Arc melted Ti-5Bi alloy was oxidized by thermal oxidation method. In the present study free energy efficiency(${\eta}_e$) of titanium oxide electrode(TOE) was measured as a function of light intensity and light energy. Flat-band potential of TOE was measured as a function of the light intensity and the solution pH. The ${\eta}_e$ of TOE increased with the increase of light intensity and tight energy to maximum value of 3.2% and 13%, respectively, at $0.2W/cm^2$ and 4.0eV. The ${\eta}_e$ was strongly dependent on the magnitude of the bias voltage. Maximum value was found at 0.5V bias. Photocurrent of TOE was controlled by electron-hole pair generation in depletion layer. The flat-band potential of the illuminated TOE shifted to -0.065V/decade with increasing light intensity. With the decrease of pH of electrolyte, flat-band potential shifted to anodic direction. The experimental slope was in good agreement with the Nernstian value of 0.059V/pH decade.
In this study $TiO_2$/reduced graphene oxide ($TiO_2/rGO$) bipyramid with tunable nanostructure was fabricated by two-step solvothermal process and subsequent heat-treatment in air. The as-synthesized anatase $TiO_2$ nanocrystals possessed morphological bipyramid with exposed dominantly by (101) facets. Polyethylenimine was utilized during the combination of $TiO_2$ and graphene oxide (GO) to tune the surface charge, hindering the restack of graphene during solvothermal process and resulting in 1 to 5 layers of rGO wrapped on $TiO_2$ surface. After a further calcination, a portion of carbon quantum dots (CQDs) with a diameter about 2 nm were produced owing to the oxidizing and cutting of rGO on $TiO_2$. The as-prepared $TiO_2/rGO$ hybrid showed a highly photocatalytic activity, which is about 3.2 and 7.7 times enhancement for photodegradation of methyl orange with compared to pure $TiO_2$ and P25, respectively. We assume that the improvement of photocatalysis is attributed to the chemical bonding between rGO/CQDs and $TiO_2$ that accelerates photogenerated electron-hole pair separation, as well as enhances light harvest.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.22
no.1
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pp.117-124
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2018
Junctionless amorphous InGaZnO thin film transistors with different film thickness have been fabricated. Their device performance parameters were extracted and gate oxide breakdown voltages were analyzed with different film thickness. The device performances were enhanced with increase of film thickness but the gate oxide breakdown voltages were decreased. The device performances were enhanced with increase of temperatures but the gate oxide breakdown voltages were decreased due to the increased drain current. The drain current under illumination was increased due to photo-excited electron-hole pair generation but the gate oxide breakdown voltages were decreased. The reason for decreased breakdown voltage with increase of film thickness, operation temperature and light intensity was due to the increased number of channel electrons and more injection into the gate oxide layer. One should decide the gate oxide thickness with considering the film thickness and operating temperature when one decides to replace the junctionless amorphous InGaZnO thin film transistors as BEOL transistors.
In this paper, the Fe-activated carbon fiber (ACF)/$TiO_2$ composite catalysts were prepared by a sol-gel method. The synthesized photocatalysts were used for the photo degradation of Methylene blue solution under UV light. From Brunauer-Emmett-Teller measurements (BET) data, it was shown the blocking of the micropores on the surface of ACF by treatment of Fe and Ti compound. As shown in SEM images, the ferric compounds and titanium dioxides were fixed onto the ACF surfaces. The result of X-ray powder diffraction showed that the crystal phase contained a mixing anatase and rutile structure and the 'FeO+$TiO_2$' from the composites. The EDX spectra for the elemental analysis showed the presence of C, O, and Ti with Fe peaks. Degradation activity of MB could be attributed to +OH radicals derived from electron/hole pair's reactions due to photolysis of $TiO_2$ and photo-Fenton effect of Fe.
Kim, Kyung-O;Ahn, Woo-Sang;Kwon, Tae-Je;Kim, Soon-Young;Kim, Jong-Kyung;Ha, Jang-Ho
Nuclear Engineering and Technology
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v.43
no.6
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pp.567-572
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2011
A sensitivity analysis of the methods used to evaluate the transport properties of a CdZnTe detector was performed using two different radiations (${\alpha}$ particle and gamma-ray) emitted from an $^{241}Am$ source. The mobility-lifetime products of the electron-hole pair in a planar CZT detector ($5{\times}5{\times}2\;mm^3$) were determined by fitting the peak position as a function of biased voltage data to the Hecht equation. To verify the accuracy of these products derived from ${\alpha}$ particles and low-energy gamma-rays, an energy spectrum considering the transport property of the CZT detector was simulated through a combination of the deposited energy and the charge collection efficiency at a specific position. It was found that the shaping time of the amplifier module significantly affects the determination of the (${\mu}{\tau}$) products; the ${\alpha}$ particle method was stabilized with an increase in the shaping time and was less sensitive to this change compared to when the gamma-ray method was used. In the case of the simulated energy spectrum with transport properties evaluated by the ${\alpha}$ particle method, the peak position and tail were slightly different from the measured result, whereas the energy spectrum derived from the low-energy gamma-ray was in good agreement with the experimental results. From these results, it was confirmed that low-energy gamma-rays are more useful when seeking to obtain the transport properties of carriers than ${\alpha}$ particles because the methods that use gamma-rays are less influenced by the surface condition of the CZT detector. Furthermore, the analysis system employed in this study, which was configured by a combination of Monte Carlo simulation and the Hecht model, is expected to be highly applicable to the study of the characteristics of CZT detectors.
