• 한국안전학회지
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• 제15권4호
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• pp.62-68
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• 2000

Static electricity in electronics manufacturing plants causes the economic loss, yet it is one of the least understood and least recognized effects haunting the industry today. Today's challenge in semiconductor devices is to achieve greater functional density pattern and to miniaturize electronic systems of being more fragile by electrostatic discharges(ESD) phenomena. As the use of automatic handling equipment for static-sensitive semiconductor components is rapidly increased, most manufacturers need to be more alert to the problem of ESD. One of the most common causes of electrostatic damage is the direct transfer of electrostatic charge from the human body or a charged material to the static-sensitive devices. To evaluate the ESD hazards by charged human body and devices, in this paper, characteristics of electrostatic attenuation in domestic semiconductor devices is investigated and the voltage to cause electronic component failures is investigated by field-induced charged device model(FCDM) tester. The FCDM simulator provides a fast and inexpensive test that faithfully represents ESD hazards in plants. Also the results obtained in this paper can be used for the prevention of semiconductor failure from ESD hazards.

• Clinical Endoscopy
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• 제57권1호
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• pp.36-47
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• 2024

Background/Aims: Scissor-type endoscopic submucosal dissection (ST-ESD) knives can reduce the adverse events associated with ESDs. This study aimed to compare ST-ESD and non-scissor-type (NST)-ESD knives. Methods: We identified ten studies that compared the performance characteristics and safety profiles of ST-ESD and NST-ESD knives. Fixed- and random-effects models were used to calculate the pooled proportions. Heterogeneity was assessed using the I² test. Results: On comparing ST-ESD knives to NST-ESD knives, the weighted odds of en bloc resection was 1.61 (95% confidence interval [CI], 0.90-2.90; p=0.14), R0 resection was 1.10 (95% CI, 0.71-1.71; p=0.73), delayed bleeding was 0.40 (95% CI, 0.17-0.90; p=0.03), perforation was 0.35 (95% CI, 0.18-0.70; p<0.01) and ESD self-completion by non-experts was 1.89 (95% CI, 1.20-2.95; p<0.01). There was no heterogeneity, with an I² score of 0% (95% CI, 0%-54.40%). Conclusions: The findings of reduced odds of perforation, a trend toward reduced delayed bleeding, and an improvement in the rates of en bloc and R0 resection with ST-ESD knives compared to NST-ESD knives support the use of ST-ESD knives when non-experts perform ESDs or as an adjunct tool for challenging ESD procedures.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권1호
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• pp.1-12
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• 2001

2차원 소자 시뮬레이터를 이용하는 혼합모드 과도해석을 통해, NMOS 트랜지스터를 ESD 보호용 소자로 사용하는 CMOS 칩에서의 HBM ESD 현상에 대한 과도해석 방법론을 제시하고 HBM 방전 미케니즘에 대해 상세히 분석하였고, 보호용 소자 내에서의 2차항복 현상을 성공적으로 시뮬레이션하여 소자 파괴에 이르는 미케니즘을 설명하였다., 보호용 소자 구조의 변화가 방전 특성에 미치는 영향을 조사하기 위해 DC 해석 결과와 혼합모드 과도해석 결과를 비교 분석하였고, 분석 결과를 근거로 하여 HBM ESD에 보다 견고한 보호용 소자의 구조 설계에 대해 논의하였다.

• 한국위성정보통신학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.18-24
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• 2012

본 논문에서는 ESD 방지를 위한 최적 방법론에 목표하여 확장된 드레인을 갖는 EDNMOS 소자의 더블 스냅백 현상 및 백그라운 도핑 농도 (BDC)의 영향을 조사하였다. 고전류 영역에서 낮은 BDC를 가진 EDNMOS 소자는 강한 스냅백으로 인해 취약한 ESD 성능과 높은 래치업 위험을 가지게 되나, 높은 BDC를 가진 EDNMOS 소자는 스냅백을 효과적으로 방지할 수 있음을 알 수 있었다. 따라서 BDC 제어로 안정적인 ESD 방지 성능과 래치업 면역을 구현할 수 있음을 밝혔다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.97-98
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• 2006

High current behaviors of the grounded gate extended drain N-type metal-oxide-semiconductor field effects transistor (GG_EDNMOS) electro-static discharge (ESD) protection devices are analyzed. Simulation based contour analyses reveal that combination of BJT operation and deep electron channeling induced by high electron injection gives rise to the 2-nd on-state. Thus, the deep electron channel formation needs to be prevented in order to realize stable and robust ESD protection performance. Based on our analyses, general methodology to avoid the double snapback and to realize stable ESD protection is to be discussed.

