비금속 및 금속 재료에 존재하는 미소균열 검출에는 펄스에코법으로 고주파수 집속형 수직 탐촉자를 사용하거나 표면파를 사용한 사각 탐상법을 주로 사용한다. 이러한 방법은 압연 롤, 세라믹 롤 등 대형 구조물의 표면에 존재하는 미소 균열의 존재 여부, 위치 및 깊이 측정을 위한 자동화 초음파 탐상장치를 개발하는 다량의 검사 데이터, 결함 위치정보의 불확실성 등 현실적으로 많은 어려움이 있다. 본 연구에서는 대구경 초음파 탐촉자를 사용하여 초음파 회절현상을 발생시킴으로써, 미세 균열의 존재 여부 및 위치 등의 검사결과를 실시간 A, B, C-Scan으로 표시할 수 있었다. 또한 기존의 방법보다 정량적으로 표면 균열의 깊이를 정확하게 측정 가능한 방법을 제시하였다. 초음파의 회절현상을 이용함으로서 기존의 방법보다 검사 속도 및 시간이 10배 이상으로 향상되고 균열의 깊이를 정량적으로 평가할 수 있는 방법을 실험적으로 검증하였다.
Microelectronic devices의 접촉저항의 향상을 위해 Metal silicides의 형성 mechanism과 전기적 특성에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. 지난 수십년에 걸쳐, Ti silicide, Co silicide, Ni silicide 등에 대한 개발이 이루어져 왔으나, 계속적인 저저항 접촉 소재에 대한 요구에 의해 최근에는 Rare earth silicide에 관한 연구가 시작되고 있다. Rare-earth silicide는 저온에서 silicides를 형성하고, n-type Si과 낮은 schottky barrier contact (~0.3 eV)를 이룬다. 또한, 비교적 낮은 resistivity와 hexagonal AlB2 crystal structure에 의해 Si과 좋은 lattice match를 가져 Si wafer에서 high quality silicide thin film을 성장시킬 수 있다. Rare earth silicides 중에서 ytterbium silicide는 가장 낮은 electric work function을 갖고 있어 낮은 schottky barrier 응용에서 쓰이고 있다. 이로 인해, n-channel schottky barrier MOSFETs의 source/drain으로써 주목받고 있다. 특히 ytterbium과 molybdenum co-deposition을 하여 증착할 경우 thin film 형성에 있어 안정적인 morphology를 나타낸다. 또한, ytterbium silicide와 마찬가지로 낮은 면저항과 electric work function을 갖는다. 그러나 ytterbium silicide에 molybdenum을 화합물로써 높은 농도로 포함할 경우 높은 schottky barrier를 형성하고 epitaxial growth를 방해하여 silicide film의 quality 저하를 야기할 수 있다. 본 연구에서는 ytterbium과 molybdenum의 co-deposition에 따른 silicide 형성과 전기적 특성 변화에 대한 자세한 분석을 TEM, 4-probe point 등의 다양한 분석 도구를 이용하여 진행하였다. Ytterbium과 molybdenum을 co-deposition하기 위하여 기판으로 $1{\sim}0{\Omega}{\cdot}cm$의 비저항을 갖는 low doped n-type Si (100) bulk wafer를 사용하였다. Native oxide layer를 제거하기 위해 1%의 hydrofluoric (HF) acid solution에 wafer를 세정하였다. 그리고 고진공에서 RF sputtering 법을 이용하여 Ytterbium과 molybdenum을 동시에 증착하였다. RE metal의 경우 oxygen과 높은 반응성을 가지므로 oxidation을 막기 위해 그 위에 capping layer로 100 nm 두께의 TiN을 증착하였다. 증착 후, 진공 분위기에서 rapid thermal anneal(RTA)을 이용하여 $300{\sim}700^{\circ}C$에서 각각 1분간 열처리하여 ytterbium silicides를 형성하였다. 전기적 특성 평가를 위한 sheet resistance 측정은 4-point probe를 사용하였고, Mo doped ytterbium silicide와 Si interface의 atomic scale의 미세 구조를 통한 Mo doped ytterbium silicide의 형성 mechanism 분석을 위하여 trasmission electron microscopy (JEM-2100F)를 이용하였다.
