The need for drop simulations for board-leveled flip chips in micro-system packaging has been increasing. There have been many studies on flip chips with various solder ball compositions. However, studies on flip chips with Sn-1.0Ag-0.5Cu and Sn-3.0Ag-0.5Cu have rarely been attempted because of the unknown material properties. According to recent studies, drop simulations with these solder ball compositions have proven feasible. In this study, predictions of the impact lifetime by drop simulations are performed considering Cu and Cu/Ni UBMs using LS-DYNA to alter the design parameters of the flip chips, such as thickness of the flip chip and size of the solder ball. It was found that a smaller chip thickness, larger solder ball diameter, and using the Cu/Ni UBM can improve the drop lifetime of solder balls.
Drop simulations of the board level in the flip chips with solder joints have been highlighted for years, recently. Also, through the study on the life prediction of thermal fatigue in the flip chips considering underfill, its importance has been issued greatly. In this paper, dynamic analysis using the implicit method in the Finite Element Analysis (FEA) is carried out to assess the factors effecting on flip chips considering underfill. The design parameters are size and thickness of chip, and size, pitch and array of solder ball with composition of Sn1.0Ag0.5Cu. The board systems by JEDEC standard is modeled with various design parameter combinations, and through these simulations, maximum yield stress and strain at each chip are shown at the solder balls. Modal analysis is simulated to find out the relation between drop impact and vibration of the board system.
Recently, mechanical reliabilities including a drop test have been a hot issue. In this paper, solder balls with new components which are Sn-3.0Ag-0.5Cu and Sn-1.0Ag-0.5Cu-0.05N are introduced, and board level drop test for them are conducted under JEDEC standard in which the board with 15 flip chips is dropped as 1,500g acceleration during 0.5ms. The drop simulations are studied by using a implicit method in the ANSYS LS-DYNA, and modal analysis is made. Through both analyses, the solder balls with new components are evaluated under the drop. It is found that the maximum stress of each chip is occurred between the solder ball and the PCB, and the highest value among the maximum stresses in the chips is occurred on the chip nearest to fixed holes on the board in the drop tests and simulations.
In general, circuit board assemblies experience various mechanical loadings during assembly and in actual use. The repeated cyclic bending can cause electrical failures due to circuit board cracks, solder interconnects cracks, and the component cracks. In this paper, we report on the failure characteristics of semiconductor chips under the repeated cyclic bending. We first describe a new 4-point bending tester, which is developed according to JEDEC standard No. 22B113. The performance of the tester is then estimated through actual experiments. Test results reveal that the cracks first occur on the outer balls around 20,000 cycles and gradually propagate to the inner balls where cracks are found around 70,000 cycles.
Drop impact reliability assessment of solder joints on the flip chip is one of the critical issues for micro system packaging. Our previous researches have been showing that new solder ball compositions of Sn-3.0Ag-0.5Cu has better mechanical reliability than Sn-1.0Ag-0.5Cu. In this paper, dynamic reliability analysis using Finite Element Analysis (FEA) is carried out to assess the factors affecting flip chip in drop simulation. The design parameters are size and thickness of chip, and size, pitch and array of solder ball with composition of Sn1.0Ag0.5Cu. The board systems by JEDEC standard including 15 chips, solder balls and PCB are modeled with various design parameter combinations, and through these simulations, maximum yield stress and strain at each chip are shown at the solder balls. It is found that larger chip size, smaller chip array, smaller ball diameter, larger pitch, and larger chip thickness have bad effect on maximum yield stress and strain at solder ball of each chip.
Bare-chip packaging becomes more popular along with the miniaturization of IT components. In this paper, we have studied flip-chip process, and developed automated bonding system. Among the several bonding method, NCP bonding is chosen and batch-type equipment is manufactured. The dual optics and vision system aligns the chip with the substrate. The bonding head equipped with temperature and force controllers bonds the chip. The system can be easily modified for other bonding methods such as ACF In bonding process, the bonding forte and temperature are known as the most dominant bonding parameters. A parametric study is performed for these two parameters. For the test sample, we used standard flip-chip test kit which consists of FR4 boards and dummy flip-chips. The bonding test was performed fur two types of flip-chips with different chip size and lead pitch. The bonding temperatures are chosen between $25^{\circ}C\;to\;300^{\circ}C$. The bonding forces are chosen between 5N and 300N. The bonding strength is checked using bonding force tester. After the bonding force test, the samples are examined by microscope to determine the failure mode. The relations between the bonding strength and the bonding parameters are analyzed and compared with bonding models. Finally, the most suitable bonding condition is suggested in terms of temperature and force.
