• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2004년도 동계학술연구발표회 논문개요집
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• pp.33-33
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• 2004

• 한국진공학회지
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• 제4권1호
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• pp.104-108
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• 1995

Hall 효과 측정을 이용하여 As+이 주입된 다결정 실리콘의 열처리 조건에 따른 활성화 과정을 연구하였다. 주입된 이온의 농도 분포는 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREMIV 모의 실험으로 조사하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 활성층의 전자 면 농도 증가가 뚜렷이 나타났으며, Hall 이동도의 온도 의존성 측정으로 주입된 도우즈에 따라 이온 주입층의 활성화에 필요한 열처리 온도가 달라져야함을 알 수 있었다. 그리고, 접합 손실전류의 감소는 $800^{\circ}C$(30분)의 열처리에서 현저하게 나타났다.

• 전기의세계
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• 제41권2호
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• pp.47-54
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• 1992

본 고에서는 반도체 자기센서에 이용되는 기본 원리인 Hall효과, 실리콘을 이용한 자기센서의 종류 및 동작 원리, 그리고 용도 등에 대해서 간략히 기술하였다. 많은 자기센서들 중에서 어느 것이 가장 좋은가는 간단히 결정되어질 수 없으며 특정한 응용에 따른 요구조건에 따라 달라지게 된다. 높은 민감도를 요구하거나 저주파 영역에서의 잡음 등이 문제가 되는 경우에는 magnetotransistor가 유리하고, 고주파 영역에서의 잡음, offset, 선형성이나 온도 보상등의 면에서는 Hall Plate가 유리하다고 할 수 있다. 또한 대단히 낮은 전류에서는 높은 민감도를 얻기 위해서는 Split-Drain type MAGFET이 가장 유리하다.

• 한국결정학회지
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• 제7권1호
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• pp.44-56
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• 1996

CuInTe2 다결정은 수평전기로에서 합성하고, CuInTe2 단결정은 수직 Bridgman 방법으로 성장하여 결정구조를 조사하고, Hall 효과를 30K에서 293K의 온도영역에서 측정하였다. CuInTe2 다결정 및 단결정은 정방정계였다. 다결정의 격자상수는 a=6.168Å, c=12.499Å 그리고 c/a=2.026이었고, 단결정의 격자상수는 a=6.186Å, c=12.453Å, 그리고 c/a=2.013이었다. CuInTe2 단결정의 성장면은 Laue 배면반사 사진으로부터 구하였으며 (112)면이었다. CuInTe2 단결정의 Hall 효과는 van der Pauw 방법으로 측정하였다. 상온에서 측정된 c축에 수직한 시료의 운반자농도 p는 2.14×1023holes/m3, 전기전도도 δ는 739.58Ω-1m-1 그리고 이동도 μ는 2.16×10 m2/V·s 이었다. c축에 평행한 시료의 운반자농도 p는 1.51×1023holes/m3, 전기전도도 σ는 717.55Ω-1m-1 그리고 이동도 μ는 2.97×10-2 m2/V·s이었다. c축에 수직 및 평행한 시료의 Hall계수가 양의 값이어서 CuInTe2 단결정은 p형 반도체임을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제10권2호
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• pp.262-266
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• 2001

GaAS/AlGaAS 이종접합구조 위에 Split gate로 양자세선을 제작하여 Shubnikov de Haas 진동 및 양자 Hall 효과 측정으로 1DEG의 전기적 특성을 관측하였다. Gate 전압이 증가할수록 채널폭이 좁아짐에 따라 ID 특성이 나타났다. Edge state 수송 이론인 Landauer-Butikker formula로부터 QHE plateau와 SdH 진동의 최소값이 나타나는 자기장 영역이 일치하지 않고 있는 현상을 명확히 규명하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권5호
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• pp.512-517
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• 1996

