• 제목/요약/키워드: Ga-67

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규폐증에서 Gallium-67 신티그라피의 정량적인 분석: 흉부 X-선과 폐기능검사와의 비교 (Quantitative Ga-67 Scintigraphy in patients with Silicosis: Comparison with Chest X-ray and Pulmonary Function)

  • 신광현;손형선;정용안
    • 대한핵의학회지
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    • 제33권4호
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    • pp.381-387
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    • 1999
  • 목적: 직업성 질병은 원인 규명과 함께 병의 진행정도를 정확히 평가하는 것이 중요하여 ILO에서 흉부 X-선 소견을 기준으로 국제표준화를 시행하여 왔으나 사진의 질에 영향을 받을 수 있고, 초기 병변을 발견하기에는 어려움이 많다. 본 연구자들은 Ga-67의 섭취정도를 규폐증의 진행 정도를 나타내는 지표로 이용하기 위하여 폐기능검사 및 흉부 X-선 소견에 의한 임상적 병기 분류와의 상관관계를 보고자하였다. 대상 및 방법: 25명의 규폐증 환자를 대상으로 Ga-67 신티그라피를 분석하였으며 10명의 정상인을 대조군으로 하였다. 검사방법은 Ga-67 citrate, 5 mCi를 정맥 주사한 후 48시간 후 전신 스캔 및 흉부, 복부 스캔 영상을 얻어 후면상에서 간과 폐병변의 최대 섭취 부위의 관심영역을 설정하여 픽셀당 방사능 섭취 정도의 비를 구하여 임상적 병기 분류와의 상관관계를 비교 분석하였다. 결과: L/L Ratio 값은 정상군 0형(n=10): $0.3948{\pm}.0692$0, 1형(n=10): $0.5763{\pm}$0.1837, 2형(n= 11): $0.6849{\pm}0.1459$, 3형(n=4): $0.9913{\pm}0.0712$였으며 흉부 X-선의 분류형과 서로 유의한 상관관계를 보였다(r=0.618, p<0.05). 그러나 L/L Ratio 값과 폐기능검사 지표와는 통계적으로 유의하지 않았다. 결론: 저자들의 연구에 따르면 규폐증의 진행과정을 평가하여 환자의 병기를 결정하는 데 Ga-67 신티그라피의 정량적인 분석이 도움을 주었다. 그러나 폐기능과는 상관관계가 없어 폐기능을 평가하는 지표가 되지 못하였다.

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Sarcoma-bearing Mice에서 Cadmium-109과 Gallium-67의 체내 분포의 비교 (Comparison of Distribution of Cadmium-109 and Gallium-67 in Sarcoma-Bearing Mice)

  • 손명희;장숙경;정경호;한영민;김종수;최기철;임창열;강신화
    • 대한핵의학회지
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    • 제28권1호
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    • pp.98-105
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    • 1994
  • Metallothionein (MT)는 세포내에 존재하는 cystein이 풍부한 적은 단백질로서 핵의학적 영상이나 치료에 이응이 가능할 여러 금속성 방사성 동위원소와 결합한다. 본 연구는 sarcoma를 주사한 Balb/C mice에서 MT와 결합하는 방사성동위원소인 cadmium이 종양에 축적되는가를 확인하고, 그것이 핵의학적인 영상과 치료에 이용될 수 있는지와 Ga-67을 대신할 수 있는지를 보기 위해 종양과 정상조직에서 Cd-109과 Ga-67의 섭취율을 비교하고 종양과 정상조직의 비를 비교하였다. Balb/3T3 세포를 Molony murine sarcoma virus (MMSV)로 변형시킨 세포를 Balb/C mice의 왼쪽 서혜부에 피하로 주사한 후 종양이 $0.6{\sim}l.0cm^2$로 자랐을 때 $25{\mu}Ci$ Cd-109 chloride와 $40{\mu}Ci$ Ga-67 citrate을 피하주사 한 후 18 또는 72시간에 쥐를 희생하여 종양과 여러 정상조직을 제거하여 무게를 잰 후 방사능을 측정하였다. Cd-109의 종양섭취는 Ga-67과 비슷하나 대부분의 정상조직에 비해 (MT가 풍부한 간과 신장을 제외) Ga-67보다 높았다. 종양대 정상조직의 섭취비는 Cd-109이 Ga-67에 비해 배후방사능에 중요한 영향을 미치는 장기인 뼈, 장, 지방조직, 근육, 혈액에서 월등히 높아서 (P<0.001) 같은 종양에서 Ga-67보다 좋은 영상을 얻을 수 있으리라고 생각되며, MT에 결합하는 cadmium은 암의 종양영상과 치료에 이용될 수 있을 것으로 생각된다.

