• 한국재료학회지
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• 제22권2호
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• pp.61-65
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• 2012

A $Li_2O-2SiO_2$ ($LS_2$) glass was investigated as a lithium-ion conducting oxide glass, which is applicable to a fast ionic conductor even at low temperature due to its high mechanical strength and chemical stability. The $Li_2O-2SiO_2$ glass is likely to be broken into small pieces when quenched; thus, it is difficult to fabricate a specifically sized sample. The production of properly sized glass samples is necessary for device applications. In this study, we applied spark plasma sintering (SPS) to fabricate $LS_2$ glass samples which have a particular size as well as high transparency. The sintered samples, $15mm\phi{\times}2mmT$ in size, ($LS_2$-s) were produced by SPS between $480^{\circ}C$ and $500^{\circ}C$ at 45MPa for 3~5mim, after which the thermal and dielectric properties of the $LS_2$-s samples were compared with those of quenched glass ($LS_2$-q) samples. Thermal behavior, crystalline structure, and electrical conductivity of both samples were analyzed by differential scanning calorimetry (DSC), X-ray diffraction (XRD) and an impedance/gain-phase analyzer, respectively. The results showed that the $LS_2$-s had an amorphous structure, like the $LS_2$-q sample, and that both samples took on the lithium disilicate structure after the heat treatment at $800^{\circ}C$. We observed similar dielectric peaks in both of the samples between room temperature and $700^{\circ}C$. The DC activation energies of the $LS_2$-q and $LS_2$-s samples were $0.48{\pm}0.05eV$ and $0.66{\pm}0.04eV$, while the AC activation energies were $0.48{\pm}0.05eV$ and $0.68{\pm}0.04eV$, respectively.

• 대한기계학회논문집B
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• 제36권4호
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• pp.457-463
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• 2012

최근 사용자의 편의성과 냉장고 저장 공간의 확보를 위해 냉장고 문과 내벽을 얇게 제작하고 있다. 따라서 냉기차단 벽두께의 감소로 인하여 내 외부 온도차가 일정수준 이상으로 발생하고 이에 따라 표면의 이슬 맺힘 현상이 문제가 되는데, 이는 냉장고 설계에 있어 해결되어야 할 중요한 문제이다. 문제를 해결하기 위해 지금은 일반적으로 전기히터와 같은 발열체를 사용하였는데, 이 경우에 불필요한 전력소모가 뒤따른다. 본 연구에서는 기존방식과 달리 전기를 사용하지 않고 기계적 구조변경을 통한 해결방안으로 가스켓 최적화와 냉동냉장실 내벽두께 조정을 통해 표면에 이슬 맺힘 현상을 저감하는 방법을 제안한다. 해석결과를 살펴보면, 히터의 사용 없이 이슬 맺힘이 발생하는 부분에서의 온도가 국부적으로 $0.39{\sim}3.07^{\circ}C$까지 상승하는 효과를 얻어서 이슬 맺힘 현상을 저감시켰다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권12호
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• pp.974-978
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• 2012

The effect of Cu coating on the sensing properties of nano $SnO_2:Cu$ based sensors for the $CH_4$, $CH_3CH_2CH_3$ gas was studied. This work was focussed on investigating the change of sensitivity of nano $SnO_2:Cu$ based sensors for $CH_4$, $CH_3CH_2CH_3$ gas by Cu coating. Nano sized $SnO_2$ powders were prepared by solution reduction method using stannous chloride($SnCl_2{\cdot}2H_2O$), hydrazine($N_2H_2$) and NaOH and subsequent heat treatment. XRD patterns showed that nano $SnO_2$ powders with rutile structure were grown with (110), (101), (211) dominant peak. The particle size of nano $SnO_2:Cu$ powders at 8 wt% Cu was about 50 nm. $SnO_2$ particles were found to contain many pores, according to SEM analysis. The sensitivity of nano $SnO_2:Cu$ based sensors was measured for 5 ppm $CH_4$ gas and $CH_3CH_2CH_3$ gas at room temperature by comparing the resistance in air with that in target gases. The sensitivity for both $CH_4$ and $CH_3CH_2CH_3$ gases was improved by Cu coating on the nano $SnO_2$ surface. The response time and recovery time of the $SnO_2:Cu$ gas sensors for the $CH_4$ and $CH_3CH_2CH_3$ gases were 18~20 seconds, and 13~15 seconds, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.5-5
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• 2009

