• 제목/요약/키워드: ESD

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Silicon Selective Epitaxial Growth를 이용한 Elevated Source/Drain의 높이가 MOSFET의 전류-전압 특성에 미치는 영향 연구 (A Study of I-V characteristics for elevated source/drain structure MOSFET use of silicon selective epitaxial growth)

  • 이기암;김영신;박정호
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1357-1359
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    • 2001
  • 0.2${\mu}m$ 이하의 최소 선폭을 가지는 소자를 구현할 때 drain induced barrier lowering (DIBL)이나 hot electron effect와 같은 short channel effect (SCE)가 나타나며 이로 인하여 소자의 신뢰성이 악화되기도 한다. 이를 개선하기 위한 방법 중 하나가 silicon selective epitaxial growth (SEG)를 이용한 elevated source/drain (ESD) 구조이다. 본 연 구에서는 silicon selective epitaxial growth를 이용하여 elevated source/drain 구조를 갖는 MOSFET 소자와 일반적인 MOSFET 구조를 갖는 소자와의 차이를 elevated source/drain의 높이 변화에 따른 전류 전압 특성을 이용하여 비교, 분석하였으며 그 결과 elevated source/drain 구조가 short channel effect를 감소시킴을 확인할 수 있었다.

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정전기 방전에 의해 발생하는 전압 파형의 특성 (Characteristics of the Voltage Waveforms Caused by Electrostatic Discharges)

  • 이복희;이태룡;이경옥;김승지
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1721-1723
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    • 2001
  • With the rapid development of electronics industry and information-oriented society, the threat of fields radiated from electrostatic discharges (ESDs) to the electronic equipments is becoming more and more dangerous. To apply a proper protection method this paper presents the results of the measurement of the voltage and current peaks and the rise time of ESD derived from a charged human body under a variety of experimental conditions.

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3차원 SPICE 회로모델을 이용한 LED 신뢰성 분석 (Analysis of LED reliability using SPICE-based 3-dimensional circuit model)

  • 김진환;유순재;서종욱
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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    • pp.391-392
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    • 2008
  • A SPICE-based 3-dimensional circuit model of Light-Emitting Diode(LED) was modified include the reverse breakdown properties. The new model is found to be accurate to study the failure mechanisms of LEDs under electrostatic discharge (ESD) and electronic overstress (EOS). It was found that the permanent damages under heavy reverse stress is mainly due to the high electric field strength in P-GaN layer.

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VSI EWMA 관리도의 경제적 통계적 설계 (An Economic Statistical Design of the EWMA Control Charts with Variable Sampling Interval)

  • 송서일;박현규;정혜진
    • 품질경영학회지
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    • 제32권1호
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    • pp.92-101
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    • 2004
  • Tris paper present an economic statistical design which have statistically constraints for the optimal design of an EWMA control charts with variable sampling interval. Cost function use that proposed by Lorenzen and Vance, and the optimal design parameters include the sample size, control limit width, sampling interval, EWMA weight value. Comparisons between VSI EWMA control charts optimal economic design and optimal economic statistical designs show the following fact. Although have demerits which are more costly than economic design, have merits which to detect shifts more efficiently and to improve statistical performance.

휴대 단말 시스템용 전력증폭모듈(Power Amplifier Module)의 기술동향

  • 박타준;변우진
    • 한국전자파학회지:전자파기술
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    • 제14권4호
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    • pp.61-69
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    • 2003
  • Cellular network을 이용하는 휴대 단말기의 경우 TDMA(GSM, IS-136), CDMA(IS-95) 그리고 WCD-MA 등을 포함해서 년간 약 4억대 정도 생산되고 있고, PAM(Power Amplifier Module)은 단말기 한 대당 1~2개 정도 사용되며, 단말기의 battery 사용시간과 밀접한 관련이 있다. 또한 antenna front-end에 장착되기 때문에, 신호의 왜곡에 의한 인접채널 누설 전력과 harmonic 등 전기적인 규격의 적합성과 ESD, 습기 등 품질 신뢰성 문제에 직접적인 영향을 주는 중요한 부품 중의 하나이다. 이로 인하여 PAM의 핵심 기능을 담당하는 PA IC의 공정 기술과 설계 기술, PAM제조 기술 등의 향상에 대한 많은 연구와 개발이 이루어졌다. 본 고에서는 PAM의 최근 기술 동향과 기능적으로 PAM이 주변 수동 및 능동 부품과 집적화 되고 있는 복합 모듈의 동향에 대해서 기술한다.