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Study of Glycyrrhizic Acid:menthol Supramolecular Complexes on Mitochondrial Functional Activity in in-vitro Experiments

  • L. A. Еttibaeva;U. K. Abdurakhmanova;A. D. Matchanov
    • 대한화학회지
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    • 제67권2호
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    • pp.99-105
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    • 2023
  • Here we present how a supramolecular complex of Glycyrrhizic acid (GA) with Menthol (Mt) affects the blood glucose levels and glycogen synthesis in the liver of rats in in-vivo experiments with diabetes caused by alloxan. We have shown that Menthol, Glycyrrhizic acid and GA:Mt supramolecular complexes can restore functional dysfunction of the liver mitochondria in alloxan diabetes, i.e., inhibit lipid peroxidation. The hypoglycemic activity and mitochondrial membrane stabilizing properties of the supramolecular complex GA:Mt (4:1) in alloxan diabetes were more pronounced than those of menthol, GA and its GA:Mt (2:1) and GA: Mt (9:1) supramolecular complexes.

EuGa2S4와 Eu2Ga2S5 형광체의 발광 특성 (Photoluminescent Properties of EuGa2S4 and Eu2Ga2S5 Phosphors)

  • 조영식;장민경;허영덕
    • 대한화학회지
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    • 제67권4호
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    • pp.236-240
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    • 2023
  • Eu2+ 활성제 이온의 농도가 100% 이므로 농도 소광 효과가 없는 EuGa2S4와 Eu2Ga2S5 형광체를 800~1050 ℃의 온도 범위에서 고상법으로 합성하였다. EuGa2S4와 Eu2Ga2S5 형광체의 최대 발광 세기의 파장(λmax)은 각각 546과 581 nm이다. X-선 회절 패턴 및 발광 특성을 조사한 결과 EuGa2S4와 Eu2Ga2S5 형광체는 각각 낮은 온도 범위(800~900 ℃)와 높은 온도 범위(1000~1050 ℃)에서 형성됨을 확인하였다.

LPE법으로 성장시킨$Al_xGa_{1-x}As$의 이중결정 X-선 회절 특성 (Double crystal X-ray diffraction characteristics of $Al_xGa_{1-x}As$ grown by LPE)

  • 김인수;이철욱;최현태;배인호;김상기
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제6권6호
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    • pp.565-572
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    • 1993
  • LPE(liquid phase epiraxy)법으로 성장시킨 $Al_{x}$ Ga$_{1-x}$As (0.15.leq.x.leq.0.67) 에피층의 구조적 특성을 이중결정 X-선 회절장치를 사용하여 조사하였다. GaAs기판과 $Al_{x}$ Ga$_{1-x}$As 에피층의 격자상수 차이로 인해 피이크가 분리되었고 이는 조성비가 증가함에 따라 선형적으로 증가하였다. 그리고 조성비는 Vegard의 법칙으로 구한 값과 기판 및 에피층 피이크 사이 각도분리(.DELTA..theta.)를 측정함으로써 구한 값이 일치하였으며 이때 관계식은 .DELTA..theta.=354.x을 얻었다. 또한 성장된 에피층은 compressive stress를 받고 있으며 조성비(x)가 0.15에서 0.67로 증가함에 따라 응력은 증가하였으며 그리고 피이크의 반치폭으로 부터 계산된 전위밀도가 역시 증가하였다.