Thin-film-transistors (TFTs) that can be prepared at low temperatures have attracted much attention because of the great potential for transparent and flexible electronics. One of the mainstreams in this field is the use of organic semiconductors such as pentacene. But device performance of the organic TFTs is still limited due to low field-effect mobility and rapid degradation after exposing to air. Alternative approach is the use of amorphous oxide semiconductors as a channel. Amorphous oxide semiconductors (AOSs) based TFTs showed the fast technological development, because AOS films can be fabricated at room temperature and exhibit the possibility in application like flexible display, electronic paper, and larges solar cells. Among the various AOSs, a-IGZO has lots of advantages because it has high channel mobility, uniform surface roughness and good transparency. [1] The high mobility is attributed to the overlap of spherical s-orbital of the heavy post-transition metal cations. This study demonstrated the effect of the variation in channel thickness from 30nm to 200nm on the TFT device performance. When the thickness was increased, turn-on voltage and subthreshold swing was decreased. The a-IGZO channels and source/drain metals were deposited with shadow mask. The a-IGZO channel layer was deposited on $SiO_2$/p-Si substrates by RF magnetron sputtering, where RF power is 150W. And working pressure is 3m Torr, at $O_2/Ar$ (2/28 sccm) atmosphere. The electrodes were formed with electron-beam evaporated Ti (30 nm) and Au (70 nm) bilayer. Finally, Al (150nm) as a gate metal was thermal-evaporated. TFT devices were heat-treated in a furnace at 250 $^{\circ}C$ and nitrogen atmosphere for 1hour. The electrical properties of the TFTs were measured using a probe-station. The TFT with channel thickness of 150nm exhibits a good subthreshold swing (SS) of 0.72 V/decade and on-off ratio of $1{\times}10^8$. The field effect mobility and threshold voltage were evaluated as 7.2 and 8 V, respectively.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제16권8호
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• pp.419-426
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• 2016

본 연구는 PET-MRI를 다루는 방사선 작업 종사자들의 효과적인 피폭관리와 경과시간(24시간, 1주, 2주, 3주, 4주) 및 자기장에 따른 개인피폭선량계의 변화를 분석하고자 하였다. 그룹화된 TLD에 열처리 수행 및 방사선을 조사하여 각기 다른 노출 환경에 보관한 후 실험이 종료되면 판독을 수행하여 글로우 곡선 및 피폭 방사선량의 변화 추이를 관찰하였다. 그 결과, 24시간 경과한 TLD 그룹에서 글로우 곡선 및 방사선량의 차이가 있는 것으로 확인되었다. 이는 자기장 노출로 인한 변화인 것으로 해석할 수 있다. 또한 자기장에 노출되지 않은 TLD 그룹의 평균 피폭 방사선량은 15.41 mSv로 나타났으며, 자기장에 노출된 TLD 그룹의 평균 피폭 방사선량은 14.83 mSv로 나머지 그룹보다 가장 크게 감소(3.80%)하는 경향을 나타냈다. PET-MRI실에서 근무하는 방사선 작업 종사자가 개인피폭선량계로 TLD를 사용하는 경우, 정기 판독주기에 맞게 TLD 판독 시 자기장 노출로 인한 실제 피폭 방사선량과의 차이는 크게 없을 것으로 판단되어지나 정기 판독이 아닌 중간 판독을 수행하였을 경우, 실제 피폭 방사선량보다 낮은 피폭선량 값을 나타낼 것이다.

