본 논문에서는 실리콘 기반의 기술과 차별화하여 저온동시소성세라믹 (LTCC) 기판을 이용하여 대표적 압전물질인 PZT 박막의 최적의 증착조건을 연구하였다. LTCC 기술은 실리콘 기반의 기술에 비하여 낮은 생산 단가, 높은 수율, 3차원 구조물의 용이한 제작성 등으로 인하여 센서 및 액추에이터와 같은 10 um ~ 수백 um 정도의 중규모 디바이스를 제작하는데 있어서 중요한 역할을 담당하고 있다. LTCC 기판은 NEG사의 MLS 22C 상용 파우더를 이용하여 100 um 두께의 그린쉬트를 적층하고 동시소결하여 400 um 두께로 제작하였다. 제작한 기판위에 Pt/Ti 하부전극을 증착하고 RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 PZT 박막의 증착조건을 연구하였다. 증착조건으로는 RF 전력과 아르곤과 산소 가스비를 가변하여 실시하였으며, XRD와 EDS를 사용하여 박막의 결정성 및 성분을 분석하였다. 실험을 통하여 얻어진 최적의 증착조건은 RF 전력 125W, 아르곤과 산소비 15:5에서 가장 우수한 특성을 나타내는 것을 확인하였다.
The major substrates used in soilless growing media are peat moss and perlite, where peat moss is a limited and expensive natural resource. Determination of appropriate substrates based on technical and economic feasibility is the vital aspect of research and the key to success in any soilless production system. This research work was performed to evaluate different low-cost and sustainable alternative substrate as soilless growing media for horticulture plant. The objective of this study was to compare the effect of sawdust species and steam treatment, for physico-chemical properties and growth of horticultural plant. This study involves the physical and chemical characterization and growth test of four substrate (pine sawdust, oak sawdust, steamed pine sawdust and steamed oak sawdust) in order to evaluate their use as components of growing media. Steamed oak sawdust ($121^{\circ}C$, 30 min) showed adequate physical and chemical properties compared to peat moss for their use as growing media. The growing media were prepared using different mixture proportion to grow Brassica campestris L., Festuca arundinacea and Lespedeza cyrtobotrya Miq. The highest germination, stem length and leaf area of Brassica campestris L., Festuca arundinacea and Lespedeza cyrtobotrya were observed in 30 minute steamed oak sawdust mixture growing media. The steam treatment condition of sawdust used in the growing media significantly positive affected the germination, the stem length and the leaf area.
Kim, Y.I.;Lee, Y.H.;Kim, K.H.;Oh, Y.K.;Moon, Y.H.;Kwak, Wan-Sup
Asian-Australasian Journal of Animal Sciences
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제25권11호
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pp.1575-1581
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2012
This study evaluated the effect of dietary supplementation of microbially-fermented spent mushroom substrates (MFSMS) on weight gain, carcass characteristics, and economic efficiency of Hanwoo steers. Highly cellulolytic bacteria (Enterobacter spp. and Bacillus spp.) isolated from spent mushroom substrates (SMS) stacks were inoculated (1% v/v) into the SMS, which was anaerobically fermented and fed to the steers for 12.6 months during the growing and fattening periods. Growing Hanwoo steers were assigned to the control group without supplementation of Microbially-fermented SMS (MFSMS), to a treatment group with 50% of MFSMS (1/2 of the ad libitum group), and to a treatment group with ad libitum access to SMS (the ad libitum group). All the groups were fed the formulated feed and rice straw. The voluntary intake (DM basis) of MFSMS was 1.6 kg/d during the growing period and 1.4 kg/d during the fattening period. The voluntary rice straw intake decreased by 6 to 11%, but the total voluntary DMI increased by 7 to 15% with MFSMS fed. The increased DMI with MFSMS supplementation resulted in a tendency of increased (p = 0.055) live weight gain by 8 to 12% compared with the control group. At slaughtering, the supplementation of MFSMS increased (p<0.05) the ribeye area by an average of 10 cm2. In conclusion, feeding MFSMS improved growth performance and carcass traits of Hanwoo steers and could successfully replace a part of conventional roughage such as rice straw commonly used in Asian countries.
