Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제16권3호
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pp.107-111
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2015
Our work is based on the development of a numerical model to develop a methodology for predicting the aging and breakdown in insulation due to the dynamics of space charge packets. The model of bipolar charge transports is proposed to simulate space charge dynamic for high DC voltage in law-density polyethylene (LDPE), taking into account the trapping and detrapping of recombination phenomena, this model has been developed and experimentally validation. Theoretical formulation of the physical problem is based on the Poisson, the continuity and the transport equations as well as on the appropriate models for injection. Numerical results provide temporal and local distributions of the electric field, the space charge density for the different kinds of charges, conduction and displacement current densities, and the external current.
We have fabricated twisted nematic (TN) cell doped by carbon nanotubes (CNTs). The CNTs with a minute amount of doping do not perturb the liquid crystal orientation in the off- and on-state. The hysteresis studies of voltage-dependent transmittance and capacitance under ac and dc electric field show that the amount of residual dc, which is related to image sticking problem in liquid crystal displays, is greatly reduced due to ion trapping by CNTs.
The threshold voltage shift in thin-film transistors (TFTs) is modeled using stretched-exponential (SE) and stretched-hyperbola (SH) functions. These models are derived by introducing empirical parameters into reaction rate equations that describe defect generation or charge trapping caused by hydrogen diffusion in the dielectric or interface. Separately, the dielectric relaxation phenomena are also described by the same reaction rate equations based on defect diffusion. Dielectric relaxation was initially modeled using the SE model, and various models have been proposed using fractional calculus. In this study, the characteristics of the threshold voltage shift and the dielectric relaxation phenomena are compared and analyzed to explore the applicability of analytical models used in the field of dielectric relaxation, in addition to the conventional SE and SH models.
Journal of Cerebrovascular and Endovascular Neurosurgery
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제25권1호
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pp.69-74
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2023
Subarachnoid hemorrhage (SAH) due to ruptured posterior cerebral artery (PCA) intracranial arterial dolichoectasia (IADE) is very rare. As these lesions are difficult to treat microsurgically, neurointervention is preferred because the dolichoectatic artery does not have a clear neck, and the surgical field of view was deep seated with the SAH. However, in some cases, neurointervention is difficult due to anatomical variation of the blood vessel to access the lesion. In this case, a 30-year-old male patient presented with a ruptured PCA IADE and an aortic arch anomaly. Aortic arch anomalies render it difficult to reach the ruptured PCA IADE via endovascular treatment. The orifice of the vertebral artery (VA) was different from the usual cases, so it was difficult to find the entrance. After only finding the VA and arriving at the lesion along the VA, trapping was performed. Herein, we report the PCA IADE with aortic arch anomaly endovascular treatment methods and results.
Optical resonances of metallic or dielectric nanoantennas enable to effectively convert free-propagating electromagnetic waves to localized electromagnetic fields and vice versa. Plasmonic resonances of metal nanoantennas extremely modify the local density of optical states beyond the optical diffraction limit and thus facilitate highly-efficient light-emitting, nonlinear signal conversion, photovoltaics, and optical trapping. The leaky-mode resonances, or termed Mie resonances, allow dielectric nanoantennas to have a compact size even less than the wavelength scale. The dielectric nanoantennas exhibiting low optical losses and supporting both electric and magnetic resonances provide an alternative to their metallic counterparts. To extend the utility of metal and dielectric nanoantennas in further applications, e.g. metasurfaces and metamaterials, it is required to understand and engineer their scattering characteristics. At first, we characterize resonant plasmonic antenna radiations of a single-crystalline Ag nanowire over a wide spectral range from visible to near infrared regions. Dark-field optical microscope and direct far-field scanning measurements successfully identify the FP resonances and mode matching conditions of the antenna radiation, and reveal the mutual relation between the SPP dispersion and the far-field antenna radiation. Secondly, we perform a systematical study on resonant scattering properties of high-refractive-index dielectric nanoantennas. In this research, we examined Si nanoblock and electron-beam induced deposition (EBID) carbonaceous nanorod structures. Scattering spectra of the transverse-electric (TE) and transverse-magnetic (TM) leaky-mode resonances are measured by dark-field microscope spectroscopy. The leaky-mode resonances result a large scattering cross section approaching the theoretical single-channel scattering limit, and their wide tuning ranges enable vivid structural color generation over the full visible spectrum range from blue to green, yellow, and red. In particular, the lowest-order TM01 mode overcomes the diffraction limit. The finite-difference time-domain method and modal dispersion model successfully reproduce the experimental results.
파밤나방은 기존 살충제에 대한 저항성이 강하기 때문에 전남 진도의 파 집단 재배단지에서 합성 성훼로몬을 이용한 방제의 가능성을 검토하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 파를 가해하는 해충중 우점종은 파밤나방과 파굴파리였으며, 두 종은 포장에 따라 경합을 이루어 우점종이 달랐다. 성훼로몬 트랩에 의한 방제효과는 초기에 피해가 많았던 포장은 처리 4주후에 피해엽수가 급격히 감소하고, 중간 정도의 포장은 2주후에는 약간 증가하거나 감소하였지만 4주후에는 같은 경향으로 급격히 감소하였고, 초기피해가 낮은 포장은 계속 낮은 피해가 유지되었으며, 8주후에는 파 60주당 피해엽수가 무처리 포장에서 평균 33.2개의 반면 처리포장에서는 0.2~3개로 조절되었다. 또한 pheromone trap에 의한 웅성충의 유인량도 설치 초기에는 1.8~5.0마리로 적었으나, 2주후부터는 점차 증가하기 시작하여 8주후에는 77.4마리로 초기에 비해 유인량이 28배 가량 많아졌다. 성훼로몬 트랩 유인량과 피해엽수와는 부의 상관관계(r={TEX}$-0.9572^{*}${/TEX})가 인정되었다. 또한 색광별 light trap의 유인량은 30일 동안 적색에 6마리, 백색에 11마리, 청색에는 전혀 유인되지 않은 반면 pheromone trap에는 1,041마리가 유인되었다.
