A functional polyethylene terephthalate substrate to increase light extraction efficiency of organic light-emitting diodes is studied. We formed nano-structured PET surfaces by controlling the power, gas, and exposure time of the linear ion-beam. The haze of the polyethylene terephthalate can be controlled from 0.2% to 76.0% by changing the peak-to-valley roughness of nano structure by adjusting the exposure cycle. The treated polyethylene terephthalate shows average haze of 76.0%, average total transmittance of 86.6%. The functional PET increases the current efficiency of organic light-emitting diodes by 47% compared to that of organic light-emitting diode on bare polyethylene terephthalate. In addition to polyethylene terephthalate with light extraction performance, by conducting additional research on the development of functional PET with anti-reflection and barrier performance, it will be possible to develop flexible substrates suitable for organic light-emitting diodes lighting and transparent flexible displays.
We propose a two-step UV irradiation procedure to fabricate polymer-dispersed liquid crystal (PDLC) films by lamination. During the first UV treatment, before lamination, the UV-curable monomers coated on one film substrate are solidified through photo-polymerization as the phase separation between the liquid crystals and the monomers. Introducing an adhesion-enhancement layer on the other plastic substrate and controlling the UV irradiation conditions ensure that UV-induced cross-linkable functional groups remain on the surfaces of the photo-polymerized layers. Thereby, the adhesion stability between the top and bottom films is much improved during a second (post-lamination) UV treatment by further UV-induced cross-linking at the interface. Because the adhesion-enhancement and PDLC layers prepared by the bar-coating process are solidified before lamination, the PDLC droplet distribution and the cell gap between the two plastic substrates remain uniform under the lamination pressure. This ensures that the voltage-controlled light transmittance is uniform across the entire sample.
정보화의 심화 및 대중화에 따라서 다양한 정보를 시각화하여 인간에게 전달하는 디스플레이로서 장소, 시간에 구애됨이 없으면서 초경량, 저전력의 얇고, 종이처럼 가볍고 유연한 플렉시블 디스플레이가 최근 학문적, 산업적으로 많은 주목을 받고 있다. 플렉시블 디스플레이를 구현하기 위해서는 플렉시블 기판(박형 유리, 메탈호일, 플라스틱), 저온 공정용 유기, 무기 소재, 플렉시블 일렉트로닉스, 봉지 그리고 패키징 기술 등이 복합적으로 필요하다. 이중에서 플렉시블 기판은 플렉시블 디스플레이의 성능, 신뢰성, 가격을 결정하는 가장 중요한 부품으로 인식되고 있다. 플렉시블 기판 중에서는 플라스틱 기판이 가공의 용이성, 저 중량(유리의 1/2), 연속 공정의 적합성 등으로 인해서 광범위하게 적용이 검토되고 있다. 본 고에서는 디스플레이용 플라스틱 기판의 최근 산업적, 기술적 동향에 관해서 설명한다.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.627-628
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2008
We have studied the optical performance of flexible polymer network liquid crystal (PNLC) films at various bending states. Different measurement setups, wide and narrow opening angles of detector, were used to collect scatting light of PNLC films. The optical and dynamic properties of bent PNLC implied the change of LC domains.
Since a pattern defects "repair" system using a diode pumped solid state laser for Flat Panel Display (FPD) was suggested, a lot of laser systems have been explored and developed for mass-production microfabrication process. A maskless lithography system using 405 nm violet laser and Digital Micromirror Device (DMD) has been developed for PDP and Liquid Crystal Display (LCD) Thin Film Transistor (TFT) photolithography process. In addition, a "Laser Direct Patterning" system for Indium Tin Oxide (ITO) for Plasma Display Panel(PDP) has been evaluated one of the best successful examples for laser application system which is applied for mass-production lines. The "heat" and "solvent" free laser microfabrications process will be widely used because the next-generation flat panel displays, Flexible Display and Organic Light Emitting Diode (OLED) should use plastic substrates and organic materials which are very difficult to process using traditional fabrication methods.
플렉시블 기판은 플렉시블 디스플레이의 공정성, 성능, 신뢰성, 가격을 결정하는 가장 중요한 부품으로서 산업적인 주목을 받고 있다. 플렉시블 기판 중에서는 플라스틱이 가공의 용이성, 저중량, 연속공정의 적합성으로 인해 적용이 광범위하게 검토되고 있지만, 광학용 기판으로서는 많은 소재적/공정적 문제점을 안고 있다. 이를 해결하기 위해 플라스틱 기판의 특성(주로 열적 안정성)을 향상시키거나, 플라스틱 기판에 적합한 저온 형성용 유/무기 소재 및 공정을 개발하는 연구가 많이 진행되고 있으나, 수요 업체의 요구수준에는 미치지 못하고 있다. 본 자료에서는 디스플레이용 기판으로서 플라스틱의 문제점을 살펴보고 이를 개선하기 위한 최근의 소재 및 수요 업체의 동향을 알아 본다.
