• 전기학회논문지
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• 제62권3호
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• pp.424-430
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• 2013

This paper presents a new design works for the braking chopper system which is included in the propulsion system of KTX high speed train. Due to the current fed type synchronous motors used in the propulsion system, some different behaviors are shown comparing to the voltage type other chopper systems. Specially this chopper system acts either braking controlling or regenerative power controlling system with a parallel resistive load in the propulsion system. In this paper, an improved simple high power IGBT brake chopper system has proposed which is able to be replaced with an existing complicated GTO chopper system. The analytical approaches to the parallel load type current chopper system and the propper snubber circuits calculation were explained in this paper to control new chopper system. In addition, the thermal resistance of the cooling system for power dissipation of IGBT modules was calculated also. Finally several PC simulations have been done to clarify its availability.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제1권2호
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• pp.82-87
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• 1987

본 연구에서는 GTO Thyristor로 구성하고 개선한 대용량 전류형GTO Inveter를 설계하였다. 부하로서는 유도전류기를 사용하였으며, 그 동작 특성을 비교 검토한 결과 전류콘덴서를 사용하지 않으므로 전류시 Chopper 회로에 과도현상을 줄였으므로 회로에 안정성이 향상됨을 나타내었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1984년도 하계학술회의논문집
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• pp.270-271
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• 1984

• 대한전기학회논문지
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• 제43권2호
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• pp.244-250
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• 1994

This paper presents the design of a new turn-off gate drive circuit for GTO which can accomplish faster turn-off switching. The major disadvantage of the conventional turn-off gate drive technique is that it has a difficulty in realizing high negative diS1GQT/dt because of VS1RGM(maximum reverse gate voltage) and stray inductances of turn-off gate drive circuit[1~2]. The new trun-off gate drive technique can overcome this problem by adding another turn-off gate drive circuit to the conventional turn-off gate drive circuit. Simulation and experimental results of the new turn-off gate drive circuit in conjunction with chopper circuit verify a faster turn-off switching performance.

• 한국철도학회논문집
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• 제13권5호
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• pp.504-508
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• 2010

고전압 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT)의 개발로 기존의 GTO(Gate Turnoff Thyristor)가 적용되는 분야에서 더 효율적인 새로운 소자로 인정받고 있다. IGBT는 금속 산화막 반도체 트랜지스터(MOSFET)와 바이폴라 전력 트랜지스터의 장점을 결합한 소자이다. IGBT의 전기적 특성의 변화는 주로 입력단자에 MOSFET와 출력단자에 PNP 트랜지스터의 특성에 달려있다. IGBT의 가장 중요한 설계변수중의 하나인 문턱전압의 변화는 방사선이 존재하는 환경에 게이트 산화막(oxide)에서 전하포획(charge trapping)에 의해 발생되고 에너지 손실을 야기시킨다. 또한, 에너지 손실은 초퍼회로의 인덕턴스 값이 변화될 때 발생됨을 연구한다. 본 논문에서 IGBT의 전기적 특성을 SPICE로 시뮬레이션하고, IGBT 기반 인덕턴스와 문턱전압의 변화에 따른 전기적 특성을 분석하고자 한다.