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유육종증의 $^{67}Gallium$ 스캔 유형 분석 (Pattern Analysis of $^{67}Gallium$ Scintigraphy in Sarcoidosis)

  • 강윤희;임석태;문은하;김동욱;정환정;손명희
    • Tuberculosis and Respiratory Diseases
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    • 제70권6호
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    • pp.504-510
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    • 2011
  • Background: $^{67}Ga$ scintigraphy has been used for years in sarcoidosis for diagnosis and to determine the extent of the disease. The present report is a study of various findings of $^{67}Ga$ scintigraphy in patients with sarcoidosis. Methods: Between 1998 and 2007, 16 patients (male:female, 6:10; age, $35.9{\pm}15.3$ years) with histologically proven sarcoidosis underwent clinical evaluation and $^{67}Ga$ scintigraphy. According to the site of involvement, they were divided into subtypes and analyzed. Results: Sixteen patients with sarcoidosis had involvement of various organs, including lymph nodes (13/16, 81.3%), lung (3/16, 18.8%), muscle (1/16, 6.3%), subcutaneous tissue (1/16, 6.3%), glands (1/16, 6.3%), and bone (1/16, 6.3%). Sites of involved lymph nodes were thorax (12/13, 92.3%), supraclavicular area (5/13, 38.5%), inguinal area (2/13, 15.4%), abdomen (2/13, 15.4%), and pelvis (1/13, 7.7%). Conclusion: Because sarcoidosis frequently involves multiple organs, $^{67}Ga$ scintigraphy is a useful method in for evaluating the whole body. Nuclear medicine physicians should be familiar with the various findings of gallium uptake in sarcoidosis.

$In_{x}Ga_{1-x}N/GaN$ 양자우물 구조에 관한 수치 해석 (Numerical Analysis for the $In_{x}Ga_{1-x}N/GaN$ Quantum Well Structures)

  • 김경찬;김태근
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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    • pp.96-99
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    • 2003
  • 본 논문에서는 수치 해석 방법을 이용하여 $In_{x}Ga_{1-x}N/GaN$ (x=0.06~0.1) 양자우물 구조의 에너지 준위를 계산하였다. InGaN 벌크 샘플(bulk sample)의 PL(photoluminescence) 데이터로부터 bowing factor를 결정한 후 InGaN의 유효 에너지 밴드갭을 계산하였고, InGaN/GaN 양자우물 구조의 전도대와 가전자대의 오프셋(offset)을 0.67/0.33으로 정하였다. 다음으로, 양자화 효과에 의한 에너지 변위와 압전장(piezoelectric field)을 제외한 양축 압축 변형(biaxial compressive strain)에 의한 에너지 변위를 고려하여 기저준위 전자와 heavy hole(le-1hh)간의 천이 에너지를 계산하였다. 계산된 천이 에너지는 PL로 측정한 천이 에너지에 비해 약 9~15 meV 크게 관찰되었는데, 이것은 InGaN/GaN 양자우물 계면에 발생하는 압전장 때문인 것으로 생각된다.

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R-plane 사파이어 기판위의 GaN/InGaN 이종접합구조의 HVPE 성장 (HVPE growth of GaN/InGaN heterostructure on r-plane sapphire substrate)

  • 전헌수;황선령;김경화;장근숙;이충현;양민;안형수;김석환;장성환;이수민;박길한
    • 한국결정성장학회지
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    • 제17권1호
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    • pp.6-10
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    • 2007
  • R-plane 사파이어 위에 a-plane GaN층이 성장된 기판에 혼합소스 HVPE(mixed-source hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 GaN/InGaN의 이종접합구조(heterostructure)를 구현하였다. GaN/InGaN 이종접합구조는 GaN, InGaN, Mg-doped GaN 층으로 구성되어 있다. 각 층의 성장온도는 GaN층은 $820^{\circ}C$, InGaN 층은 $850^{\circ}C$, Mg-doped GaN 층은 $1050^{\circ}C$에서 성장하였다. 이때의 $NH_3$와 HCl 가스의 유량은 각각 500 sccm, 10 sccm 이었다. SAG-GaN/InGaN 이종접합구조의 상온 EL (electroluminescence) 특성은 중심파장은 462 nm, 반치폭(FWHM : full width at half maximum) 은 0.67eV 이었다. 이 결과로부터 r-plane 사파이어 기판위에 multi-sliding boat system의 혼합소스 HVPE 방법으로 이종접합구조의 성장이 가능함을 확인하였다.