본 연구에서는 Si 타겟과 반응성 마그네트론 스퍼터링법을 적용하여 $SiO_xN_y$ 박막을 PET 필름상에 증착하였다. PET 필름상에 밀착력 증진 및 기판 표면 거칠기 제어를 위해 이온빔을 이용한 플라즈마 전처리를 수행하였다. 플라즈마 전처리 조건과 질소 가스 유량비에 따른 $SiO_xN_y$ 박막의 광학적 특성과 수분의 투습성에 대한 영향을 관찰하였다. 광학적 투과율은 전처리 및 조성비에 관계없이 95% 이상의 높은 광투과율을 보여주었다. 수분에 대한 투습 특성은 플라즈마 전처리 조건에 따라 다소 향상됨을 확인하였고, 질소 유량비가 증가함에 따라 투습 특성이 향상되었다.
Organic thin film transitors(TFTs) are of interest for use in broad area electronic applications. For example, in active matrix liquid crystal displays(AMLCDs), organic TFTs would allow the use of inexpensive, light-weight, flexible, and mechanically rugged plastic substrates as an alternative to the glass substrates needed for commonly used hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H). Recently pentacene TFTs with carrier field effect, mobility as large as 2 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ have been reported for TFTs fabricated on silicon substrates, and it is higher than that of a-Si:H. But these TFTs are fabricated on silicon wafer and $SiO_2$ was used as a gate insulator. $SiO_2$ deposition process requires a high insulator which is polyimide and photo acryl. We investigated trasfer and output characteristics of the thin film transistors having active layer of pentacene. We calculated field effect mobility and on/off ratio from transfer characteristics of pentacene thin film transistor, and measured IR absorption spectrum of polymide used as the gate dielectric layer. It was found that using the photo acryl as a gate insulator, threshold voltage decreased from -12.5 V to -7 V, field effect mobility increased from 0.012 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ to 0.039 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ , and on/off current ratio increased from $10^5\;to\;10^6$. It seems that TFTs using photo acryl gate insulator is apt to form channel than TFTs using polyimide gate insulator.
태양전지와 같은 광전소자의 특성 및 신뢰성 유지하기 위해서는 수분과 산소 등으로 부터 소자 내부가 보호되어야 한다. 본 연구는 여러 연성(flexible) 플라스틱 기판위에 유 무기 복합 보호막을 스프레이코팅 방법으로 형성하여 공정조건(노즐 위치, 박막 두께, 기판 구성)에 따른 소자의 보호특성을 연구하였다. 사용된 복합 보호막 재료로서 PVA (polyvinyl alcohol)와 SA(sodium alginate) 혼합 유기 물질(P.S)에 $Al_2O_3$($P.S+Al_2O_3$)과 $SiO_2$($P.S+SiO_2$) 나노 분말을 혼합하여 유 무기 복합 보호막 용액을 합성하였다. 플라스틱 기판 위에 코팅한 보호막의 두께가 $5{\mu}m$에서 91%의 투과율을 나타내었으며 $78{\mu}m$에서 $178{\mu}m$로 두께가 증가할 경우 광 투과율은 81.6%에서 73.6%으로 감소하였다. 또한 합성한 $P.S+Al_2O_3$ 복합재료를 사용하여 PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate) 단일 플라스틱 기판과 Acrylate film과 PC 이중막(Acrylate film/PC double layer) 구조와 $Al_2O_3$ 무기박막과 PEN 이중막($Al_2O_3$ film/PEN double layer) 구조의 기판 위에 $P.S+Al_2O_3$ 용액을 사용하여 수분투과도(water vapor transmission rate, WVTR)와 표면형상 등을 측정하여 최적의 보호막 구조를 확인하였다. 즉, $Al_2O_3$ film/PEN 이중막 기판위에 형성한 보호막의 수분투과 값은 $0.004gm/m^2-day$로 가장 우수한 내 투습 특성을 나타내었다.
Recently, there has been increasing interest in amorphous oxide semiconductors to find alternative materials for an amorphous silicon or organic semiconductor layer as a channel in thin film transistors(TFTs) for transparent electronic devices owing to their high mobility and low photo-sensitivity. The fabriction of amorphous oxide-based TFTs at room temperature on plastic substrates is a key technology to realize transparent flexible electronics. Amorphous oxides allows for controllable conductivity, which permits it to be used both as a transparent semiconductor or conductor, and so to be used both as active and source/drain layers in TFTs. One of the materials that is being responsible for this revolution in the electronics is indium-zinc-tin oxide(IZTO). Since this is relatively new material, it is important to study the properties of room-temperature deposited IZTO thin films and exploration in a possible integration of the material in flexible TFT devices. In this research, we deposited IZTO thin films on polyethylene naphthalate substrate at room temperature by using magnetron sputtering system and investigated their properties. Furthermore, we revealed the fabrication and characteristics of top-gate-type transparent TFTs with IZTO layers, seen in Fig. 1. The experimental results show that by varying the oxygen flow rate during deposition, it can be prepared the IZTO thin films of two-types; One a conductive film that exhibits a resistivity of $2\times10^{-4}$ ohm${\cdot}$cm; the other, semiconductor film with a resistivity of 9 ohm${\cdot}$cm. The TFT devices with IZTO layers are optically transparent in visible region and operate in enhancement mode. The threshold voltage, field effect mobility, on-off current ratio, and sub-threshold slope of the TFT are -0.5 V, $7.2\;cm^2/Vs$, $\sim10^7$ and 0.2 V/decade, respectively. These results will contribute to applications of select TFT to transparent flexible electronics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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