국내 원예산업의 발달에 따라 다양한 종류의 배지 이용이 급속히 증가되고 있다. 현재 국내에서 사용중인 유기성 배지에는 피트모스, 코이어, 바크, 왕겨, 톱밥 등이 있으며, 무기성 배지로는 펄라이트, 버미큘라이트, 암면, 클레이볼 등이 있다. 본 연구는 유럽표준배지분석방법에 따라 원예용 배지를 분석하여 이들의 물리화학적 특성을 구명하고자 수행되었다. 국내에서 사용 중인 몇 가지 배지를 분석한 결과, 유기성 배지인 피트모스, 코이어, 바크, 톱밥, 왕겨는 종류, 원산지, 가공방법 등에 따라, 무기성 배지인 펄라이트, 버미플라이트, 입상암면, 클레이볼은 종류, 입자크기 등에 따라 이들의 물리화학적 특성의 차이를 보였다. 앞으로 유럽 표준분석방법 뿐만 아니라 국내 표준배지분석법에 따라 더 많은 배지재료와 혼합배지 및 상토를 분석함으로써 국내 배지분석법의 정립, 이상적인 배지의 기준 제시, 두 분석방법간의 환산인자확보 등의 연구가 요구된다.
Seed crystal 로 bare (0001) 사파이어 기판을 사용하여 hydride vapor Phase epitaxy (HVPE)법을 이용하여 free-standing GaN 단결정기판을 성장시켰다. 일정한 두께의 GaN막을 성장한 후 사파이어 기판을 mechanical polishing 작업으로 제거하여 두께 200 ㎛, 10×10 ㎛ 크기의 free-standing GaN 기판을 얻을 수 있었으며, 성장 전 GaCl 전처리를 수행함으로써 crack이 없는 기판을 제작할 수 있었다. 이렇게 제작된 free-standing GaN 기판의 특성을 SiO/sub 2/ patterned sapphire위에 LEO (Lateral Epitaxial Overgrowth) 방법으로 성장된GaN박막과 double crystal x-ray diffraction (DC-XRD), cathode-luminescence (CL) 및 photoluminescence (PL) 방법으로 특성을 비교하였다.
ZnGa2O4 thin film phosphors were deposited on Si(100) (111) wafers by rf magnetron sputtering. The ef-fects of substrates and deposition parameters on the growing mechanisms were studied. As a results of the effect of substrate temperature tranistions of growth orientation and different growing behaviors were ob-served. Also polycrystalline ZnGa2O4 thin film could not be achieved without oxygen gas. PL spectrum of ZnGa2O4 thin films were analyzed and showed broad band luminescence spectrum.
