• 제목/요약/키워드: Electroabsorption (EA)

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Waveguiding Effect in Electroabsorption Modulators: Passivation Layers and Their Impact on Extinction Ratios

  • Shin, Dong-Soo
    • ETRI Journal
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    • 제27권1호
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    • pp.95-101
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    • 2005
  • Waveguide structures of the stand-alone electroabsorption (EA) modulator and the electroabsorption modulated laser (EML) are investigated using the 3D beam propagation method. The EA waveguide structures with InP-based passivation layers show saturation in the extinction ratio (ER) due to the stray light traveling through the passivation layers. This paper demonstrates that narrower passivation layers suppress stray-light excitation in the EA waveguide, increasing the ER. A taper structure in the isolation section of the EML waveguide can reduce the mode mismatch and suppress the excitation of the stray light, increasing the ER further. Low-index-polymer passivation layers can confine the mode more tightly in the active waveguide, yielding an even higher ER.

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Dynamic analysis of widely tunable laser diodes integrated with sampled-and chirped-grating distributed Bragg reflectors and an electroabsorption modulator

  • Kim, Byoung-Sung;Youngchul Chung;Kim, Sun-Ho
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제11권11호
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    • pp.28-36
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    • 1998
  • Widely tunable diodes integrated with periodically sampled and chirped DBR(distributed Bragg reflector) and an EA(electroabsorption) modulator are analyzed dynamically using the improved largesinal time-domain model. The tuning characteristics of sampled- and chirped-grating DBR laser diodes are demonstrated theoretically. The results of the simulation agree well with those of the experiment. And the intensity-modulation properties of the laser diodes integrated with an EA modulator are calculated. It is shown that the external modulation has the lower frequency chirp by 1/20 for the same extinction ratio than the direct modulation, and also the short pulse train can be generated using the optical gating of an EA modulator.

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$1.55{\mu}m$ InGaAsP/InGaAsP 다중양자우물구조 전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상이 소광특성에 미치는 영향 (Dependence of Extinction Ratio on the Carrier Transport in $1.55{\mu}m$ InGaAsP/InGaAsP Multiple-Quantum-Well Electroabsorption Modulators)

  • 심종인;어영선
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제37권9호
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    • pp.15-22
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    • 2000
  • 1.55${\mu}m$ InGaAsP/InGaAsP 다중양자우물주고 전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상과 입력광 세기가 소광특성에 미치는 영향을 조사하였다. 포와송 방정식과 전자 및 정공의 전류 연속방정식, 광분포들을 양자우물에서의 전게강도에 따른 흡수계수들을 고러하여 self-consistent하게 해석하였다. 이종접합계면에서의 캐리어의 축적 및 광도파로영역에서의 공간전하에 의한 전계차폐 현상은 입사광 파워가 증가할 수록 입사단 영역에서 심하게 나타남을 알 수 있었다. 캐리어의 전계차폐에 의한 소광비 저감은 변조기가 길이가 200${\mu}m$정도로 긴 경우에는 입사광 파워가 약 10mW이상에 대해서 심하게 나타날 수 있음을 알 수 있었다. 이러한 캐리어의 전계차폐에 따른 소광비 특성열화는 특히 입사광 파워가 클 수 있는 1..55${\mu}m$ DFB-LD와 전계흡수형 광변조기 집적소자나 광변조기 길이가 수십 ${\mu}m$로 짧은 초고속 광흡수변조기의 경우에 더욱 심하게 나타날 수 있음을 지적하였다.

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