• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.113-113
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• 1998

C CdTe와 HgCdTe는 광전소자나 태양전지,x 선 및 y 선 감지 소자 그리고 적외선 감지소 자로의 웅용둥으로 인하여 많은 연구가 진행되고 있다. 광전소자를 제작함에 있어서 깊은 준위나 얄은 준위에 있는 몇들은 운반자 수명에 매우 큰 영향을 미치고 있음에도 불구하고 광전도도 측정에 의한 운반자 수명 연구에 대하여는 보고된 것이 별로 없다. 이에 본 논문에서는 CdTe 시료의 광전도도를 측정하여 운반자 수명 및 깊은 준위의 위치를 알아보았다 M MBE방법을 이용하여 CdTe 기판위에 In을 도핑한 CdTe를 성장하였다. 광전도 붕괴(PCD) 측정은 300 K에서부터 400 K까지 온도를 변화시켜주면서 측정을 하였고 광원으로서 G GaP- LED를 사용하였으며 전압 신호를 읽기 위하여 Tektronix 2430A 오실로스코프를 이용하 였다 .. Fig. 1. 에서 보인바와 같이 광전도 붕괴곡선은 접선으로 나타낸 하나의 지수 함수적 붕 괴(a2exp( -t/ r 2))보다는 설선으로 나타낸 두 개의 지수함수적 붕괴(alexp( νr 1)+a2exp( -νr 2)) 가 더욱 잘 실험결과와 일치함을 알 수 있었다. 이러한 것은 과잉 전하에 대한 깊은준위를 가 지고 있는 반도체물질에서 일반적으로 관찰되는 것으로 시료가 n 형이기 때문에 소수 운반자 인 정공의 벚에 의한 것으로 생각된다 .. Fig. 2. 에서는 운반자 수명의 온도에 대한 변화를 나타 낸 것이다. 온도가 증가함에 따라 운반자 수명이 감소하는 경항올 보이고 있으며 이것올 이용 하여 딪익 활성화 에너지를 계산 하여 본 결과 0.35 eV 와 0.43 eV염을 알수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.372-375
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• 1988

The III-V ternary alloy semiconductor $In_{l-x}Ga_{x}As$ were grown by the temperature Gradient of $0.60{\leq}x{\leq}0.98$. The electrical properties were investigated by the Hall effect measurement with the Van der Pauw method in the temperature range of $90{\sim}300K$. $In_{l-x}Ga_{x}As$ were revealed n-type and the carrier concentration at 300K were in the range of $9.69{\times}10^{16}cm^{-3}{\sim}7.49{\times}10^{17}cm^{-3}$. The resistivity was increased and the carrier mobility was decreased with increasing the composition ratio. The optical energy gap determined by optical transmission were $20{\sim}30meV$ lower than theoretical valves on the basis of absorption in the conduction band tail and it was decreased with increasing the temperature by the Varshni rule. In the photoluminescence of undoped $In_{l-x}Ga_{x}As$ at 20K, the main emission was revealed by the radiative recombination of shallow donor(Si) to acceptor(Zn) and the peak energy was increased with increasing the composition, X. The diffusion depth of Zn increases proportionally with the square root of diffusion time, and the activation energy for the Zn diffusion into $In_{0.10}Ga_{0.90}As$ was 2.174eV and temperatures dependence of diffusion coefficient was D = 87.29 exp(-2.174/$K_{B}T$). The Zn diffusion p-n $In_{x}Ga_{x}As$ diode revealed the good rectfying characteristics and the diode factor $\beta{\approx}2$. The electroluminescence spectrum for the Zn-diffusion p-n $In_{0.10}Ga_{0.90}As$ diode was due to radiative recombation between the selectron trap level(${\sim}140meV$) and Zn acceptor level(${\sim}30meV$). The peak energy and FWHM of electroluminescence spectrum at 77K were 1.262eV and 81.0meV, respectively.

• 대한상한금궤의학회지
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• 제4권1호
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• pp.29-36
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• 2012

Aim : To investigate the hepatotective effect of Gardenia jsaminodes and Glycine max aqueous extract against D-galactosamine (d-GalN, 300mg/kg body weight) was administered to the male Sprague Dawley (SD) rats. Materials and Methods : The study was carried out on male SD rats (age matched, weight $250{\pm}10g$). Experimental groups divided four: Normal group (Nor) was administered saline, Control (Con) group was administered saline after d-GalN treatment. Experimental group (Exp) was administered Gardenia jsaminodes (200 mg/kg; Ga group), Glycine max (700 mg/kg; Gl group), and Gardenia jsaminodes+Glycine max (200 mg/kg+700 mg/kg, GG group) during 14 days(n=5). Results : d-GalN administration induced hepatotoxicity in rats which was manifested by increased levels of alanine aminotransferase, aspartate aminotransferase, alkaline phosphatase but decreased total cholesterol and triglyceride. Treatment with Gardenia jsaminodes extract significantly protected the liver in d-GalN administered rats. Conclusion : Gardenia jsaminodes aqueous extract and Gardenia jsaminodes+Glycine max extract possesses hepatoprotective potential, thus validating its use in alleviating toxic effects of d-GalN.

• 원예과학기술지
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• 제19권4호
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• pp.535-539
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• 2001

감의 시설재배(施設栽培) 기술(技術)을 확립하기 위한 기초자료(基礎資料)를 얻고자 80L의 폿트에 분식(盆植)한 4년생 서촌조생(西村早生)을 최저 $18^{\circ}C$ 이상 온도(溫度)를 유지한 플라스틱 하우스에서 가온시기(加溫時期)별 재배가 화아분화(花芽分化)에 미친 영향(影響)을 조사하였다. 가온시기가 빠를수록 화아분화시기(花芽分化時期)는 앞당겨졌는데 발아 후 화아분화기까지의 소요일수는 가온시기에 관계없이 70-75일로 일정하였으며, '서촌조생(西村早生)'의 화아분화기는 노지에서 6월 20일인데 1월 15일 가온구는 5월 1일, 2월 15일 가온구는 5월 21일, 3월 15일 가온구는 6월 1일이었다. 1아당 화아원기수(花芽原基數)는 노지 7.8개에 비하여 가온재배에서는 이보다 적은 6.2-7.1개였는데 가온시기가 빠를수록 증가하는 경향이었다. 같은 눈 안에서 첫번째 화아원기가 분화(分化)되기 시작하여 마지막 7번째 것이 분화하기까지 소요되는 기간은 40-60일이었으며 하나의 신초(新梢)에서 전체 눈의 분화 소요기간은 30일이었다. 화아분화 전 신초 내 영양상태는 총탄수화물(總炭水化物) 함량(含量)이 증가되고 질소(窒素) 함량(含量)이 감소되어 C/N율이 증가되었는데 총탄수화물 함량이 15%를 상회하는 시점과 화아분화기가 일치하였다. 화아분화 전 2주 사이에 zeatin 함량은 건물(乾物) 1g당 $27.2{\mu}g$에서 $47.3{\mu}g$으로 크게 증가되었고, IAA 함량은 $188.6{\mu}g$에서 $172.4{\mu}g$으로 다소 감소되었으며, GA 함량은 $2,225{\mu}g$에서 $1,555{\mu}g$으로 뚜렷하게 낮아졌다.