본 논문에서는 전기광학효과를 갖는 $LiNbO_3$ 및 GaAs 물질 기반의 전계 프로브 센서를 제안하고 구현하였다. 이 센서를 이용하여 RF 링 공진필터 소자로부터 방사되는 수평 및 수직방향 성분의 필드세기를 측정하였다. 구현된 $LiNbO_3$ 및 GaAs센서로부터 계산된 감도는 각각 $9.315{\mu}V/\sqrt{Hz}$와 $49.346{\mu}V/\sqrt{Hz}$였으며, 신호 대 잡음비는 ${\sim}50\;dB$와 ${\sim}40\;dB$였다. 그리고 각 센서의 주파수 응답특성은 ${\sim}1.2\;GHz$였다. 마지막으로 센서를 이용하여 테스트 회로의 근접 필드 분포를 측정하였으며, 이는 HFSS 시뮬레이션 결과와 잘 일치하였다.
The present study was focused on the synthesis of a $TiB_2$ dispersed copper matrix composite material by the combination of the mechanical milling and plasma activated sintering processes. The $Cu/TiB_2$ mixed powder was prepared by the combination of the mechanical milling and reduction processes using the copper oxide and titanium diboride powder as the raw material. The synthesized $Cu/TiB_2$ mixed powder was sintered by the plasma activated sintering process. The hardness and electric conductivity of the sintered bodies were measured using micro vickers hardness and four probe method, respectively. The relative density of $Cu/TiB_2$ composite material sintered at $800^{\circ}C$ showed about 98% of theoretical density. The $Cu-1vol%TiB_2$ composite material has a hardness of about 130Hv and an electric conductivity of about 85% IACS. The hardness and electric conductivity of $Cu-3vol%TiB_2$ composite material were about 140 Hv and about 45% IACS, respectively.
본 연구는 전기 장에서 광여기 탈착과 이온화에 근거한 표면연구의 새로운 장치를 개발하고 시험한 결과를 보고한다. 실험장치의 분해능을 테스트 하기 위해 텡스텐(110)면에서 흡착기체 $H_2$ 와 He 가스를 조사하였으며, 팁의 온도는 80 K이었다. 장세기가 10 V/nm에서 50 V/nm사이에서 사용한 파장은 193 nm이였으며, 텡스텐(110)면에 가스가 흡착되었을때 레이저빔의 전자적인 여기로 부터 흡착가스와 팁에서 여러종류의 이온들이 형성되었다($H_2^+, CO^+, H_2O^+, He^+, W^{3+}$ 그리고 $W^{2+}$). 전체 mass spectrum의 기록은 Transient recorder가 가능하게 한다.
본 논문에서 제안한 probe 고정형 SAR 측정 시스템은 9개의 프로브를 측정 대상체에 꽃아 획득한 전기장 값들로부터 수초 이내에 $1cm^2$ SAR 값을 계산하고, 그 면적 SAR 값으로부터 1g SAR 값을 도출하는 기술로서, 이동통신 단말기의 개발 단계 및 생산 라인에 투입하여 신속하게 SAR 값을 측정하게 해준다. 국제 표준 문서에서 제시한 1g 기준 SAR 값과 측정된 SAR 값을 비교함으로써 제안된 측정 시스템의 타당성을 확인하였다.
A reliable voltage measurement system is necessary to monitor status of power facilities in substations, which is easy to set up and is not influenced by electromagnetic interference in and around substation. In this paper, we described a voltage measurement system (VMS) which is composed of a capacitive voltage probe, an impedance converter, and an optical linker. To get a wide-band characteristic of the VMS, a high speed impedance converter was used, and the output impedance of the VMS was set at $50{\Omega}$ to match any types of observing instruments. The frequency bandwidth of the VMS. which was estimated by a step pulse, was ranges from 11.42 Hz to 13.65 MHz, and the VMS showed a good response characteristic in a high frequency domain such as impulse voltages as well as a commercial frequency voltage.