Kim, Sung-Hyun;Kim, Young-Bin;Jung, Suk-Hee;Kim, Min-Woo;Oh, Kyung-Min;Park, Ji-Gun
Journal of the Korean Society of Radiology
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v.2
no.3
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pp.19-25
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2008
Commercial analog x-ray detectors based on film cassettes have been showing problems such as with image storage and image transmission. Recently direct conversion material, photoconductor whit flat panel have been researched which generate the electron hole-pair (EHP). In this paper, we researched the electrical properties of the PbO and Lead(II) oxide PbO. film which fabricated by Particle-In-Binder(PIB) method. We compared tetragonal ${\alpha}$-PbO with orthorhombic ${\beta}$-PbO physical property. Tetragonal material was more than orthorhombic material in other paper. The solution was Poly Vinyl Butyral(PVB) in the PIB. We discussed about the sample of x-ray sensitivity, leakage current, Signal to Noise Rate and investigated SEM for the physical property of sample. We need to think more research ${\alpha}$-PbO material fabrication.
Park, Young-Bin;Kim, Shin-Ho;Ha, Rin;Lee, Hyun-Ju;Lee, Jung-Chul;Bae, Jong-Seong;Kim, Yang-Do
Korean Journal of Materials Research
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v.20
no.11
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pp.586-591
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2010
Solar cells have been more intensely studied as part of the effort to find alternatives to fossil fuels as power sources. The progression of the first two generations of solar cells has seen a sacrifice of higher efficiency for more economic use of materials. The use of a single junction makes both these types of cells lose power in two major ways: by the non-absorption of incident light of energy below the band gap; and by the dissipation by heat loss of light energy in excess of the band gap. Therefore, multi junction solar cells have been proposed as a solution to this problem. However, the $1^{st}$ and $2^{nd}$ generation solar cells have efficiency limits because a photon makes just one electron-hole pair. Fabrication of all-silicon tandem cells using an Si quantum dot superlattice structure (QD SLS) is one possible suggestion. In this study, an $SiO_x$ matrix system was investigated and analyzed for potential use as an all-silicon multi-junction solar cell. Si quantum dots with a super lattice structure (Si QD SLS) were prepared by alternating deposition of Si rich oxide (SRO; $SiO_x$ (x = 0.8, 1.12)) and $SiO_2$ layers using RF magnetron co-sputtering and subsequent annealing at temperatures between 800 and $1,100^{\circ}C$ under nitrogen ambient. Annealing temperatures and times affected the formation of Si QDs in the SRO film. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) spectra and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) revealed that nanocrystalline Si QDs started to precipitate after annealing at $1,100^{\circ}C$ for one hour. Transmission electron microscopy (TEM) images clearly showed SRO/$SiO_2$ SLS and Si QDs formation in each 4, 6, and 8 nm SRO layer after annealing at $1,100^{\circ}C$ for two hours. The systematic investigation of precipitation behavior of Si QDs in $SiO_2$ matrices is presented.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.18
no.2
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pp.57-62
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2011
The energy conversion efficiency of DSSCs (Dye-Sensitized Solar Cells) is dependent on the powder size, the structure, and the morphology of $TiO_2$ electrode. The higher efficiency is obtained with high surface area of the nanoanatase-$TiO_2$ powder adsorbed onto a lot more of the dye. Also, the enhancement of light scattering increases the efficiency with high adsorption of the dye. Powder size, crystalline phase, and shape of $TiO_2$ obtained by hydrothermal method have 15-20 nm, anatase and round. $TiO_2$ electrode has fabricated with the mixture of scattering $TiO_2$ particle with 0.4 ${\mu}m$ in nano-sized powder. Conversion efficiency of series of DSSCs was measured with volume fraction of scattering particle. Photovoltaic characteristics of DSSCs with 10% scattering particles are 3.51 mA for Jsc (short circuit current), 0.79 V for Voc(open circuit potential), filling factor 0.619 and 6.86% for efficiency. Jsc was improved by 11% and enhancement of efficiency by 0.77% compared with that of no scattering particles. The confinement of inserted light by light scattering particles has more increase of the injection of exiton(electron-hole pair) and decrease of moving path in electron. Efficiencies of DSSCs with more than 10% for scattering particles have reduced with increasing the pore in the $TiO_2$ electrode.
