Nano-sized powders of Indium Tin Oxide(ITO) were synthesized by a coprecipitation method. In order to investigate the gas sensing characteristics in the nanocrystalline ITO thick films with various particle sizes, ITO powders with the average particle diameter of 15, 30, and 70 nm respectively were synthesized. And the sensitivity of ITO thick films was measured upon exposure to a target gas($C_2$$H_{5}$ /OH) and some other Volatile Organic Compounds(VOCs), such as, toluene, methanol, benzene, chloroform. As a result, ITO thick films had high sensitivity for ethanol and higher sensitivity with smaller particle size.
Nano-indium-coated ZnO:In thick films were prepared by a hydrothermal method. ZnO:In gas sensors were fabricated by a screen printing method on alumina substrates. The gas sensing properties of the gas sensors were investigated for hydrocarbon gas. The effects of the indium concentration of the ZnO:In gas sensors on the structural and morphological properties were investigated by X-ray diffraction and scanning electron microscopy. XRD patterns revealed that the ZnO:In with wurtzite structure was grown with (1 0 0), (0 0 2), and (1 0 1) peaks. The quantity of In coating on the ZnO surface increased with increasing In concentration. The sensitivity of the ZnO:In sensors was measured for 5 ppm $CH_4$ gas and $CH_3CH_2CH_3$ gas at room temperature by comparing the resistance in air with that in target gases. The highest sensitivity to $CH_4$ gas and $CH_3CH_2CH_3$ gas of the ZnO:In sensors was observed at the In 6 wt%. The response and recovery times of the 6 wt% indiumcoated ZnO:In gas sensors were 19 s and 12 s, respectively.
In this study, a micro gas sensor for $NO_x$ was fabricated using a microelectromechanical system (MEMS) technology and sol-gel process. The membrane and micro heater of the sensor platform were fabricated by a standard MEMS and CMOS technology with minor changes. The sensing electrode and micro heater were designed to have a co-planar structure with a Pt thin film layer. The size of the gas sensor device was about $2mm{\times}2mm$. Indium oxide as a sensing material for the $NO_x$ gas was synthesized by a sol-gel process. The particle size of synthesized $In_2O_3$ was identified as about 50 nm by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). The maximum gas sensitivity of indium oxide, as measured in terms of the relative resistance ($R_s=R_{gas}/R_{air}$), occurred at $300^{\circ}C$ with a value of 8.0 at 1 ppm $NO_2$ gas. The response and recovery times were within 60 seconds and 2 min, respectively. The sensing properties of the $NO_2$ gas showed good linear behavior with an increase of gas concentration. This study confirms that a MEMS-based gas sensor is a potential candidate as an automobile gas sensor with many advantages: small dimension, high sensitivity, short response time and low power consumption.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권2호
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pp.106-109
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2012
A low power methane gas sensor with microheater was fabricated by silicon bulk micromachining technology. In order to heat up the sensing layer to operating temperature, a platinum (Pt) micro heater was embedded in the gas sensor. The line width and gap of the microheater was 20 ${\mu}m$ and 4.5 ${\mu}m$, respectively. Zinc oxide (ZnO) nanowhisker arrays were grown on a sensor from a ZnO seed layer using a hydrothermal method. A 200 ml aqueous solution of 0.1 mol zinc nitrate hexahydrate, 0.1 mol hexamethylenetetramine, and 0.02 mol polyethylenimine was used for growing ZnO nanowhiskers. Temperature distribution of the sensor was analyzed by infrared thermal camera. The optimum temperature for highest sensitivity was found to be $250^{\circ}C$ although relatively high (64%) sensitivity was obtained even at as low a temperature as $150^{\circ}C$. The power consumption was 72 mW at $250^{\circ}C$, and only 25 mW at $150^{\circ}C$.
GIS(Gas insulated switching gear) is power equipment with excellent dielectric strength and is economy merit in high confidence and stability. Recently, because equipment of GIS was occurring problem of confidence used for a long time, partial discharge on-line diagnosis systems have been importantly recognized. Partial discharge (PD) detection is an effective means for monitoring and evaluation of dielectric condition of gas insulated system (GIS). The ultra-high-frequency (UHF) PD detection technique can detect and locate the PD sources inside GIS by detecting electromagnetic wave emitted from PD source. Therefore, real-time diagnostic system using UHF detection method has been developed for this application is being expanded gradually. However, the signal of partial discharge occurring in SF6 gas is very weak and susceptible to external noises which mainly consist of PD in air. Thus, it is important to distinguish the PD in SF6 gas more sensitively from the external noises. Unfortunately, these external noise signals and the partial discharge signals have very similar characteristics. Therefore, to solve this problem, we need the signal processing method for distinguish partial discharge signals with external noise signals for improvement of SNR(signal to noise ratio) and sensitivity. In this paper, we proposed internal signal processing method for removing external noise signals with built-in pre.amplifier and frequency conversion circuit.