UBM (Under Bump Metallurgy) of flip chip assemblies consists of several layers such as the solder wetting, the diffusion barrier, and the adhesion layers. In addition, IMC layers are formed between the solder wetting layers (e.g. Cu, Ni) and the solder. The primary failure mechanism of the solder joints in flip chips is widely known as the fatigue failure caused by thermal fatigues or electromigration damages. Sometimes, the premature brittle failure occurs in the IMC layers. However, these phenomena have thus far been viewed from only experimental investigations. In this sense, this paper presents a method for solid modeling of IMC layers in flip chip assemblies, thus providing a pre-processing tool for finite element analysis to simulate the IMC failure mechanism. The proposed modeling method is CSG-based and can also be applied to the modeling of UBM structure in flip chip assemblies. This is done by performing Boolean operations according to the actual sequences of fabrication processes
통신분야에서 사용주파수대역의 증가, 제품의 소형화 및 가격경쟁력등의 요구에 따라 RF 소자의 패키징 기술도 플라스틱 패키지 대신에 flip chip interconnection, MCM(multichip module)등과 같은 고밀도 실장기술이 발전해가고 있다. 따라서, 본 논문은 최근 수년간 보고된 응용사례를 중심으로 RF flip chip의 기술적인 개발방향과 장점들을 분석하였고, RF 소자 및 시스템의 개발단계에 따른 적합한 적용기술을 제시하였다. RF flip chip의 기술동향을 요약하면, 1) RF chip배선은 microstrip 대신에 CPW 구조을 선택하며, 2) wafer back-side grinding을 하지 않아서 제조공정이 단순하고 wafer 파손이 적어 제조비용을 낮출 수 있고, 3) wire bonding 패키징에 비해 전기적인 특성이 우수하고 고집적의 송수신 모듈개발에 적합하다는 것이다. 그러나, CPW 배선구조의 RF flip chip 특성에 대한 충분한 연구가 필요하며 RF flip chip의 초기 개발 단계에서 flip chip interconnection 방법으로는 Au stud bump bonding이 적합할 것으로 제안한다.
Recently much research are has been done into the compositions of lead-free solders. As a result, there has been a rapid increase in the number of new compositions. In the past, the properties of these new compositions were determined and verified through drop-impact tests. However, these drop tests were expensive and it took a long time to obtain a result. The main goal of this study was to establish an analytical method capable of predicting the impact life-time of a new solder composition for board-level flip chips though the application of drop simulations using LS-DYNA. Based on the reaction load obtain with LS-DYNA, the drop-impact fracture cycles were predicted. The study was performed using a Sn-3.0Ag-0.5Cu solder (305 composition). To verify the reliability of the proposed analytical method, the results of the drop-impact tests and life-time analysis were compared, and were found to be in good agreement. Thus, the new analytical method was shown to be very useful and effective.
In this paper the maximum current carrying capability of ACAs flip chip joint is investigated based on two failure mechanisms: (1) degradation of the interface between gold stud bumps and aluminum pads; and (2) ACA swelling between chips and substrates under high current stress. For the determination of the maximum allowable current, bias stressing was applied to ACAs flip chip joint. The current level at which current carrying capability is saturated is defined as the maximum allowable current. The degradation mechanism under high current stress was studied by in-situ monitoring of gold stud bump-aluminum pad ACA contact resistance and also ACA junction temperature at various current level. The cumulative failure distributions were used to predict the lifetime of ACAs flip chip joint under high current stressing. These experimental results can be used to better understand and to improve the current carrying capability of ACA flip chip joint.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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