본 연구에서는 티타늄(Ti) 금속 박막을 사용해서 값비싼 산화주석(FTO) 전극을 대체된 염료감응형 태양전지(DSSC)의 제작 방법과 전기적 특성에 대해서 고찰하였다. Ti 박막의 증착 시간을 조절하여 박막의 두께를 변화시켰으며, Ti 박막의 두께가 두꺼워지면서 표면저항은 감소하였다. 대략 190nm 두께에서 FTO 박막의 표면저항과 비슷해짐을 알 수 있었으며, 250nm 두께에서 DSSC의 에너지 변환효율 4.24%로 가장 높았다. 더 나아가 DSSC 모듈을 제작해 평가함으로써 상용화의 가능성을 확인하였다.
In this study, the laminating of TPU film after coating of primer adhesive on the fabrics was applied in order to secure the strength to withstand a fall from a higher altitude by increasing the adhesion between the fabric and the film layer. It seems that the fineness of the yarn and the weave construction have a greater effect than the type of the laminating films. The order of superiority of the laminated fabrics by film type and thickness was the same for 1000 denier and 210 denier fabrics, and the tendency was consistent with the order of superiority in the film properties and peel strength tests. The tear strength of laminating fabrics increased three to four times for 1000 denier fabrics compared to the fabric alone, but it decreased by 2 times for the 210 denier fabrics. Summarizing the above results, it is most appropriate to combine 1000d fabric with three types of laminating films(100~200㎛ thickness) of A(0.2T) or B(0.15T) or D(0.1T) considering the air pressure resistance, the impact resistance during the fall, and the durability against damage during use.
Materials with a combination of high electrical conductivity and optical transparency are important components of many electronic and optoelectronic devices such as liquid crystal displays, solar cells, and light emitting diodes. In this study, to fabricate a low-resistance and high optical transparent electrode film for organic photovoltaic, the following steps were performed: the design and manufacture of an electroforming stamp mold, the fabrication of thermal roll imprinted (TRI) poly-carbonate (PC) patterned films, the manufacture of high-conductivity and low-resistance Ag paste which was filled into patterned PC film using a doctor blade process and then coated with a thin film layer of conductive polymer by a spin coating process. As a result of these imprinting processes the PC films obtained a line width of $10{\pm}0.5{\mu}m$, a channel length of $500{\pm}2{\mu}m$, and a pattern depth of $7.34{\pm}0.5{\mu}m$. After the Ag paste was used to fill part of the patterned film with conductive polymer coating, the following parameters were obtained: a sheet resistance of $9.65{\Omega}$/sq, optical transparency values were 83.69 % at a wavelength of 550 nm.
Pt, Pd, In 등의 촉매금속을 사용하여 아세토나이트릴 유독가스에 대한 감도를 향상시키는 SnO2 가스센스에 대하여 연구하였다. Metal-SnO2 후막은 백금전극이 내장된 알루미나 지지체의 스크린법으로 제작되었다. 본 센서의 특성은 검출가스의 농도의 함수로 반응기내 각센서의 전기적 저항을 측정하여 조사하였으며, 10-50ppm 범위의 유독가스 농도에 대하여 검지 측정하였다. 그 결과 촉매금속의 종류에 따라 센서에서 반응하는 감도가 각각 다르게 선택성을 갖고 있는 것으로 나타났다.
Ceria(CeO2) stabilized zirconia(CeSZ) sol was synthesized with zirconium n-butoxide Zr(OC4H9)4 and cerium nitrate hexahydrate Ce(NO3)3.6H2O as precursors and ethylacetoacetate(EAcAc) as a chelating agent under atmosphere. CeSZ films were deposited on AISI 304 stainless steel using the prepared polymeric sol by dipcoating and the coating characteristics were investigated by XRD, ellipsometry, scratch test and SEM. The CeSZ film began to crystallize from amorphous to tetragonal phase at 40$0^{\circ}C$ and it was not converted into monoclinic phase up to 100$0^{\circ}C$ by the addition of 16mol% CeO2 as a stabilizer which could suppress phase transformation of zirconia. The CeSZ films were prepared by varying the EAcAc contents and the cncentration of CeSZ sol and measured the thickness and refractive index. From these results, it was found that the EAcAc contents and concentration of CeSZ coating sol evidently affect the densification of CeSZ film. The CeSZ film coated with 0.4M CeSZ sol and heat-treated at $600^{\circ}C$ for 10min had thickness of 50nm and 17% porosity. The CeSZ film on 304 stainless steel effectively acted as a protective layer against oxidation up to 80$0^{\circ}C$ and had superior corrosion resistance in 25% H2SO4 solution for 4.5 hrs.