• Journal of Dairy Science and Biotechnology
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• 제33권3호
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• pp.203-207
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• 2015

본 연구에서는 동결건조 공정에 의한 유산균의 생균수 감소를 최소화 할 수 있는 농후 발효유를 개발하고자 하였다. 이를 위해 농후 발효유 제조에 첨가되는 당의 종류 및 구성을 달리하여 동결 건조 전후의 유산균 생존율을 비교 분석하였다. 그 결과, 포도당의 일부를 이소말토올리고당으로 대체하였을 때, 발효유 내 초기 유산균 생균수 및 동결건조 공정 이후의 유산균 생존율 또한 높아졌다. 또한 동결 건조 시 열판 온도가 낮을 경우, 건조 효율은 떨어지지만, 동결건조 이후의 동결건조 농후 발효유 내 초기 유산균 생존율이 높았다. 16주간의 저장기간에 따른 유산균 생균수 변화를 살펴본 결과, 상온보관 조건에서 유산균은 지수적으로 감소하였다. 하지만 16주가 경과한 후에도 $1.63{\times}10^8CFU/g$의 생균수를 유지하여 약 0.6 g 이상의 동결건조 농후 발효유만 섭취하여도 체내에서 유산균 증식 및 유해균 억제 배변활동 원활 등의 건강기능성을 가질 수 있는 수준이었다. 하지만 본 연구에서는 식품 매트릭스에 따른 동결방지 효과를 파악할 때, 유산균 생균수를 유일한 지표로 삼았다는데 한계가 있다. 유산균 생균수뿐만 아니라, 유산균의 활성을 살펴보기 위해 동결건조 이후의 젖산 생성능력이나 실질적으로 체내에 들어갔을 때 위액이나 담즙액에 대한 저항성 측면에서의 추가 연구가 필요할 것으로 사료된다.

• 한국식품과학회지
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• 제26권6호
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• pp.791-798
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• 1994

점성이 높고 열전도도가 낮아 기존의 열전도 가열방식으로는 효과적인 살균이 어려운 고추장, 된장 등의 페이스트상 식품의 효율적인 살균 공정을 개발하기 위한 기초 연구로서 전기 저항열(Ohmic heaing)을 이용한 실험실 규모의 정치 회분식 가열 시스템을 고안하고 전기적 요소가 가열 특성에 미치는 영향을 연구 검토하여 다음의 결론을 얻었다. 1. 고추장과 된장의 상온에서의 전기 전도도는 각각 1.865 S/m 2.510 S/m였으며, Ohmic heating에 의하여 온도가 증가함에 따라 전기전도도가 거의 비례적으로 증가하는 전기적 특성을 나타내었다. 2. 상용 주파수(60 Hz)에서는 전압을 증가시킬수록 비가열 속도$(^{\circ}C/g{\cdo}s)$가 거의 비례적으로 증가하였다. 일정한 전압에서 주파수를 증가시켰을 때 1KHz 이상에서부터 주파수의 증가에 따라 비가열 속도는 급격히 증가하여 고추장의 경우에는 5KHz에서 최고 가열속도 틀 나타내었으며 그 이상의 주파수에서는 감소하였으나 된장의 경우에는 계속 증가하여 실험범위의 최고값인 20KHz에서 최대 가열속도를 나타내었다. 3.고추장의 경우 전압, 전극 간격 및 시료량과 비가열속도와외 관계를 검토한 결과 비가열 속도 $35^{\circ}C/g{\cdot}s$ 이하일때 균일하게 가열이 이루어졌으며, 그 이상의 가열속도에서는 전극 부근에서 cake 생성 현상이 일어나 효과적으로 가열되지 않았다. 4. Ohmic heating 동안에 시료의 위처에 따른 온도 분포를 관찰한 결과 낮은 주파수 범위에서는 시료의 표면과 중간 부위외 온도차가 거의 없이 균일하게 급속히가열되었다. 그러나 5 KHz 이상의 높은 주파수 영역에 서는 표피 효과로 인하여 시료의 중심과 표면사이에 $10^{\circ}C$내외의 온도차가 생겼으며, 전극 부근의 온도가 중심부근 보다 5${\sim}10^{\circ}C$ 높았으므로 적절한 주파수의 선정이 중요하였다. 5. 고추장과 된장의 수분함량이 습량 기준으로 30% 이하일 때는 전류가 흐르지 않아 Ohmic heating의 적용이 불가능 하였으나, 30% 이상에서는 수분함량의 증가에 따라 가열속도는 급속히 증가하였다.

