The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.22
no.6
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pp.1251-1258
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1997
Generally, it is very important to study selective coupling between cavities of the filter structure using multimode cavity resonator. In this paper, we have manufactured 5-pole bandpass filter(BPF) using dual and triple-mode cavity resonator. To do so, we have derived the formulas for coupling coefficient about coupling between TE-modes from TM/TE-mode's tangential and lognitudinal field intensities each other. To implement the Chebyshev response, the intercabity slot combining dual-mode and triple-mode is designed to couple one H-field of TE-mode parallel to slot plate. In this paper, specially it is derived the formulas for T $E_{11p}$-mode from TE-modes, and determined after obtaining location and size of intercabity slot from the equation. In this ppaer, based on this result, we designed and implmented teh bandpass filter operated at the center frequency of 14.5GHz with a Chebyshev response. For the manufactured cavity filter, dual-mode and triple-mode cavity are resonted by two orthogonal T $E_{113}$-modes, and by two orthogonal T $E_{113}$-modes and one T $M_{012}$-mode, respecitively. The 2-stage 5-pole BPF proposed in this paper has the insertion loss of -2.32dB, the reflection loss of -15dB in the passband, and the out-or-rejection of -67dB.
Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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2015.07a
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pp.124-126
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2015
e-Navigation의 전략이행계획(SIP)에서 S-Mode기능은 관련 설비에 적용하기로 결정되었으며, 표준화(Standardized)된 디스플레이, 기능 및 공통 인터페이스를 사용자에게 제공하여 항해안전성을 향상시키고자 도입되었다. 본 연구는 S-Mode 관련 기준 개발에 있어 초기 단계에서부터 사용자의 요구사항과 기대를 반영하기 위한 기초연구로 주사용자인 항해사를 대상으로 S-Mode의 필요성과 표준화의 범위, 개발에 고려하여야 할 우선순위 요소에 대한 설문조사를 실시하고 그 내용을 분석하였다. 연구의 결과는 e-Navigation 이행 시 선박 항해설비 전반에 적용될 S-Mode 개념 및 기능에 대한 개념을 구체화하고, 개발에 고려할 세부요소들을 제시하여 관련 기술개발에 도움이 될 것으로 기대된다.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.34
no.4B
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pp.319-328
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2009
IEEE 802.16e standard defines different Sleep Mode Operations according to kind of services which aims at saving energy for MS efficiently. The previous study of Sleep Mode Operation is limited for single service environment, real sleep interval is decreased because different Sleep Mode Operations are applied at once when MS is on multi service. The proposed Enhanced Sleep Mode Operation increasing real sleep interval of this paper guarantees QoS(Quality of Services) which is same as standard, minimizes energy consumption when different Sleep Mode Operations are applied at once. Therefore Enhanced Sleep Mode Operation of this paper will be useful in case of increase battery life time as well as guaranteeing QoS for MS in IEEE 802.16 system.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.13
no.4
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pp.387-394
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2013
As the feature size of integrated circuits continues to decrease, the challenge of achieving an oxidation-free exposed layer after photoresist (PR) stripping is becoming a critical issue for semiconductor device fabrication. In this article, the hydrogen plasma characteristics in direct plasma and the PR stripping rate in remote plasma were studied using a $120{\Phi}$ cylindrical inductively coupled plasma source. E mode, H mode and E-H mode transitions were observed, which were defined by matching the $V_{rms}$ and total impedance. In addition, the dependence of the E-H mode transition on pressure was examined and the corresponding plasma instability regions were identified. The plasma density and electron temperature increased gradually under the same process conditions. In contrast, the PR stripping rate decreased with increasing proportion of $H_2$ gas in mixed $H_2/N_2$ plasma. The decrease in concentration of reactive radicals for the removal of PR with increasing $H_2$ gas flow rate suggests that NH radicals have a dominant effect as the main volatile product.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.24
no.2
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pp.321-324
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2020
In this work, we developed a selective etching process for GaN that is a key process in p-GaN/AlGaN/GaN enhancement-mode (E-mode) power switching field-effect transistor (FET) fabrication. In order to achieve a high current density of p-GaN/AlGaN/GaN E-mode FET, the p-GaN layer beside the gate region must be selectively etched whereas the underneath AlGaN layer should be maintained. A selective etching process was implemented by oxidizing the surface of the AlGaN layer and the GaN layer by adding O2 gas to Cl2/N2 gas which is generally used for GaN etching. A selective etching process was optimized using Cl2/N2/O2 gas mixture and a high selectivity of 53:1 (= GaN/AlGaN) was achieved.