• 한국가정과교육학회지
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• 제35권3호
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• pp.97-116
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• 2023

본 연구는 가정과수업에서 지속가능발전교육(ESD) 프로그램 연구를 메타분석하는 데 목적이 있다. 메타분석을 할 논문 선정을 위해 KCI에서 2000년부터 2023년 4월까지 검색어로 '환경', '지속가능', 'ESD', '녹색', '생태', '가정' 등과 함께 '개발', '적용', '효과' 등을 조합하여 논문을 수집하여 총 41개 논문을 최종 분석하였다. 랜덤효과 모형을 이용해서 전체적인 효과 크기를 측정한 결과, .51(SE=.08)로 가정과수업에서 지속가능발전교육 프로그램이 효과가 있는 것으로 나타났다. 가정과수업에서 ESD 프로그램의 효과 검증을 알아본 연구의 62개 효과크기를 연구설계, ESD 영역(사회, 환경, 경제), 내용 영역, 학교급, 학교 소재지에 따라 효과크기가 다른지 분석한 결과, 연구설계, 내용 영역, 학교 소재지에 따라 효과크기가 차이가 나는 것을 알 수 있었다. 이 연구는 메타분석을 통해 가정과교육에서 실행된 ESD가 효과가 있음을 확인한 것에 의의가 있으며, 앞으로 가정과수업을 통하여 지속가능한 생산과 소비, 기업의 지속가능성, 시장 경제 등 ESD에서 경제적 관점을 적용한 연구를 제언하였다.

• 항공우주산업기술동향
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• 제7권1호
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• pp.68-78
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• 2009

본 논문에서는 정전기 방전의 문제에 대한 우주 플라즈마 환경과 정전기 방전에 따른 영향을 간략하게 소개하였고, 위성시스템의 정전기 방전에 대비한 설계기술 문서의 고찰, 주요 정전기 방전 해석도구, 해석을 위한 모델링 기술 및 유럽에서 개발하고 있는 SPIS 프로그램에 대하여 소개했다. 우주의 플라즈마 환경에서 위성시스템에 대한 정전기 방전의 문제는 시스템 개발초기에 신중하게 다루어져야 한다. 이는 시스템의 목적, 구성, 전원 및 궤도환경에 따라 결정되어야 하며 시스템 설계 및 운용환경에 적합하게 적용되어야 한다. 위성체의 충전현상은 플라즈마를 구성하고 있는 전자나 양자 이온에 의한 전기적 전하의 축적으로 이것은 위성체에 심각한 영향을 줄 수 있기 때문에 위성시스템 설계를 위하여 정확한 이해가 요구되며, 이러한 이유로 미국과 유럽에서는 우주충전과 관련한 포괄적인 연구를 수행하고 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권3호
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• pp.155-165
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• 2001

2차원 소자 시뮬레이터를 사용하는 혼합모드 과도해석 방법을 제시하여, NMOS 트랜지스터를 ESD 보호용 소자로 사용하는 CMOS 칩에서의 충전소자모델(CDM) ESD 현상에 대한 분석을 시도하였다. 과도해석 결과의 분석을 통해 CDM 방전 경우 소자 파괴에 이르는 미케니즘에 대해 상세히 설명하였고 충전전기의 극성에 따른 방전 특성의 차이점도 비교 분석하였다. CDM 방전에서 가장 문제가 되는 입력버퍼의 게이트 산화막 파괴문제와 관련하여 배선저항 값의 변화에 의한 영향을 검토하였고, 입력버퍼회로 보호용 NMOS 트랜지스터의 추가에 의한 방전 특성의 변화에 대해 조사하였다.

• 한국초등과학교육학회지:초등과학교육
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• 제38권1호
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• pp.149-162
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• 2019

The purpose of this study was to develop an education for sustainable development(ESD) program using community resources in Paju and to investigate the influences on ESD competencies of 6th graders. The community resources used were Unjeong lake park, environmental circulation center, environmental management center, currency museum, butterfly museum, experience center for peaceful unification, Yulgok arboretum, and Jangsan observatory. The newly developed program was related to creative-experience activity and composed of 15 sessions for 6th-grade class in elementary school, including all of the environmental, economic, and social aspects of ESD. Two classes of the 6th grade were divided into the experimental group and the control group. The results to examine the effects of the program were as follows. First, it was proven that ESD program using community resources did not help improving the perception and function competencies of learners except for the thinking abilities. Second, it contributed to the improvement of learners' attitude competencies, especially in self-reflective attitude and other-oriented attitude. Also, according to in-depth interview, the students were constantly developing their values for sustainable development, reflecting their thoughts and behaviors in a reflective way and improving their attitude toward life.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제54권3호
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• pp.109-113
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• 2005

It has been reported that the failure phenomenon and variation of electrical characteristic due to the effect of electrostatic discharge(ESD) in silicon devices. But we had fess reports about the phenomenon due to the ESD in the compound semiconductors. So there are a lot of difficulty to the phenomenon analysis and to select the protection method of main circuits or the devices. It has not been reported that the relation between the ESD stress and GaN devices, which is remarkable to apply the operation in high temperature and high voltage due to the superior material characteristic. We studied that the characteristic variation of the AlGaN/GaN HEMT current, the leakage current, the transconductance(gm) and the failure phenomenon of device due to the ESD stress. We have applied the ESD stress by transmission line pulse(TLP) method, which is widely used in ESD stress experiments, and observed the variation of the electrical characteristic before and after applying the ESD stress. The on-current trended to increase after applying the ESD stress. The leakage current and transconductance were changed slightly. The failure point of device was mainly located in middle and edge sides of the gate, was considered the increase of temperature due to a leakage current. The GaN devices have poor thermal characteristic due to usage of the sapphire substrate, so it have been shown to easily fail at low voltage compared to the conventional GaAs devices.