미래인터넷은 효과적인 이동성 처리, 유연한 트래픽 엔지니어링 기술 및 다양한 새로운 응용 지원이 이루어져야 한다. 이에 따라 많은 트래픽 엔지니어링 기술들이 제안되고 개발되어 왔지만 이를 실제 운용 중인 상용 인터넷 망에 적용하는 것은 매우 어려운 것이 사실이다. 이 문제를 해결하기 위해 다양한 네트워킹 관련 응용을 지원하는 컨트롤러를 사용해 망의 장비를 제어할 수 있는 OpenFlow 기법이 제안되었다. 이는 소프트웨어 적으로 정의된 망으로 연구자들이 자신 만의 트래픽 엔지니어링 기법을 컨트롤러에 적용하여 그 유용성을 검증할 수 있다. 한편 고속 패킷 처리를 지원하는 OpenFlow 망의 구축을 위해 4개의 1G 인터페이스를 가지는 프로그래밍 가능한 NetFPGA 카드와 상용 Procurve 스위치 들이 사용될 수 있다. 본 논문에서는 하드웨어 가속 기능이 지원되는 NetFPGA 카드와 Procurve 스위치를 KREONET 망에 적용한 OpenFlow 테스트베드를 구축하고 가장 보편적인 QoS 라우팅 기법인 CSPF 알고리즘을 구축한 대규모 테스트베드 상에 적용하여 멀티미디어 트래픽 엔지니어링 기법의 성능 및 유효성 검증을 수행하였다.
The application of BZO (Boron-doped Zinc Oxide) films use as the TCO(Transparent Conductive Oxide) material for display and solar cell industries, where the conductivity of the BZO films plays a critical role for improvement of cell performance. Thin BZO films are deposited on glass substrates by using RF sputter system. Then charging flow rates of O2 gas from zero to 10 sccm, thereby controlling the impurity concentration of BZO. BZO deposited on soda lime glass and RF power was 300 W, frequency was 13.56 MHz, and working pressure was $5.0{\times}10-6$ Torr. The Substrate and glass between distance 200 mm. We measured resistivity, conductivity, mobility by hall measurement system. Optical properties measured by photo voltaic device analysis system. We measured surface build according to oxygen flow rate from XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) system. The profile of the energy distribution of the electrons emitted from BZO films by the Auger neutralization is measured and rescaled so that Auger self-convolution arises, revealing the detail structure of the valence band. It may be observed coefficient ${\gamma}$ of the secondary electron emission from BZO by using ${\gamma}$-FIB (Gamma-Focused Ion Beam) system. We observed the change in electrical conductivity by correlation of the valence band structure. Therefore one of the key issues in BZO films may be the valence band that detail structure dominates performance of solar cell devices. Demonstrating the secondary electron emission by the Auger neutralization of ions is useful for the determination of the characteristics of BZO films for solar cell and display developments.
Characteristics of the transport of zero-valent iron nanoparticles (nZVI) in an aquifer were investigated to evaluate an application of nZVI-based reactive zone technology. Main flow direction of groundwater was north. Preferential flow paths of the groundwater identified by natural gradient tracer test were shown northeast and northwest. The highest groundwater velocity was $4.86{\times}10^{-5}$ m/s toward northwest. When the breakthrough curves obtained from the gravity injection of nZVI were compared with the tracer curves, the transport of nZVI was retarded and retardation factors were 1.17 and 1.34 at monitoring wells located on the northeast and northwest, respectively. The ratios of the amount of nZVI delivered to the amount of tracer delivered at the two wells mentioned above were 24 and 28 times greater than that of the well on the main flow direction, respectively. Attachment efficiency based on a filtration theory was $4.08{\times}10^{-2}$ along the northwest direction that was the main migration route of nZVI. Our results, compared to attachment efficiencies obtained in other studies, demonstrate that the mobility of nZVI was higher than that of results reported in previous studies, regardless of large iron particle sizes of the current study. Based on distribution of nZVI estimated by the attachment efficiency, it was found that nZVI present within 1.05 m from injection well could remove 99% of TCE within 6 months.
무선 단말의 이동성을 지원하기 위해서는 하나의 AP (Access Point) 처리 영역에 적어도 2개 이상의 AP를 중복배치하여 통신영역을 이어야 한다. 이러한 무선랜 환경에서 무선 네트워크의 효과적인 활용과 사용자에게 지원되는 서비스의 극대화 관점에서 끊김 없는 핸드오버는 매우 중요한 논점 중의 하나이다. 한편, 최근 급속도로 부상하고 있는 네트워크 가상화는 네트워크 관리의 유연성, 세밀한 제어, 편의성 등을 혁명적으로 제고하고 있다. 네트워크 가상화는 원래 유선랜 위주의 데이터센터 내에서 스위치들 간의 통신 홉을 줄이거나 우회하는 플로우 라우팅 테이블을 실시간 제어함으로써 사용자 지연시간을 단축시키고 네트워크 견고성을 높인다. 이 연구에서는 유선랜 위주의 네트워크 가상화 플랫폼 OpenFlow를 일반 AP를 사용하는 밀집된 무선 네트워크 환경에 적용하여 디지털 콘텐츠의 스트리밍 서비스를 위한 끊김 없는 핸드오버를 실현하고 평가한다.