In this thesis, ZnO semiconductor gas sensors doped by the $Al^{3+}$ were fabricated by the miexed oxide method. The specimens were sintered for 5(hr) at $1000-1200^{\circ}C$ and the I-V, sensitivity were investigated in acetone gas or ammonia gas. As a result, I-V curves of specimens as a function of temperature variation showed characteristics of linear resistor that the current was proportional to the, temperature at constant voltage. For the sensitivity of acetone, 1Wt $Al^{3+}$-ZnO has the hight 0.91, ammonia gas, 2Wt $Al^{3+}$-ZnO specimen has the hight 0.90. Hence, the operating temperature of specimens were both $300^{\circ}C$.
This study examines the sensitivity of several fabrication parameters for dry process fuel, using a random sampling technique. The in-pile performance of dry process fuel with irradiation was calculated by a modified ELESTRES code, which is the CANDU fuel performance code system. The performance of the fuel rod was then analyzed using a Monte Carlo simulation to obtain the uncertainty of the major outputs, such as the fuel centerline temperature, the fission gas pressure, and the plastic strain. It was proved by statistical analysis that for both the dry process fuel and the $UO_2$ fuel, pellet density is one of the most sensitive parameters, but as for the fission gas pressure, the density of the $UO_2$ fuel exhibits insensitive behavior compared to that of the dry process fuel. The grain size of the dry process fuel is insensitive to the fission gas pressure, while the grain size of the $UO_2$ fuel is correlative to the fission gas pressure. From the calculation with a typical CANDU reactor power envelop, the centerline temperature, fission gas pressure, and plastic strain of the dry process fuel are higher than those of the $UO_2$ fuel.
A low power gas sensor with microheater was fabricated by MEMS technology. In order to heat up the gas sensing material to a operating temperature, a platinum(Pt) micro heater was built on to the micromachined Si substrate. The width and gap of microheater were $20\;{\mu}m$ and $4.5\;{\mu}m$, respectively. ZnO nanowhisker arrays were fabricated on a sensor device by hydrothermal method. The sensor device was deposited with ZnO seeds using PLD systems. A 200 ml aqueous solution of 0.1 mol zinc nitrate hexahydrate, 0.1 mol hexamethylenetetramine, and 0.02 mol polyethylenimine was used for growthing ZnO nanowhiskers. The power consumption to heat up the gas sensor to a operating temperature was measured and temperature distribution of sensor was analyzed by a Infrared Thermal Camera. The optimum temperature for highest sensitivity was found to be $250^{\circ}C$ although relatively high(64 %) sensitivity was obtained even at as low as $150^{\circ}C$. The power consumption was 72 mW at $250^{\circ}C$ and was only 25 mW at $150^{\circ}C$.
CO sensing thick film gas sensors using $Co_3O_4$ powders prepared by hydrothermal reaction method, were fabricated, and their structural, electrical and CO gas sensing properties were investigated. The specific surface area of the $Co_3O_4$ powders obtained from BET analysis was about 79.0 $m^2/g$. XRD and SEM results show that the thick films heat-treated at $500^{\circ}C$ for 30 min after screen printing had the preferred orientation of (311) direction and the crystalline size was calculated to 221 $\AA$. The maximum activation energy obtained from the temperature-resistance characteristics was 3.11 eV in the temperature range of $290^{\circ}C$ to $310^{\circ}C$. The sensitivity to 1,000 ppm CO was about 150 %. The specific surface area, crystalline size, and maximum activation energy were increased significantly and the sensitivity for CO gas was improved largely.
A flat type microgas sensor was fabricated on the p-type silicon wafer with low stress S $i_3$$N_4$, whose thickness is 2${\mu}{\textrm}{m}$ using MEMS technology and its characteristics were investigated. W $O_3$thin film as a sensing material for detection of N $O_2$gas was deposited using a tungsten target by sputtering method, followed by thermal oxidation at several temperatures (40$0^{\circ}C$~$600^{\circ}C$) for one hour. N $O_2$gas sensitivities were investigated for the W $O_3$thin films with different annealing temperatures. The highest sensitivity when operating at 20$0^{\circ}C$ was obtained for the samples annealed at $600^{\circ}C$. As the results of XRD analysis, the annealed samples had polycrystalline phase mixed with triclinic and orthorhombic structures. The sample exhibit higher sensitivity when the system has less triclinic structure. The sensitivities, $R_{gas}$$R_{air}$ operating at 20$0^{\circ}C$ to 5 ppm N $O_2$of the sample annealed at $600^{\circ}C$ were approximately 90. 90.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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