Plasmon subwavelength nanostructures enable the structurally modulated color due to the resonance conditions for the specific wavelength range of light with the nanoscale hole arrays on a metal layer. While the unique properties offered from a single layer of metal may open up the potential applications of integrated devices to displays and sensors, fabrication requirements in nanoscale, typically on the order of or smaller than the wavelength of light in a corresponding medium can limit the cost-effective implementation of the plasmonic nanostructures. Simpler nanoscale replication technologies based on the soft lithography or roll-to-roll nanoimprinting can introduce economically feasible manufacturing process for these devices. Such replication requires an optimal design of a master template to produce a stamp that can be applied for a roll-to-roll nanoimprinting. In this paper, a master mold with subwavelength nanostructures is fabricated and optimized using focused ion beam for the applications to nanoimprinting process. Au thin film layer is deposited by sputtering on a glass that serves as a dielectric substrate. Focused ion beam milling (FIB, JEOL JIB-4601F) is used to fabricate surface plasmon subwavelength nanostructures made of periodic hole arrays. The light spectrum of the fabricated nanostructures is characterized by using UV-Vis-NIR spectrophotometer (Agilent, Cary 5000) and the surface morphology is measured by using atomic force microscope (AFM, Park System XE-100) and scanning electron microscope (SEM, JEOL JSM-7100F). Relationship between the parameters of the hole arrays and the corresponding spectral characteristics and their potential applications are also discussed.
Sample preparation is very important for crystal structure analysis of novel nanostructured materials in electron microscopy. Generally, a grid dispersion method has been used as transmission electron microscope (TEM) sampling method of nano-powder samples. However, it is difficult to obtain the cross-sectional information for the tabular-structured materials. In order to solve this problem, we have attempted a new sample preparation method using focused ion beam. Base on this approach, it was possible to successfully obtain the electron diffraction patterns and high-resolution TEM images of the cross-section of tabular structure. Finally, we were able to obtain three-dimensional crystallographic information of novel zeolite nano-crystal of the tabular morphology by applying the new sample preparation technique.
레이저 기반의 무바늘 액체 약물전달장치는 계속해서 개발되어왔다. 레이저 빔이 고무 챔버 내부의 액체에 모이게 된다. 초점이 맞춰진 레이저 빔은 공기방울을 생성시키고 급격히 팽창하게 된다. 밀봉된 챔버 안쪽에서의 급격한 부피변화는 액체약물을 마이크로 노즐을 통해 빠르게 밀어내어 마이크로 약물젯을 생성한다. 노즐의 출구지름은 100 ${\mu}m$ 이하이며 본 연구팀은 생성된 마이크로 약물젯의 속도가 인체의 연조직으로 침투시키기에 충분함을 확인하였다. 이 실험에서는 사람의 혈전을 모사한 무게 비 5%의 젤라틴 수용액을 냉각시킨 샘플과 돼지 지방층을 사용하여 침투실험을 수행하였다.
The changes in secondary electron emission coefficient(${\gamma}$) and work function($\Phi$$_{\omega}$) have been studied on the surface of MgO protective layer aster plasma(Ar. $O_2$) treatment using ${\gamma}$-focused ion beam (${\gamma}$-FIB) system. The values of ${\gamma}$ varied as follows: $O_2$-treated MgO > Ar-treated MgO > Non-treated MgO, and the work functions varied in the reverse order. The result indicates that both the physical etching and the chemical reaction of $O_2$-plasma removed the contaminating materials from the surface of MgO.
Inter-grain nanobridges of the $MgB_2$ superconductor have been fabricated by focused-ion-beam(FIB) and their electrical transport properties were studied. The $MgB_2$ film was prepatterned into microbridges by a standard argon ion milling technique and then FIB-patterned into 100 nm$\times$100 nm bridges. Current-voltage characteristics showed a strong flux-flow type behavior at all temperatures with a trait of Josephson coupling near $T_c$. At low temperatures, the curves showed a two-step resistance-doubled transition with occasional hysteresis. The resistance-doubling transition is believed to be due to a two-channel flux-flow effect. The temperature-dependent critical current data showed $I_c(T){\propto}(1-T/T_c)^2$ near $T_c$, same as a normal barrier junction, and $I_c(T){\propto}(1-T/T_c)^{1.2}$ at low temperatures, similar to that of a film.