유체채널 내에서의 미세입자의 패터닝은 생물 및 의료 응용분야에서 활용될 가치가 높은 응용 기술이다. 본 연구는 미세유체 채널 내에서 구조물 없이 외부 자석의 배열만을 이용한 미세입자 패터닝 방법을 제안한다. 자석의 같은 극과 서로 다른 극끼리의 배열을 이용한 일렬 배열, 적층 배열 등을 고안하여, 다양한 미세입자 패터닝에 실험적으로 적용하였다. 서로 같은 극끼리의 배열은 입자 포획에 쉽게 적용 가능하여, 독립적 배열이 가능하였다. 특히 적층 배열은 다양한 패터닝을 할 수 있음을 확인할 수 있었다. 자기력 1.08mT 수준에서까지 자석 배열에 의한 일정한 패턴을 관찰할 수 있었고, 패터닝된 입자들은 20 ml/hr 의 유체 속도에서도 안정하게 유지되었다. 본 연구는 간단하면서도 자성 입자의 다양한 패터닝을 가능케 하는 방법으로 면역자기성 입자를 이용한 의학/바이오 분야로의 폭넓은 응용을 기대케 한다.
사과잎을 가해하는 주요 해충 중의 하나인 사과무늬잎말이나방(Archippus breviplicanus)의 성페로몬 성분과 조성을 규명하고 성페로몬을 이용하여 발생예찰을 하기 위해서 구애시기동안 미교미 암컷의 복부말단을 추출하고 분석하였다. GC/GC-MS 분석 결과 E11-tetradecenyl acetate : Z11-tetradecenyl acetate : tetradecyl acetate = 56:22:22의 비율로 세가지 성분들이 확인되었다. 각 성분들의 생물적 활성을 검정하기 위해 EAG을 실시한 결과 세 가지 성분 모두 핵산이나 공기보다 높은 반응을 유도하였지만 성분들의 혼합물간에 유의성은 없었다. 1997년부터 2000년까지 4년에 걸쳐서 최적의 유인 조성비와 년 중 발생 횟수 그리고 예찰을 위한 적정량을 야외 포획 실험을 통해 확인하였다. E11-14: Ac와 Z11-14: Ac의 8:2와 7:3의 비율에서 많은 수컷들이 유인되었지만 7:3의 조성이 페로몬샘 추출 결과와 더불어 최적의 조성으로 확인되었다. 국내에서 사과무늬잎말이나방은 1년에 3회 발생하는 것으로 보이며 예찰을 위한 적정량은 1mg이 효과적이었다. 세번째 성분인 14: Ac는 수컷 유인에 있어 상승효과를 보이지 않았다.
1973.9.7-10.11까지 우리나라에 있어서 농작물의 피해에 가장 크게 영향하는 쥐의 종류와 주요 서식처를 밝히고자 강원도와 경기도 일환을 대상으로 10개소의 논에 대하여 피해조사를 실시하였다. 조사결과 전체적으로는 1971년도 벼의 평균피경률 조생종 $14.2\%$ 중만생종 $14.2\%$ 보다 월등히 남은 조생종 $063\%$ 및 중만생종 $0.26\%$이었다. 그러나 대부분의 피해는 농가로부터 50m(간혹 l100m)이내에서 심하게 나타났고 피해의 원인이 되는 주요 쥐종류는 시궁쥐 (Rattus norvegicus Caraco)와 등줄쥐 (Apodemus agrarius)이었다. 1974. 4. 9-4.18까지 전국대표적인 지역을 순회하면서 농민과 농촌지도원을 대상으로 광범위한 여론을 수집한 바 우리나라에 있어서 쥐에 의한 농작물의 피해는 농촌부락에서 서식월동하는 쥐의 개체군에 밀접한 관련을 가지고 있음이 확인되었다.
In this study, we fabricated an amorphous InGaZnO pseudo-MOS transistor (a-IGZO ${\Psi}$-MOSFET) with a stacked $Si_3N_4/SiO_2$ (NO) gate dielectric and evaluated reliability of the devices with various thicknesses of a $SiO_2$ buffer layer. The roles of a $SiO_2$ buffer layer are improving the interface states and preventing degradation caused by the injection of photo-created holes because of a small valance band offset of amorphous IGZO and $Si_3N_4$. Meanwhile, excellent electrical properties were obtained for a device with 10-nm-thick $SiO_2$ buffer layer of a NO stacked dielectric. The threshold voltage shift of a device, however, was drastically increased because of its thin $SiO_2$ buffer layer which highlighted bias and light-induced hole trapping into the $Si_3N_4$ layer. As a results, the pseudo-MOS transistor with a 20-nm-thick $SiO_2$ buffer layer exhibited improved electrical characteristics and device reliability; field effective mobility(${\mu}_{FE}$) of 12.3 $cm^2/V{\cdot}s$, subthreshold slope (SS) of 148 mV/dec, trap density ($N_t$) of $4.52{\times}1011\;cm^{-2}$, negative bias illumination stress (NBIS) ${\Delta}V_{th}$ of 1.23 V, and negative bias temperature illumination stress (NBTIS) ${\Delta}V_{th}$ of 2.06 V.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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