In this paper, a photonic-based microwave system technology is described, and a traveling-wave electro-optic modulator is designed and manufactured as a key component. The fabricated modulator is composed of a metal diffusion waveguide for optical transmission and a planar waveguide electrode on lithium niobate substrate for microwave transmission. The electro-optic response bandwidth of I and Q channels in a fabricated dual parallel Mach-Zehnder modulator were measured for 27.67 and 28.11 GHz, respectively. Photonic four times up-converted X-band frequency and linear frequency modulated signal were confirmed using the fabricated electro-optic modulator by S-band input signal. The confirmed broadband signal can be applied to a microwave system for surveillance and high-resolution ISAR imaging.
Li, Xiaowei;Xu, Yin;Huang, Dongmei;Li, Feng;Zhang, Bo;Dong, Yue;Ni, Yi
Current Optics and Photonics
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제6권3호
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pp.323-331
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2022
Electro-optic modulator (EOM) takes a vital role in connecting the electric and optical fields. Here, we present a heterogeneously integrated EOM based on the lithium niobate-on-insulator (LNOI) platform. The key modulation waveguide structure is a field-enhanced slot waveguide formed by embedding silicon nanowires in a thin-film lithium niobate (LN), which is different from the previously reported LN ridge or etchless LN waveguides. Based on such slot structure, optical mode field area is reduced and enhanced electric field in the slot region can interact well with LN material with high Electro-optic (EO) coefficient. Therefore, the improvements in both aspects have positive effects on enhancing the modulation performance. From results, the corresponding EOM by adding such modulation waveguide structure achieves better performance, where the key half-wave-voltage-length product (V𝜋L) and 3 dB EO bandwidth are 1.78 V·cm and 40 GHz under the electrode gap width of only 6 ㎛, respectively. Moreover, Lower V𝜋L can also be achieved. With these characteristics, such field-enhanced waveguide structure could further promote the development of LNOI-based EOM.
In this paper, we demonstrate a polarization independent optical phase modulator using electro-optic polymer, P2ANS. To overcome the intrinsic polarization dependency of electro-optic effect, we control the optic axis using a new electrode structure. P2ANS(42:75) and P2ANS(25:75) are used for the core layer and the cladding layer, respectively. The buried-type single mode waveguide is fabricated by oxygen ion reactive etching and electic poling is performed by applying 1, 200V at 135$^{\circ}C$. The measured V$_{\pi}$ of the device for both TE and TM modes are 70V.
한국광학회 1990년도 제5회 파동 및 레이저 학술발표회 5th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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pp.269-273
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1990
The proton conserving effect of diffusion with self-aligned SiO2-cladding is investigated by infrared transmission spectra. Based on the proton conserving effect, proton-diffused channel waveguides with self-aligned SiO2-cladding substrates. And an electro-optic cutoff modulator with self aligned electrode that utilizes a single-mode proton-diffused channel waveguide in a Y-cut XX-propagating LiNbO3 substrate is fabricated. Over 20 dB extinction has been achieved with applied voltage of 15V.
본 논문에서는 선형전기광효과(Pockel 효과)를 이용하여 X대역 마이크로파(9375 MHz)를 광변조하는데 관하여 이론적인 해석과 실험적인 연구를 했다. 전기광 결정체 KDP를 공진형 변조기로 설계하여 z축으로 광선과 평행하게 마이크로파 전계를 인가하여 변조했다. 변조파 출력을 가변단락판의 위치변화에 따라 관찰했으며 /2에서 변조가 잘 개폐되는 것을 알았다. 또한 출력변조의 세기를 인가 전계의 세기를 변화시켜 측정하여 이론곡선과 비교해서 약 5%의 오차를 얻었다. 결과적으로 아직 해결되어야 할 문제는 많이 있지만 비교적 만족스러운 광변조기를 얻었다.
Mach-Zehnder type GaAs elcetro-optic waveguide modulator has been designed in this paper.The modulator. Considered is based on the Mach-Zehnder interferometer configuration, consisting of two Y branch couping rib type waveguides formed in two epitaxial layers on GaAs substrate. The mode theory on waveguides and electo-optic effect of GaAs were utilized to determine the design parameters for the modulator proposed. Effective index method was applied to design the of waveguide supporting a single mode were calculated to achieve the optimized operation of the modulator. Considering interrelationships between many parameters.
전광 EO-MZ 광변조기의 바이어스를 안정화함으로써 버스트 모드 패킷 트래픽 조건에서도 스위칭 소광비를 최대화하는 방법을 제안하고 입증하였다. 광변조기의 오프 레벨 출력 전력을 샘플링하고 최소화함으로써 패킷 트래픽 밀도의 변화에 무관하게 높은 소광비를 갖는 광 게이트로서 동작한다.
We have demonstrated a $Ti:LiNbO_3$ electro-optic electric-field sensor utilizing a $1{\times}2$ Y-fed balanced-bridge Mach-Zehnder interferometric (YBB-MZI) modulator, which uses a 3-dB directional coupler at the output and has two complementary output waveguides. A dc switching voltage of ~25 V and an extinction ratio of ~12.5 dB are observed at a wavelength of $1.3{\mu}m$. For a 20 dBm rf input power, the minimum detectable electric fields are ~8.21, 7.24, and ~13.3 V/m, corresponding to dynamic ranges of ~10, ~12, and ~7 dB at frequencies of 10, 30, and 50 MHz respectively. The sensors exhibit almost linear response for an applied electric-field intensity from 0.29 V/m to 29.8 V/m.
본 논문에서는 두 개의 중첩된 Mach-Zehnder 구조의 변조기를 이용한 집적광학형 RF 위상변환기를 제안하고, 새로운 전기광학폴리머를 이용하여 제작하였다. 구현된 소자는 RF신호의 위상을 전압에 의하여 연속적으로 제어할 수 있는 특징을 갖는다. 본 논문에서는 16 GHz RF신호의 경우에 대해, 7.8 $V_{pp}$ 제어 전압을 인가하여 약 108$^{\circ}$범위에서 RF신호의 위상을 거의 선형적으로 변환시킬 수 있었다.다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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