• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권9호
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• pp.2609-2615
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• 2013

A series of fluorene-carbazole copolymers containing the pendant phosphor chromophore $Ir(absn)_2(acac)$ (absn: 2-(1-naphthyl)benzothiazole; acac: acetylacetone) were designed and synthesized via Yamamoto coupling. In the film state, these copolymers exhibited absorption and emission peaks at approximately 389 and 426 nm, respectively, which originated from the fluorene backbone. However, in electroluminescent (EL) devices, a significantly red-shifted emission at approximately 611 nm was observed, which was attributed to the pendant iridium(III) complex. Using these copolymers as a single emission layer, polymer light-emitting devices with ITO/PEDOT:PSS/polymer:DNTPD/TmPyPb/LiF/Al configurations exhibited a saturated red emission at 611 nm. The attached iridium(III) complex had a significant effect on the EL performance. A maximum luminous efficiency of 0.85 cd/A, maximum external quantum efficiency of 0.77, maximum power efficiency of 0.48 lm/W, and maximum luminance of 883 $cd/m^2$ were achieved from a device fabricated with the copolymer containing the iridium(III) complex in a 2% molar ratio.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제30권9호
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• pp.1933-1938
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• 2009

New $\pi$-conjugated polymer with vinylene linkage, poly((10-hexyl-3,7-phenothiazine)-alt-(4-(4-butyl-phenyl)- 3,5-diphenyl-4H-[1,2,4]triazole)-3,5-vinylene) (PTV-TAZ) was synthesized by the Heck coupling reaction. The photoluminescence (PL) maximum wavelength and the band gap energy of PTV-TAZ film were 555 nm and 2.41 eV, respectively. The HOMO energy level of PTV-TAZ was -4.99 eV, which was slightly lower than that of PTV (-4.89 eV). Electron deficient aromatic 1,2,4-triazole (TAZ) in the polymer backbone does not affect the HOMO energy level significantly. The maximum efficiency and brightness of double layer structured electroluminescent (EL) device (ITO/PEDOT (30 nm)/PTV-TAZ (60 nm)/Al) were 0.247 cd/A and 553 cd/$m^2$, respectively, which were significantly higher than those of the device based PTV (1.65 ${\times}\;10^{-4}$ cd/A and 4.3 cd/$m^2$). This is due to that TAZ unit improves electron transporting ability in the emissive layer. The turn-on voltage (defined as the voltage required to give a luminescence of 1 cd/$m^2$) of brightness of the device based on PTV-TAZ was 12.0 V, which was similar to that the based on PTV (11.5 V). This is due to that the ionization potential of PTV-TAZ is very similar to that of PTV.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권1호
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• pp.36-43
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• 2000

청색 발광 SrS:CuCl TFEL 소자의 휘도를 향상시키기 위하여 황 압력과 열처리 조건을 최적화하여 SrS:CuCl TFEL 소자를 제작하였다. 전자빔 증착 장비를 이용하여 SrS:CuCl 형광체를 6000 ~ 8000 ${\AA}$ 두께로 증착 시킨 후, 800 $^{\circ}C$에서 3분 동안 열처리하여 TFEL 소자를 제작시켰다. 형광체 결정은 열처리 온도 및 열처리 지속 시간의 증가에 따라 향상되었다. SrS:CuCl TFEL 소자는 468 nm 와 500 nm에서 발광 피크 파장을 나타내었고, CIE 색 좌표는 x = 0.21, y = 0.33로 청색 빛이 방출되었다. SrS:CuCl TFEL 소자의 휘도$(L_{40})$는 형광체 증착 중의 황 압력에 크게 의존하여 황 압력을 $8{\times}10^{-6}$ torr에서 $2{\tiems}10^{-5}$ torr로 증가시켰을 때 262 cd/$m^2$에서 728 cd/$m^2$로 증가되었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권1호
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• pp.29-35
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• 2000

전자빔 증착 장비를 이용하여 SrS:Cu,X TFEL 소자를 제작한 후, 발광 특성을 분석하였다. 형광체 모체는 SrS 분말을 사용하였고 발광 중심체로는 Cu, $CuF_2,\;Cu_2S$ 또는 CuCl 등의 미분말을 사용하였다. SrS:Cu,X TFEL 소자의 발광 특성은 부활성제에 따라 매우 많은 변화를 나타내었다. SrS:$Cu_2$ TFEL 소자의 휘도($L_{40}$)와 효율 (${\eta}_{20}$)은 각각 1443 cd/$m^2$와 2.44 lm/w를 나타내었고, 녹색 빛의 발광 효율은 ZnS:Tb TFEL 소자보다 높아 새로운 녹색 형광체로의 활용이 기대되었다. SrS:CuCl TFEL 소자의 휘도($L_{40}$)와 효율(${\eta}_{20}$)은 각각 262 cd/$m^2$와 0.26 lm/w를 나타내었고 청색 빛을 방출하여 새로운 청색 형광체로의 활용 가능성을 확인하였다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제2권3호
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• pp.146-151
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• 2002