본 실험은 NDF 및 ADF 함량이 높은 버섯폐배지(버섯잔사)에 대한 볏짚 대체 가능성을 채식 행동 관점에서 검토할 목적으로 실시하였으며, 시험사료인 농후사료+볏짚(Control: 5.32kg+자유채식), 농후사료+버섯폐배지+볏짚(T1 : 5.32kg+0.82kg+자유채식) 및 농후사료+버섯폐배지+ 볏짚 (T2 : 5.32 kg+1.64 kg+자유채식)를 급여하여 채식 행동 조사를 하였다. 공시가축은 평균체중 357.0+2.9kg인 한우 18두를 이용하였으며, 사료급여에 있어서는 농후사료와 버섯페배지는 1일 2회로 반량씩 급여하였으며 볏짚은 자유채식토록 하였다. 볏짚 채식량은 Control구가 2.66kg으로서 가장 높게, T2구가 2.03 kg으로 가장 낮게 나타난 반면, 총채식량 및 NDF 채식량은 T2 > T1 > Control구 순으로 높게 나타났다. 채식시간은 Control구가 289.3분, T2구가 290.5로 비슷했고 T1구가 236.0분으로 가장 적었다(p<0.05). 반추시간에 있어서는 버섯폐배지 첨가량을 0%(0.0kg), 15%(0.82kg) 및 30%(1.64kg)로 증가 시켜줌에 따라 반추시간은 451.0분에서 359.5분으로 직선적으로 감소하였다(p<0.05). 이는 버섯폐배지의 사료입자 크기가 매우 작았던 것에 기인된 것으로 생각된다. 1일 저작시간, 식괴수, 저작회수와 식괴당 저작수 및 사료가치지수는 볏짚을 급여한 대조구에서 모두 높게 나타났다(p<0.05). 그러나 식괴당 반추시간은 T2(69.4분)에서, 분 당 식괴수는 T1구(1.07번)에서 높게 나타났다(p<0.05). 채식율, 반추효율 및 저작효율성에 있어서는 버섯폐배지 첨가 급여구(T1, T2)가 무첨가 급여구(Control)에 비하여 높게 나타났으며, 이는 높은 채식량과 버섯폐배지의 작은 입자도가 관여한 것으로 생각된다. 군 행동은 모든 구(Control, T1 및 T2)에서 농후사료 급여시에 통일된 행동을 보였고, 반추 및 휴식에 있어서 군 행동은 처리 간 큰 차이가 없는 것으로 나타났다. 이상의 결과 육성우 배합사료에 버섯폐배지 15% 및 30%를 첨가 급여함으로서 반추시간, 식괴수, 저작수 및 FVI치는 다소 낮은 결과치를 보였으나, 채식행동에 큰 문제가 될 정도는 아니며, 오히려 채식율, 반추효율 및 저작효율에 있어서 무첨가구에 비하여 첨가구가 높았던 점을 감안 할 때 한우 육성우 조사료원으로서 대체 가능성을 기대할 수 있다.
Putrescine, spermidine, and spermine were found to persent in Methylobacterium extorquens AM1 growing on methanol, succinate, glucose, or nutrient broth as an energy source. Spermidine was found to be a major polyamine in cells growing on methanol or succinate, while putrescine to be the one in nutrient broth-grown cells. The overall content of polyamines in cells growing on glucose was less than that in cells growing on other substrates. Spermine was the most abundant polyamine in glucose-grown cells. Accumulation of polyamines in M. extorquens AM1 was maximal at the mid-exponential or early stationary phase during growth on each substrate. The effect of polyamines added into the medium on the polyamine composition in M. extorquens AM1 was variable. Each polyamine added into the nutrient broth medium was found to increase the amount of the respective polyamine in the cell. Exogeneously added polyamines had no effect on the growth of M. extorquens AM1.
The green emitting phosphor, $ZnGa_2O_4:Mn$ thin film with spinel structure were deposited by rf magnetron sputtering. Thin film phosphors were heat-treated in nitrogen, vacuum and air atmosphere, respectively. The effects of the substrates, heat-treatment conditions and the sputtering parameters were investigated. The growing behavior and luminescent properties of thin films depend on the crystallinity of the substrates. The Ga/Zn atomic ratios and luminescent characteristics were dependent on the annealing conditions.
Growth characteristics and microstructure of AlN thin films grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on Si substrates have been investigated. Growing temperature and substrate orientation were chosen as major variables of the experiment. Reflection high energy electron diffraction (RHEED), X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy/diffraction (TEM/TED) techniques were employed to characterize the microstructure of the films. On Si(100) substrates, AlN thin films were grown along the hexagonal c-axis preferred orientation at temperature range 850-90$0^{\circ}C$. However on Si(111), the AlN films were epitaxially grown with directional coherency in AlN(0001)/Si(111), AlN(1100)/Si(110), and AlN(1120)/Si(112) at 85$0^{\circ}C$ and the epitaxial coherencry seemed to be slightly distorted with increasing temperature. The microstructure of AlN thin films on Si(111) substrates showed that the films include a lot of crystal defects and there exist micro-gaps among the columns.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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