oxide have a different P/E speed can be explained due to the trapping/de-trapping of free carriers into more grain boundary trap sites in channel layer.

• 한국재료학회지
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• 제9권7호
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• pp.753-759
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• 1999

0.5~4.0mol% 범위의 W $O_3$가 첨가된 ZNR의 미세구조 및 전기적 특성이 조사되어졌다. W $O_3$의 대부분은 입제 교차점으로 편석하여 W 과다상을 형성하였으며, 입계 교차점에는 W 과다상(W $O_3$), Bi 과다상(B $i_2$ $O_3$), 스피넬상(Z $n_{2.33}$S $b_{0.67}$ $O_4$) 등 3상이 공존하였다. W $O_3$첨가량이 증가함에 따라 평균 결정입 크기는 15.5~29.9$\mu\textrm{m}$ 범위로 감소하였으며, W $O_3$는 결정입 성장의 촉진제로 작용하였다. W $O_3$ 첨가량이 증가함에 따라 바리스터 전압과 비직선 지수는 각각 186.82~35.87V/mm, 20.90~3.34 범위로 감소하였고, 누설전류는 22.39 ~ 83.01 $\mu\textrm{A}$ 범위로 증가하였다. W $O_3$ 첨가량이 증가함에 따라 장벽높이와 계면상태밀도는 각각 1.93~0.43eV, (4.38~1.22)$\times$$10^{12}$ $\textrm{cm}^2$ 범위로 감소하였으며, 도너 농도는 (1.06~0.38)$\times$$10^{18}$ /㎤ 범위로 감소함에 따라 W $O_3$는 억셉터 첨가제로 작용하였다.다.다.

• 한국전문물리치료학회지
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• 제5권4호
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• pp.1-8
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• 1998

본 연구의 목적은 장애물 높이에 따른 상지 팔운동 제한이 스텝안정화(stabilization step)에 영향을 주는지 알아보기 위하여 실시하였다. 연구대상자는 대학생 남자 14명, 여자 16명으로 총 30명이였으며, 평균 연령은 21.5세이었다. 스텝 안정화는 FASTEX(functional activity System for testing and exercise, Cybex Division of Lumex, Inc., USA)를 이용하여 측정하였다. 장애물의 조건은 1) 장애물이 없는 조건 2) 15 cm 장애물 3) 25 cm 장애물이었고, 팔 운동의 제한 조건은 1) 팔운동을 제한하지 않은 조건 2) 우세 팔의 운동 제한 3) 양쪽 팔을 모두 제한하는 3개의 조건에서 스텝 안정화 시간을 측정하였다. 장애물 요인과 팔운동 제한 요인간에 안정화 시간(stabilization time)의 차이가 있는지 알아보기 위하여 반복이 있는 2요인 분산분석을 실시하였고, 남녀간에 안정화 시간에 차이가 있는지 알아보기 위하여 t-검정을 실시하였다. 장애물이 없는 조건에서 양팔의 운동을 제한하지 않고 측정한 안정화 시간의 평균은 0.89초이었고, 건측의 상지운동을 제한한 상태에서의 평균은 0.88초이었으며, 양쪽 팔의 운동을 모두 제한했을 때의 평균은 0.84초이었다. 15 cm의 장애물이 있는 조건에서 양팔의 운동을 제한하지 않고 측정한 안정화 시간은 평균 0.98초이었고, 건측의 상지운동을 제한한 상태에서의 펑균은 1.00초이었으며, 양쪽 팔의 운동을 모두 제한했을 때의 평균은 1.14초이었다. 25 cm의 장애물이 있는 조건에서 양팔의 운동을 제한하지 않고 측정한 안정화 시간은 평균 1.09초이었고, 건측의 상지운동을 제한한 상태에서의 평균은 1.28초이었으며, 양쪽 팔의 운동을 모두 제한했을 때의 평균은 1.57초이었다. 남녀간의 스텝 안정화 시간에 차이가 있는지 알아본 결과 각각의 조건에서 통계학적으로 유의한 차이가 없었다. 장애물과 팔운동 제한 조건에 따른 스텝 안정화 시간의 차이가 있는지 알아보기 위하여 반복이 있는 2요인 분산분석을 실시한 결과, 장애물의 높이에 따라 스텝 안정화 시간에는 유의한 차이가 있었고(p<0.05), 15 cm, 25 cm 장애물 조건에서는 팔운동 제한 조건에 따른 스텝 안정화 시간에도 유의한 차이가 있었지만(p<0.05), 장애물이 없는 조건에서는 팔운동 제한에 따른 안정화 시간에는 유의한 차이가 없었다. 이상의 결과는 보행중 장애물을 넘고, 한발로 기립하여 안정성을 유지할 때 팔의 운동이 스텝 안정성에 영향을 미친다는 것을 알았고, 이러한 결과는 한팔 또는 두 팔을 사용할 수 없는 편마비환자나 상지 절단환자의 균형 평가나 치료시 고려되어져야 할 것이다.