Park, Seo-Hyun;Choi, Yein;Lee, Hong Joo;Park, Chan-gyu
Journal of Environmental Health Sciences
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v.47
no.6
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pp.540-547
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2021
Background: Indoor air pollutants are caused by a number of factors, such as coming in from the outside or being generated by internal activities. Typical indoor air pollutants include nitrogen dioxide and carbon monoxide from household items such as heating appliances and volatile organic compounds from building materials. In addition there is carbon dioxide from human breathing and bacteria from speaking, coughing, and sneezing. Objectives: According to recent research results, most indoor air pollution is known to be greatly affected by internal factors such as burning (biomass for cooking) and various pollutants. These pollutants can have a fatal effect on the human body due to a lack of ventilation facilities. Methods: We fabricated a polydopamine (PDA) layer with Ti substrates as a coating on supported glass fiber fabric to enhance its photo-activity. The PDA layer with TiO2 was covalently attached to glass fiber fabric using the drop-casting method. The roughness and functional groups of the surface of the Ti substrate/PDA coated glass fiber fabric were verified through infrared imaging microscopy and field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). The obtained hybrid Ti substrate/PDA coated glass fiber fabric was investigated for photocatalytic activity by the removal of ammonia and an epidermal Staphylococcus aureus reduction test with lamp (250 nm, 405 nm wavelength) at 24℃. Results: Antibacterial properties were found to reduce epidermal staphylococcus aureus in the Ti substrate/PDA coated glass fiber fabric under 405 nm after three hours. In addition, the Ti substrate/PDA coated glass fiber fabric of VOC reduction rate for ammonia was 50% under 405 nm after 30 min. Conclusions: An electron-hole pair due to photoexcitation is generated in the PDA layer and transferred to the conduction band of TiO2. This generates a superoxide radical that degrades ammonia and removes epidermal Staphylococcus aureus.
Kim, Dae-Guk;Sin, Jeong-Uk;Lee, Yeong-Gyu;Kim, Seong-Heon;Lee, Geon-Hwan;Nam, Sang-Hui
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.327-328
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2012
의료분야의 진단 방사선 장비는 초기의 필름방식 및 카세트에서 진보되어 현재는 디지털방식의 DR (Digital Radiography)이 널리 사용되며 이에 관한 연구개발이 활발히 진행 되고 있다. DR은 일반적으로 직접방식과 간접방식으로 나눌 수 있다. 직접방식의 원리는 X선을 흡수하면 전기적 신호를 발생 시키는 광도전체(Photoconductor)를 사용하여 광도전체 양단 전극에 전압을 인가하여 전기장을 유도한 가운데, X선을 조사하면 광도전체 내부에서 전자-전공쌍(Electron-hole pair)이 생성된다. 이것은 양단에 유도된 전기장의 영향으로 전자는 +극으로, 전공은 -극으로 이동하여 아래에 위치한 하부기판을 통하여 이미지로 변조된다. 간접방식은 X선을 흡수하면 가시광선으로 전환하는 형광체(Scintillator)를 사용하여 조사된 X선을 형광체에서 가시광선으로 전환하고, 이를 Photodiode와 같은 광변환소자로 전기적 신호로 변환하여 방사선을 검출하는 방식을 말한다. 본 연구에서는 직접방식에서 이용되는 광도전체 중 흡수효율이 높고 Mobility가 뛰어난 CdTe를 선정하여 PVD (Physical vapor deposition)방식으로 300 m의 두께를 목표로 하여 증착을 진행하였다. Chamber의 진공도가 $2.5{\times}10^{-2}$ Torr로 도달 시점부터, Substrate와 Boat에 열을 가하였다. Substrate온도는 $350^{\circ}C$, Boat온도는 $300^{\circ}C$도로 설정하여 11시간 동안 진행하였다. Substrate온도는 $303^{\circ}C$, Boat온도는 $297^{\circ}C$도부터 증착이 시작되어 선형적인 증가세 추이를 나타내어 Substrate 및 Boat온도가 설정 값에 도달 하였을 때, $25{\sim}34.4{\AA}/s$ 증착율을 나타내었다. 하부전극의 물질에 따른 CdTe증착 효율성 평가를 진행한 후, 그에 따른 전기적 특성을 알아보았다. 하부전극의 물질로는 ITO (Indium Tin Oxide), Parylene이 코팅 된 ITO, Au, Ag를 사용하였다. 하부전극의 물질 상단에 Thermal Evaporation System을 사용하여 CdTe를 증착한 후, Cdte 상단에 Au를 증착 시켜 민감도(Sensitivity)와 암전류(Dark current)를 측정하였다. 증착 결과 ITO와 Ag상단에 증착시킨 CdTe박막은 박리가 되었고, Au와 Parylene이 코팅 된 ITO에는 CdTe박막이 안정적이게 형성이 되었다. 이 두 샘플에 대하여 동일한 조건으로 민감도와 암전류를 측정 시, Parylene이 코팅된 ITO를 하부전극으로 사용한 CdTe박막은 0.1021 pA/$cm^2$의 암전류와 1.027 pC/$cm^2$의 민감도를 나타낸 반면, Au를 하부전극으로 사용한 CdTe박막은 0.0381 pA/$cm^2$의 암전류와 1.214 pC/$cm^2$의 민감도를 나타내어 Parylene이 코팅된 ITO보다 우수한 전기적 특성을 나타내었다. 따라서 Au는 CdTe박막 증착 시, 하부전극 기판으로서 뛰어난 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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