LPF 내장형 7중 대역 LTCC 프런트엔드모듈 설계 (Design of 7 Bands LTCC Front-end Module Embedded LPF)

  • 김형은;서영광;김인배;문제도;이문규
    • 전기학회논문지
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    • 제61권3호
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    • pp.427-432
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    • 2012
  • In this paper, we have designed and fabricated 7-bands (GSM 850/900, DCS/PCS, and UMTS 3 bands) LTCC front end module (FEM) embedded LPF (low pass filter) to efficiently eliminate harmonics generated in TX path. The proposed FEM is composed of flip-chip typed CMOS SP9T switch to select transceiver signals, dual type SAW filters to receive Rx signals, and 0603 size chip components for the antenna matching and ESD protection. The whole size of FEM is $4.5{\times}3.2{\times}1.2mm^3$. The insertion loss of Tx and Rx ports are measured at 1.7 dB and 4.8 dB, respectively.

다중벽 탄소나노튜브와 폴리우레탄 복합화 필름의 물성특성 (The Physical Property of MWNT/PU Composite Films)

  • 김정현;박준형;김승진
    • 한국염색가공학회지
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    • 제22권3호
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    • pp.246-256
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    • 2010
  • This study studies on the physical property of MWNT/PU composite film for electrostatic dissipation (ESD) function by dispersing multi-wall carbon nanotubes (MWNT) in dimethylformamide (DMF) and by combining it with polyurethane(PU). For this purpose, four kinds of MWNT were selected and the composite films were made by dispersion processing, and their physical properties were measured and investigated in terms of electrical conductivity. For dispersion parameters, four MWNT contents(0.5, 1, 2, 5wt%) and two dispersion times(30min, 120min) were selected. The dispersion property and the electrical conductivity of MWNT/PU film was measured using a UV-Vis spectrometer and conductivity measuring apparatus. Finally, their physical properties according to the dispersion conditions were analyzed and discussed with various processing conditions.

SD법과 HFP법의 융합을 이용한 항만경쟁모델의 개발 (Development of Competitive Port Model Using the Hybrid Mechanism of System Dynamic Method and Hierarchical Fuzzy Process Method)

  • 여기태;이철영
    • 한국시스템다이내믹스연구
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    • 제1권1호
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    • pp.103-131
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    • 2000
  • If a system such as a port has a large boundary and complexity, and the system's substance is considered as a black box, forecast accuracy will be very low. Futhermore various components in a port exert significant influence on each other. To copy with these problem the form of structure models were introduced by using SD method. The Competitive Ports Model had several sub-systems consisting of each Unit Port models, and each Unit Port model was made by quantitative, qualitative factors and their feedback loops. The fact that all components of one port have influence on the components of the other ports should be taken into account to construct Competitive Port Models. However, with the current approach that is impossible, and in this paper therefore, models were simplified by HFP adapted to integrate level variables of unit port models. Although many studies on modelling of port competitive situation have been conducted, both theoretical frame and methodology are still very weak. In this study, a new algorithm called ESD(Extensional System Dynamics) for the evaluation of port competition was presented, and applied to simulate port systems in northeast asia.

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준정적해석과 동적해석을 통한 인체 방전 에너지 해석

  • 이종호;김두현;김상렬
    • 한국산업안전학회:학술대회논문집
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    • 한국안전학회 2001년도 공동학술대회
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    • pp.235-241
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    • 2001
  • 정전기는 일상생활에서 흔히 일어나는 현상으로 산업 전반에 걸쳐 많은 응용을 하고 있다. 그러나 정전기 방전 현상은 절연내력을 초과할 때 갑작스럽게 방출되면서 일어나는 공기중 전자전도 현상으로 외부 환경에 민감한 전기·전자 소자의 오동작 피해를 주거나 가연성 재료를 폭발시킬 수 있는 에너지원이 될 수 있다. 또한 정전기 피해의 원인 분석이 곤란하기 때문에 정전기 방전 현상의 정확한 이해가 필요하다. 따라서 방전 위험성 평가시 초기에 대전된 인체 전하량이 모두 방전 에너지로 쓰인다는 비현실적인 가정을 사실적인 방전 모델로 하여 방전현상을 이해하고, 정량적 해석 및 분석을 통하여 위험성을 올바르게 인식하고 평가하는 것이 필요하다 이에 ESD 현상에 대한 HBM, CDM, FIM 등 여러 모델을 이용하여 방전 메카니즘을 발표하여 정전기 현상을 이해하고, 각 종 규제를 강화하거나 확대하여 재해를 방지하고 있다. 그러나 국내의 인체 정전기 방전으로 인한 위험성을 올바르게 파악할 수 있는 연구나 연구 자료 및 문헌이 미비한 실정이다.(중략)

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