최근에 3 ㎓이상의 고주파용 전자부품과 소자의 제조에 낮은 저항온도계수(TCR)값과 높은 정밀도를 갖는 박막저항이 사용되고 있다. Ni-Cr 박막저항은 낮은 TCR 값과 저항에 대한 높은 안정성 때문에 저항 물질로 사용되는 가장 일반적인 물질이다. 본 연구에서는 $Ni_{72}Cr_Al_3Mn_4Si$(wt%)이 첨가된 우수한 저항특성을 갖는 S-type의 Evanohm 합금 타겟과 스퍼터링 장비를 이용하여 박막 저항을 제조하였다. 또한 열처리 조건을 $200^{\circ}C$, 300$300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $500^{\circ}C$로 변화시키면서 고주파 박막 저항의 미세구조와 전기적 특성을 관찰하여 최상의 열처리 조건을 알아보았다.
최근에 3 GHz이상의 고주파용 전자부품과 소자의 제조에 낮은 TCR 값과 높은 정밀도를 갖는 박막저항이 사용되고 있다. Ni-Cr 박막저항은 낮은 TCR 값과 저항에 대한 높은 안정성 때문에 저항 물질로 사용되는 가장 일반적인 물질이다. 본 연구에서는 $Ni_{72}Cr_{20}Al_3Mn_4Si(wt\%)$ 첨가된 우수한 저항특성을 갖는 s-type의 Evanohm 합금 타겟과 스퍼터링 장비를 이용하여 박막 저항을 제조하였다. 또한 열처리 조건을 $200^{\circ}C,\;300^{\circ}C,\;400^{\circ}C,\;500^{\circ}C$로 변화시키면서 고주파 박막저항의 미세구조와 전기적 특성을 관찰하여 최상의 열처리 조건을 알아보았다.
This paper aims to focus on the microwave processing of thick films which is a fast, cheap technique and could be the alternative to the currently used conventional high temperature processing technique. Microwave processing has gained worldwide acceptance as a novel method for heating and sintering a variety of materials, as it offers specific advantages in terms of speed, energy efficiency, process simplicity, finer microstructures and lower environmental hazards. Silver conducting thick films were prepared and processed in the household microwave oven. The films sintered at different time period by keeping the other parameter such as microwave power, film thickness etc constant. The microstructure analysis revealed that the surface morphology of the microwave processed films become compact with respect to the processing time. The sheet resistance for microwave sintered silver films is in the range of 0.003 to $1.207{\Omega}/{\Box}$ where as the films fired at 750 and $850^{\circ}C$ showed the resistance of 0.009 and $0.003{\Omega}/{\Box}$ which can be comparable. The results revealed that the microstructure of the microwave sintered films has more uniform and compact surface than that of the conventionally fired films. The paper reports upon the preparation of silver thick film by screen printing technique and processing the same by microwave which also compared with the conventionally processed thick films.
The effect of the structure of an ITO nanoparticle film sensor on its performance was studied. A printed ITO film (P-ITO film) was fabricated on a flexible polyethylene terephthalate (PET) substrate, and the contact resistance of the electrode and sensor response change were clarified according to the detection position. The contact resistance between Ag and P-ITO was observed to be -204.4 Ω using the transmission line method (TLM), confirming that a very good ohmic contact is possible. In addition, we confirmed that the contact position of the analyte had a significant influence on the response of the sensor. Based on these results, the performance of the four types of sensors was compared. Consequently, we observed that 1) optimizing the resistance of the printed film, 2) optimizing the electrode structure and analyte input position, and 3) optimizing the electrode area are very important for fabricating a metal oxide nanoparticle (MONP) sensor with optimal performance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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