전자빔 증착장비를 이용하여 $Ca_{1-x}$Sr$_{x}$S:CuCl TFEL소자를 제작한 후 발광특성을 평가하였다. 형광체 모체 $Ca_{1-x}$Sr$_{x}$S는 CaS와 SrS 미분말을 혼합, 성형하여 제작하였으며, 발광중심체 CuCl은 0.2 at%를 첨가시켰다. CaS:CuCl TFEL 소자의 휘도(L$_{30}$)와 최대 발광파장은 각각 9.5 cd/$m^2$와 492 nm였으며 SrS:CuCl TFEL 소자의 휘도(L$_{30}$)와 최대 발광파장은 각각 633 cd/$m^2$와 500 nm였다. SrS에 CaS가 첨가된 $Ca_{1-x}$Sr$_{x}$S:CuCl TFEL 소자에서 청색 색순도는 좋아졌으나, 휘도와 효율은 급격히 감소하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권8호
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• pp.17-23
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• 2002

전자빔 증착 장비를 이용하여 SrS:CuCl TFEL 소자를 제작한 후, 발광특성을 조사하였다. 형광체 모체는 SrS 분말을 사용하였고, 발광중심체로는 CuCl 분말을 0.05 ~ 0.6 at% 범위에서 첨가하였다. 증착 온도 500℃, 전자빔 전류 20 ~ 40 mA 및 증착율 5 ~ 10 /sec의 조건에서 형광층 두께를 6000 으로 증착시켰다. CuCl 농도가 낮을 때에는 monomer, dimer, trimer 및 tetramer 발광센터에 의한 청색 발광을 확인할 수 있었으나 휘도가 낮았다. CuCl 농도가 높을 때에는 dimer와 trimer 발광센터에 의한 밝은 녹청색 빛을 방출하였다. 최적의 발광특성은 CuCl 농도를 0.2 at% 첨가한 SrS:CuCl TFEL 소자에서 관찰되었으며, 문턱전압, 휘도(L/sub 40/), 효율(η/sub 20/) 및 CIE 색좌표는 각각 55 V, 728 cd/㎡, 0.49 lm/W 및 (0.21, 0.33)을 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제33권10호
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• pp.400-405
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• 2023

Tb³⁺-doped CaNb₂O₆ (CaNb₂O₆:Tb³⁺) thin films were deposited on quartz substrates at a growth temperature of 300 ℃ using radio-frequency magnetron sputtering. The deposited thin films were annealed at several annealing temperatures for 20 min and characterized for their structural, morphological, and luminescent properties. The experimental results showed that the annealing temperature had a significant effect on the properties of the CaNb₂O₆:Tb³⁺ thin films. The crystalline structure of the as-grown CaNb₂O₆:Tb³⁺ thin films transformed from amorphous to crystalline after annealing at temperatures greater than or equal to 700 ℃. The emission spectra of the thin films under excitation at 251 nm exhibited a dominant emission band at 546 nm arising from the ⁵D₄→⁷F₅ magnetic dipole transition of Tb³⁺ and three weak emission bands at 489, 586, and 620 nm, respectively. The intensity of the ⁵D₄→⁷F₅ (546 nm) magnetic dipole transition was greater than that of the ⁵D₄→⁷F₆ (489 nm) electrical dipole transition, indicating that the Tb³⁺ ions in the host crystal were located at sites with inversion symmetry. The average transmittance at wavelengths of 370~1,100 nm decreased from 86.8 % at 700 ℃ to 80.5 % at an annealing temperature of 1,000 ℃, and a red shift was observed in the bandgap energy with increasing annealing temperature. These results suggest that the annealing temperature plays a crucial role in developing green light-emitting CaNb₂O₆:Tb³⁺ thin films for application in electroluminescent displays.

• 한국진공학회지
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• 제7권1호
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• pp.51-58
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• 1998

Traveling wave reactor atomic layer epitaxy(ALE) 방법으로 ZnS와 ZnS:Tb박막을 성장하고 성장 조건에 따른 박막 특성을 연구하였다. ZnS박막의 precursor로는 ZnCl2와 H2S를 이용하였으며, 기판 온도 400-$500^{\circ}C$범위에서 성장하였다. 본 연구 논문에서는 성장온 도에 따른 ZnS박막의 결정성의 변화와 precursor에 의한 Cl유입량의 변화를 살펴보고 투과 전자현미경과 주사형 전자현미경으로 ZnS박막의 표면 형상과 미세구조를 관찰하였다. 연구 결과에 의하면 ALE에 의하여 매우 균일하고 hexagonal 2H구조의 결정성이 향상되었다. 성 장온도 $400^{\circ}C$에서 약 9at.%, $500^{\circ}C$에서 약 1at.%의 Cl이 유입되었으며, 박막 내에 유입된 Cl 은 표면으로의 segregation현상을 나타내었다. 또한 electroluminescent 소자의 녹색 형광재 료인 ZnS:Tb을 Tb precursor로 tris(2,2,6,6-tetramethyl 3,5-heptandionato)terbium을 이용하 여 성장하고 박막 결정성과 박막 내 불순물이 유입되는 경향 등을 연구하였다. Auger electron spectroscopy분석 결과에 의하면 0.5at.%의 Tb이 표함된 AnS:Tb박막은 C은 거의 포함하고 있지 않았으나 O은 약 1at.%정도 포함되어 있었다. ZnS:Tb박막은 Tb과 소량의 O 을 함유하고 있음에도 불구하고 결정성은 우수한 hexagonal구조를 유지하고 있었다.