본 고는 반도체 재료가 갖는 자기효과를 이용하여 자기센서의 종류 및 특성등에 대하여 서술하였다. 반도체 LSI의 응용분야가 확대됨에 따라서 반도체 센서를 이용한 극소형화, 고성능화, 저가격화, 다기능화등이 가능하게 되었다. 이러한 상황에서 반도체를 이용한 홀 소자나 자기저항 소자와 같은 자기센서 등을 주변회로와 일체화시킨 초소형 시스템에 대한 연구가 활발하다. 특히 화합물 반도체는 자기센서에 적합한 물리적인 특성을 갖고 있기 때문에, 자기센서로 효율을 나타내고 있다. 반도체의 미세가공기술의 발전과 LSI제조기술의 발전을 이용하여 센서의 집적화, 저가격화를 가능하게 하였으며, 다른 종류의 반도체 센서들을 자기센서와 함께 하나의 칩위에 장착할 수 있는 응용집적센서(Application-specific Integrated Sensor)가 더욱 중요한 역할을 할 것이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.726-728
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• 1998

Optical and electrical properties of GaSe:$Er^{3+}$ single crystals grown by the Bridgeman technique was been investigated by using optical absorption and Hall-effect measurements. The Hall coefficients were measured by using a high impedance electrometer in the temperature range from 360K to 150K. The temperature dependence of hole concentration shows the characteristic of a partially compensated p-type semiconductor. carrier density($N_H$) of GaSe doped with Erbium was measured about $3.25{\times}10^{16}\;[cm^{-3}}$ at temperature 300K, which was high than undoped specimen. Photon energy gap ($E_{gd}$) was measured about 1.7geV.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.134-136
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• 2004

The results of investigations of $Ag_2Te$ crystal is presented. $Ag_2Te$ crystal was grown by the Bridgman method. The $Ag_2Te$ crystal was an monoclinic structure with lattice constance a = 8.1686 A, b = 9.0425 ${{\AA}}$, c = 8.0065 ${{\AA}}$. Hall effect shows a n-type conductivity in the $Ag_2Te$ crystal. The electrical resistivity values was $1.080e^{-3}{\Omega}cm$ and electron mobility was $-5.48{\times}10^3cm^2/V{\cdot}sec$ at room temperature(RT).

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1407-1409
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• 2003

The results of investigations of $Ag_2Te$ crystal is presented. $Ag_2Te$ crystal was grown by the Bridgman method. The $Ag_2Te$ crystal was an monoclinic structure with lattice constance a = 8.1686, b=9.0425, c=8.0065. Hall effect shows a n-type conductivity in the $Ag_2Te$ crystal. The electrical resistivity values was $1.080e^{-3}cm$ and electron mobility was $-5.4810^{3}cm^{2}$/Vsec at room temperature(RT).

• 대한전자공학회논문지
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• 제12권6호
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• pp.5-8
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• 1975

Hall효과의 이용으로, 자계의 세기 또는 자속을 계측할 수 있는 자속계의 제조 및 특성조사를 시도하였다. Hall계수가 큰 InSb의 단결품을 Bridgemann법에 의하여 제작하고, 자장내에서 자계의 세기와 기전력 또는 전류를 계측한 결과, 만족할만한 감도와 직선적인 특성곡선을 얻었으며, 유사한 연구결과와 비교할때, 좋은 결과임을 알게 되었다. An Insb magnetic fluxmeter was made of InSb Single Crystal that was grown by Bridgemannmethods and then purified by vapor cone refining method. We investigated some properties of the InSb magneto fluxmeter. It was found that the resistivity and the Hall Coefficient of this single Crystal Were 4.4X10-2Ω and 4.5cm3/Coul, respectively, at room temperature. The Characteristic Curve of the InSb magnetic fluxmeter between the magnetic field the Hall voltage, with the Current flowing through the element a Parameter, had good lineanty i.e., We obtained a linear Calibration Curve of the flwmeter. The fluxmeter erved the purpose well enough up to 5 k-gaus.