고농도의 암모니아성질소를 함유하는 폐수의 처리에 전기투석공정의 적용성이 실험적으로 평가되었다. 처리 성능은 전기투석공정의 운전인자 중 유입농도, 운전전압, 그리고 유속이 암모니아성질소의 제거효율에 미치는 영향으로 측정되었다. 한계전류밀도는 유입농도와 유입유속이 증가함에 따라 선형적으로 증가하였고, 유입농도에 따라 목표농도에 도달하는 시간은 직선적인 비례관계를 보였다. 상대적으로 큰 암모니아성질소의 이온당량전도도와 이온이동도로 인하여 유입유속의 증가는 제거속도를 지속적으로 증가시켰다. 또한 운전전압의 증가에 따라 제거속도는 증가하였다. 본 연구에 사용된 전기투석모듈에서 고농도의 암모니아성질소를 제거하는 운전조건으로 유입유속은 3.2 L/min, 운전전압은 한계전류밀도에 해당하는 전압의 80~90%가 추천된다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제10권6호
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pp.203-207
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2009
We have investigated the effect of ambient gases on the structural, electrical, and optical characteristics of ITO thin films intended for use as anode contacts in OLED (organic light emitting diodes) devices. These ITO thin films are deposited by radio frequency (RF) magnetron sputtering under different ambient gases (Ar, Ar+$O_2$, and Ar+$H_2$) at $300{^{\circ}C}$. In order to investigate the influences of the oxygen and hydrogen, the flow rate of oxygen and hydrogen in argon mixing gas has been changed from 0.5 sccm to 5 sccm and from 0.01 sccm to 0.25 sccm, respectively. The intensity of the (400) peak in the ITO thin films increased with increasing $O_2$, flow rate whilst the (400) peak was nearly invisible in an atmosphere of Ar+$H_2$. The electrical resistivity of the ITO thin films increased with increasing $O_2$ flow rate, whereas the electrical resistivity decreased sharply under an Ar+$H_2$ atmosphere and was nearly similar regardless of the $H_2$ flow rate. The change of electrical resistivity with changes in the ambient gas composition was mainly interpreted in terms of the charge carrier mobility rather than the charge carrier concentration. All the films showed an average transmittance of over 80% in the visible range. The OLED device was fabricated with different ITO substrates made with the configuration of ITO/$\alpha$-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al in order to elucidate the performance of the ITO substrate. Current density and luminance of OLED devices with ITO thin films deposited in Ar+$H_2$ ambient gas is the highest among all the ITO thin films.
The ability to seamlessly switch between the macro networks and femtocell networks is a key driver for femtocell network deployment. The handover procedures for the integrated femtocell/macrocell networks differ from the existing handovers. Some modifications of existing network and protocol architecture for the integration of femtocell networks with the existing macrocell networks are also essential. These modifications change the signal flow for handover procedures due to different 2-tier cell (macrocell and femtocell) environment. The handover between two networks should be performed with minimum signaling. A frequent and unnecessary handover is another problem for hierarchical femtocell/macrocell network environment that must be minimized. This work studies the details mobility management schemes for small and medium scale femtocell network deployment. To do that, firstly we present two different network architectures for small scale and medium scale WCDMA femtocell deployment. The details handover call flow for these two network architectures and CAC scheme to minimize the unnecessary handovers are proposed for the integrated femtocell/macrocell networks. The numerical analysis for the proposed M/M/N/N queuing scheme and the simulation results of the proposed CAC scheme demonstrate the handover call control performances for femtocell environment.
Sb doped SnO2(ATO: Antinomy doped Tin Oxide) thin films were prepared by a DC magnetron spttuering method using an oxide target and the electrical characteristics of ATO films were investigated. The experimen-tal conditions are as follows :Ar flow rate ; 0~100 sccm deposition tempera-ture ; 250~40$0^{\circ}C$ DC sputter powder ; 150~550W and sputteing pressure ; 2~7 mTorr, The thickness of depositied ATO films were 600$\AA$~1100 $\AA$ ranges. The resistivity of ATO films was decreased due to the increase of the crystallinity of ATO films with deposition temperature. The decrease of carrier concentration of films with the increase of oxygen flow rate and working pressure is responsible for the increase of resistivity. Increasing of sputtering power raised the resistivity of films by decreasing the carrier mobility.
Diff-Serv는 개별적으로 구분된 다른 트래픽에 대해서 다른 종류의 네트워크 서비스를 제공하기 위한 메카니즘이며 이용자들에게 양질의 서비스를 제공하기 위한 방법을 제시하고 있다. DS는 토큰 버켓 방법을 사용하여 고정된 호스트들에게 제공되기 때문에 이동성을 가지는 서비스나 개별적인 트래픽에 대한 차등적인 서비스를 제공할 방안이 존재하지 않는다. 본 논문에서는 트래픽컨테이너(TC)를 위해서 WFQ 방법과 변방 노드들과 경계 라우터들 내부에서 제어가 가능한 AggF(Aggregate Flow)를 모니터링하여 스케쥴링하는 방법을 제시한다. 이 방법은 트래픽 비율(traffic rate)을 유동적으로 제어가 가능하며 대역폭의 효율적인 이용성을 제공하고 있다.
The electrochromic characteristics of tungsten oxide films are largely affected by deposition conditions, such as substrate temperature and gas flow rate and also post-annealing. We have considered gas flow rate and temperature as important factors having an effect on an electrical, optical phenomenon and structural variation of $WO_3$ . The tungsten oxide films were deposited onto ITO(20$\Omega\box$, 1000$\AA$) using rf magnetron sputtering method. In particular, the films deposited at room temperature were annealed at various temperatures in air. All specimens had crystal structure except one being deposited at room temperature with nearly amorphous-like structure. The specimen deposited at $100^{\circ}C$ had a structure in which the increase in deposition temperature. The specimen deposited at $100^{\circ}C$ had a structure in which the cations$(Li^+)$ are easily movable because of void boundaries induced by regularly arrayed large grains. The specimen deposited at $300^{\circ}C$ had a dense structure with small grains but it exhibited the large mobility and charge density in $WO_3$ because of distinct grain boundaries.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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