Experiments were done for the comparison of performance and flow characteristics between a two stage axial flow fan and a counter-rotating axial flow fm. The fan performance curves were obtained by the Korean Standard Testing Methods for Turbo Fans and Blowers (KS B 6311). The fan flow characteristics were measured using a five-hole probe by the non-nulling method. Each stage of the two stage axial flow fan used for the present study has an eight bladed rotor and thirteen stator blades. The front and the rear rotor of the counter-rotating axial flow fan have eight blades each and are driven by coaxial counter rotating shafts through a gear box located between the rear rotor and the electric motor. Both of the two axial fan configurations use identical rotor blades and the same operating conditions for the one-to-one comparison of the two. Performance characteristics of the two configurations were obtained and compared by varying the blade setting angles and axial gaps between the blade rows. The passage flow fields between the hub and tip of the fans were measured and analyzed for the particular operating conditions of peak efficiency, minimum and maximum pressure coefficients.
본 논문에서는 뉴로-퍼지 방법을 이용한 한방 맥진 및 양도락 진단 알고리즘을 제안하고 DSP보드를 중심으로 한 실시간 진단 시스템을 구현한다. 맥진은 환자의 손목에 있는 촌관척부에 부착한 맥진 Probe를 통해 맥진카드의 3 채널로 신호가 입력되도록 하여, 1차적으로 좌부맥, 좌침맥, 우부맥, 우침맥으로 나누어 촌관척 3부분을 동시에 실험하고, 2차적으로는 촌관척 중 1부분씩 개별적으로도 실험을 행할 수 있도록 한다. 실제 실험을 통하여 어느 맥진 Probe로도 맥진 신호가 세밀하게 검출됨을 확인한다. 양도락 진단에서는 전기자극기에서 발생된 펄스를 인체의 일정부위에 주입하면 12경맥의 대표측정점에 부착된 전극을 통해 응답신호를 검출해 내도록 한다. 실험은 ① 1채널씩 검출, ② 2채널(좌, 우)씩 검출, ③ 6채널(좌수, 우수, 좌족, 우족)씩 4단계로 검출, ④ 24채널 동시 검출 후, 1차적으로 퍼지진단을 행하고, 2차적으로 퍼지진단값을 신경회로망의 입력으로 이용하여 신경회로망 훈련을 행하였다. 그리고 임의의 환자에게서 측정한 검출값을 곧바로 기 훈련 된 양도락 신호의 패턴인식을 행하여 양도락 신호의 뉴로-퍼지 진단이 잘 수행됨을 확인하였다.
천연가스 공급용 고압 지하 매설배관에 교류가 유도될 때 쿠폰과 전기저항형 박막센서를 이용하여 교류에 의한 부식속도를 평가하고 주요한 인자를 규명하고자 하였다. 전국에 걸쳐 조사된 교류전압 측정결과를 바탕으로 쿠폰과 전기저항형 박막센서를 설치하고, 주요인자를 고찰하기 위하여 다양한 인자들 (교류전압, 교류전류, 토양 비저항, 주파수, 방식전위)을 정기적으로 기록하였다. 황산동 전극기준 -850mV의 방식전위를 충분히 만족하는 상황에서도 교류에 의한 부식이 진행하였으며, 교류에 의한 부식속도는 교류전압과는 관계없이 교류전류밀도와 주파수에 의존하는 것으로 나타났다. 교류에 의한 부식속도는 유효교류전류밀도에 따라 직선적으로 증가하였으며, 쿠폰에 의한 평가결과 직선의 기울기는 0.619, 전기저항형 센서에 의한 직선의 기울기는 0.885로 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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