• 한국약용작물학회지
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• 제25권2호
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• pp.89-94
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• 2017

Background: The purpose of improving the quality of oriental medicinal herbs is to contribute to the improvement of the income of farm. The present study investigated the effect of reasonable drying methods, different storage conditions and packageing materials on quality and stability of Scutellaria baicalensis Georgi and for developing GAP (good agricultural practice) guide book. Methods and Results: Three methods of drying Scutellaria baicalensis roots produced over two years were used to estimate loss rate owing to drying, storage, and packaging. The methods of drying were categorized into natural drying (36 - 60 h by sunshine), drying with heat dryer (2 - 10 h), or drying with gas bulk dryer (2 - 10 h). After cleaning, and initial drying for a few days under controlled temperature conditions, the second phase of drying was carried out at 35, 45 and $55^{\circ}C$. Changes in hunter color values and quality under the two studied storage treatments (at $20^{\circ}C$ indoors and at $4^{\circ}C$ in a refigerator) were evaluated. Storage period for 60, 120, and 180 days in three packaging materials, PE (polyethylene package), PP (polypropylene gunnysack), and WP (watertight packing paper) were studied. Conclusions: Initial cleaning, reasonable gas drying and hot air drying, and drying in an oven at 35 and $45^{\circ}C$ after cutting the roots resulted in the lowest loss rates in S. Baicalensis root. Hunter color valuse indicated that stroage of dry roots at room temperature was better than PP packaging, and that cold stroage was better than PE packaging for long-term stability.

• 한국재료학회지
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• 제4권6호
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• pp.651-661
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• 1994

급냉응고법과 기계적합금화를 병행하여 자동차 산업용 부품에 널리 사용되고 있는 AC4A 합금에 열적으로 안정한 $SiC_p$세라믹 입자를 첨가하여 가공경화 및 미세균일화에 의한 분산강호 효과를 갖는 복합재료를 제조하고, 그에 따른 기계적특성을 조사하여 다음과 같은 결과를 얻을 수 있었다. 420분간 기계적합금화를 시켰을 때 10~20$\mu \textrm{m}$ 정도의 미세하고 균일한 구형의 복합분말을 얻을수 있었으며, 이 상태에서 정상상태를 의미하는 포화 경도값이 나타났다. 기계적합금화에 따른 분말의 X-선 회절시험에서 기계적 합금화 시간에 따라 결정립 미세화와 불균일 변형에 의해 강도가 떨어지고, 회절폭이 넓어진다. 분말 압출재의 시효경화는 1000분 시효에서 최대 경도값을 나타낸다. 인장시험에 있어서 압출재는 주조재에 비해 2배 이상의 인장값을 얻을 수 있었으며, $500^{\circ}C$에서도 우수한 인장값을 얻을 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제21권5호
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• pp.277-282
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• 2011

Negative temperature coefficient (NTC) materials have been widely studied for industrial applications, such as sensors and temperature compensation devices. NTC thermistor thick films of $Ni_{1+x}Mn_{2-x}O_{4+{\delta}}$ (x = 0.05, 0, -0.05) were fabricated on a glass substrate using the aerosol deposition method at room temperature. Resistance verse temperature (R-T) characteristics of the as-deposited films showed that the B constant ranged from 3900 to 4200 K between $25^{\circ}C$ and $85^{\circ}C$ without heat treatment. When the film was annealed at $600^{\circ}C$ 1h, the resistivity of the film gradually decreased due to crystallization and grain growth. The resistivity and the activation energy of films annealed at $600^{\circ}C$ for 1 h were 5.203, 5.95, and 4.772 $K{\Omega}{\cdot}cm$ and 351, 326, and 299 meV for $Ni_{0.95}Mn_{2.05}O_{4+{\delta}}$, $NiMn_2O_4$, and $Ni_{1.05}Mn_{1.95}O_{4+{\delta}}$, respectively. The annealing process induced insulating $Mn_2O_3$ in the Ni deficient $Ni_{0.95}Mn_{2.05}O_{4+{\delta}}$ composition resulting in large resistivity and activation energy. Meanwhile, excess Ni in $Ni_{1.05}Mn_{1.95}O_{4+{\delta}}$ suppressed the abnormal grain growth and changed $Mn^{3+}$ to $Mn^{4+}$, giving lower resistivity and activation energy.