Multimedia has created a system environment that needs a combination of diverse peripherals, faster I/O, and easier configuration. The sheer volume of data one can expect with multimedia hardware and applications storage systems of higher capacity and faster data transfer rate. Unlike the magneto-optical(MO)disk technology which uses bias magnetic field in writing, both the reading and the writing in the phase change (PC) technology are performed only by laser light. In PC optical media, an active layer is reversibly converted between amorphous state and crystalline state by changing irradiation conditions of focused laser beam. Thus, as compared with MO disk, the PC disk has such great advantages that signals can be reproduced by change of reflectance of laser beams in the same manner as the compact disc. The reflectivity of a phase-change spot can be altered in a single pass under the head only through modulation of laser power. The principles and the current status of phase-change optical recording media combined with possible applications are discussed in the present article.
Fm (Focused ion beam) system is one of the most important equipments for the nano-scale machining. Various researches have been performed, since it can etch the material and deposit 3-D structure with high-aspect-ratio in the nanometer scale. In spite of those researches, the definite method for the reliability of FIB system has not been reported. In this paper, we proposed the reliability assessment method through nano-pattern fabrication. In the fabricated nano-pattern, the characteristics of FIB system are included. Using this effect, we tried to assess the FIB reliability. First, we suggested reliability assessment items and nano-patterns. And, to know the suitableness of the proposed method, we fabricated several nano-patterns using Nova200(FEI Company) and SMI2050(SEIKO) which are FIB apparatuses. The fabricated nano-patterns are measured with SEM (Scanning Electron Microscope) and compared with designed dimensions. And the compared results showed that the proposed method is suitable for the assessment of FIB system reliability.
본 연구진은 레이저-물질 간의 상호작용을 응용하여 새로운 방식의 약물 전달 시스템을 개발하고 있다. 레이저 빔이 마이크로 단위 크기의 고무 챔버 속에 채워져 있는 액체 속에 집광되면 순간적인 고에너지 전달로 인해 기포가 생겨나고, 이로 인한 빠른 부피팽창으로 인해 마이크로 노즐 속의 약물 용액이 빠른 속도의 마이크로 젯의 형태로 분사되는 원리를 이용하는 것이다. 실험에서 노즐 출구의 지름은 125 ${\mu}m$, 측정된 마이크로 젯의 속도는 265 m/s였다. 이 장치의 주요한 특징은 시간에 따른 마이크로 젯의 제어가 가능하다는 것이다.
The bilayer film of Ag/a-S $e_{75.G}$$e_{25}$ and the monolayer film of a-S $e_{75.G}$$e_{25}$ act as a negative-type and a positive-type resist in focused ion beam lithography, respectively. Using a model which takes into account the ion stopping power, the ion projected range, the ion concentration implanted into resists and the ion transmission coefficient, etc., the ion resist parameters are calculated for a broad range of ion energies and implanted doses. Ion sources of A $r^{+}$, S $i^{++}$ and G $a^{+}$ are used to expose resists. As the calculated results, the energy loss per unit distance by Ga'$^{+}$ ion is about 10$^{3}$[keV/.mu.M] and nearly constant for all energy range. Especially, the projected range and struggling for 80[keV] G $a^{+}$ ion energy are 0.0425[.mu.m] and 0.020[.mu.m], , respectively and the resist thickness of a-S $e_{75}$ G $e_{25}$ to minimize the ion penetration rate into a substrate is 0.118[.mu.m].u.m]..u.m].
As an energetic focused-ion beam(FIB) is irradiated on an inorganic amorphous thin film a majority of ions without a reflection at surface, is randomly collided with constituent atoms in thin film. but their distribution exhibits generally a systematic form of distribution. In our previous paper we reported the concentration distribution and the transmission per unit depth of Ga$^{+}$ ions penetrated int a-Se$_{75}$ /Ge$_{25}$ thin film using the LSS-based calculation. In this paper these simulated results are compared with those obtained by a conventional profile code(ISC) and a practical SIMS profile. Then the results of LSS-based calculation have only a small difference with those of code and SIMS Especially. in the case of Ga$^{+}$-FIB with an accelerating energy of 15keV. the depth of the maximum ion concentration is coincident with each other in an error range of $\pm$5$\AA$.EX>.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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