• Current Photovoltaic Research
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• 제1권2호
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• pp.103-108
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• 2013

Epitaxial growth of a high-quality thin Si film is essential for the application to low-cost thin-film Si solar cells. A polycrystalline Si film was grown on a $SiO_2$ substrate at $450^{\circ}C$ by a Al-assisted crystal growth process. For the purpose, a thin Al layer was deposited on the $SiO_2$ substrate for Al-assisted crystal growth. However, the epitaxial growth of Si film resulted in a rough surface with humps. Then, we introduced a thin amorphous Si seed layer on the Al film to minimize the initial roughness of Si film. With the help of the Si seed layer, the surface of the epitaxial Si film was smooth and the crystallinity of the Si film was much improved. The grain size of the $1.5-{\mu}m$-thick Si film was as large as 1 mm. The Al content in the Si film was 3.7% and the hole concentration was estimated to be $3{\times}10^{17}/cm^3$, which was one order of magnitude higher than desirable value for Si base layer. The results suggest that Al-doped Si layer could be use as a seed layer for additional epitaxial growth of intrinsic or boron-doped Si layer because the Al-doped Si layer has large grains.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권6호
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• pp.2059-2062
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• 2012

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1600-1602
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• 2007

TPS (Temperature Programmed Sublimation) technology is known to research for the plane evaporation of the organic film.[5] Using TPS technology, the plane source evaporation of NPB organic film has been studied for the first time. The NPB organic film consists of nano scale film phase and bulk phase on a substrate. The 400 ${\AA}$ in film phase thickness of NPB sublimates at the $175^{\circ}$ of the Ta made metal plate. It was proved that the sublimation temperature of the organic film has much lower than that of the organic powder. ($130^{\circ}$ is lower for Alq3 and $90^{\circ}$ is lower for NPB.)

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.228-228
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• 2008

본 논문에서는 epoxy bonding film의 phenoxy resin의 함량변화에 따른 특성 변화에 대하여 연구하였다. epoxy bonding film은 미세패턴 구현을 위해서 사용되는 기판재료로써 epoxy, hardener, silica, phenoxy resin 등이 첨가되어진다. phenoxy resin 함량을 변화를 주면서 tape casting 방법을 통해서 flim 형성을 한 후, 제작된 film의 phenoxy resin 함량변화에 따른 조도 특성의 연구를 위해서 sweller, desmear 공정을 후 RA(Roughness Average)를 측정하고, SEM으로 표면을 관찰하였다. 또한 제작된 bonding film을 가열 가압 후 구리 도금공정을 거쳐 peel strength를 측정하였다. phenoxy resin 함량이 증가 할수록 RA가 증가되어지는 것이 관찰되어졌고, 또 한 peel strength 증가하였다.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제14권4호
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• pp.321-325
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• 2010

We analyze the current density - voltage (J - V) curve of a Cu(In,Ga)$Se_2$ (CIGS) thin-film solar cell measured at different irradiation power densities. For the solar-cell sample investigated in this study, the fill factor and power conversion efficiency decreased as the irradiation power density (IPD) increased in the range of 2 to 5 sun. Characteristic parameters of solar cell including the series resistance ($r_s$), the shunt resistance ($r_{sh}$), the photocurrent density ($J_L$), the saturation current density ($J_s$) of an ideal diode, and the coefficient ($C_s$) of the diode current due to electron-hole recombination via ionized traps at the p-n interface are determined from a theoretical fit to the experimental data of the J - V curve using a two-diode model. As IPD increased, both $r_s$ and $r_{sh}$ decreased, but $C_s$ increased.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.144.2-144.2
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• 2013

With the synthesis of graphene sheets as large-scale and high quality, it is essentially important to develop suitable graphene patterning process for future industrial applications. Especially, transfer or patterning method of CVD-grown graphene has been studied. We report simple soft lithographic process to develop easily applicable patterning method of large-scale graphene sheets by using chemically functionalized polymer stamp. Also important applications, the prototype capacitors with graphene electrode and commercial polymer dielectrics for the electrostatic-type touch panel are fabricated using the developed soft lithographic patterning and transfer process.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권2호
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• pp.45-49
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• 1999

이온빔 보조 증착법을 이용하여 제작한 $SnO_2$박막을 기저 물질로한 가연성 센서에 catalyst로 ultra-thin Pd layer를 이온빔 스퍼터링으로 흡착시켰다. 가연성 기체의 센싱 메카니즘에서 Pd 촉매의 역할을 정확하게 조사하기 위해서 진공 및 공기 상에서 annealing 함으로서 Pd 촉매의 초기 산화 상태를 조절하였다. 촉매가 순수한 금속 Pd 클러스터 상태로 존재하는 $SnO_2$센서의 경우에는 PdO 클러스터가 있는 것에 비해 높은 감응성을 보였다. 이것은 PdO 클러스터가 표면 acceptor로 작용을 하는 것으로 생각되며 $SnO_2$로 부터 Pd sub-channel을 통해 전자를 받아 센서의 감도를 낮추고 응답시간을 늦추는 것으로 생각된다.

• 한국자기학회지
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• 제21권5호
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• pp.185-192
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• 2011

박막제조 기술은 과학 기술의 기초가 되는 분야로 양질의 박막을 제조하기 위한 다양한 노력이 경주되고 있다. 박막제조는 표면개질과 함께 표면처리 기술의 한 분야이며 이중 진공증착으로 알려진 물리증착법과 화학증착법은 현대의 과학기술 연구는 물론 산업적으로 폭넓게 이용되는 박막제조 기술 중의 하나이다. 진공증착을 이용한 박막제조 기술은 나노 기술의 등장과 함께 비약적인 발전을 이루었으며 자연모사와 완전화 박막의 제조, 융복합 공정을 이용한 기능성 코팅과 Engineered Structure 구현 그리고 초고속 증착과 원가 저감 기술의 실현이 주요 이슈로 등장하고 있다. 본 논문에서는 물리증착법과 화학증착법을 중심으로 박막제조 기술의 종류와 원리를 설명하고 박막제조 기술의 최신 동향과 기술적 이슈 및 향후 전망에 대해 기술한다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
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• pp.251-251
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• 2007

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2001년도 제21회 학술발표회 초록집
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• pp.67-67
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• 2001