Kim, Jae Sik;Yoon, Ji Hwan;Yoon, Young Joong;Lee, Woo-Sang;So, Joon-Ho
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.24
no.5
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pp.502-507
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2013
In this paper, a circular dual mode horn with modified aperture is proposed to improve a E/H-plane radiation pattern symmetry of a conventional oversized circular dual mode horn. The proposed antenna consists of a feeding section, a mode generation section and a phase matching section which has aperture shape transition from circle to ellipse or rectangle to improve a E/H-plane radiation pattern symmetry. To compare the performances between the proposed antenna and the convenional circular dual mode horn, the conventional circular dual mode horn and the proposed circular dual mode horn with rectangular aperture are fabricated and researched at 15 GHz. The measured results show that the conventional circular dual mode horn has 3.394 dB difference while the proposed antenna has only 0.539 dB difference between E and H-plane radiation patterns within the -11 dB beamwidth($53^{\circ}$) which is required beamwidth of the feed horn for the maximum aperture efficiency where f/d ratio of reflector antenna is 1.
In this study, we have performed the Cone Calorimeter test and Smoke density test in accordance with ISO 5660-1 and ASTM E662 respectively to check the smoke production characteristics of rubber flooring materials for railway vehicle. Early in the ASTM E662 test, more smoke was produced in the flame mode test than non-flame mode test, but later more smoke was produced in non-flame mode test. The correlation($R^2$) between TSR(Total Smoke Release) by ISO 5660-1 and Ds(Specific Optical Density) by ASTM E662 Flame mode was 0.782. The $R^2$ between TSR by ISO 5660-1 and Ds by ASTM E662 Non-flame was 0.930.
Yang Jong-Kyung;Pack Kwang-Hyun;Lee Jong-Chan;Park Dae-Hee
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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v.5C
no.3
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pp.124-130
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2005
In this paper, we designed a cylindrical type light source having an electromagnetic principle of inductively coupled plasma, and measured its electrical-optical properties. Using the transformer principle, an electrically equivalent circuit cylindrical type light source was analyzed. According to the parameters of electromagnetic induction, which were diameter of coil with cpO.3$\~$ 1.2mm, number of turns with 4$\~$ 12 turns, distance with 40$\~$ l20mm and RF power with 10$\~$ 150W, the electrical .md optical properties were measured. When the diameter of the coil was cp0.3mm, number of turns was 8 and distance was 40mm, and the maximum brightness of 29,730 cd/m$^{2}$ was shown with RF power l50W. The relationship between electromagnetic induction and plasma discharges was demonstrated using the mode transition from E-mode to H-mode
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.406-408
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1999
Amorphous carbon nitride thin films were prepared on pretreated silicon(100) substrate in sputtering graphite target by activated gas phase using RF reactively sputtering. We measured the FT-IR spectrum to identify C=N(nitrile)stretching mode(2200cm$\^$-1/), C-H stretching mode(2800cm$\^$-1/), C-H bending mode, C=C stretching mode C=N(imino) mode(1680cm$\^$-1/ ), and the XPS to investigate chemical structure of surface. By the results of FT-H and XPS spectrum, We confirmed that amorphous carbon nitride films with typel (C(1s): 285.9[eV], N(1s): 398.5[ev]) and type 2(C1s): 287.5[eV, N(1s): 400.2[eV]) successfully were synthesized by RF reactively sputtering
◆ 이동 인터넷 기반의 무선 전자상거래 ◆ 무선 디바이스 사용ㆍ 인터넷 기반 휴대전화, 무선 기반 PDA 등. ◆ 보안 및 인증, 사용자 인터페이스가 중요한 문제임 ◆블루투스(Bluetooth) 기술을 내장한 휴대전화, PDA, 노트북 등의 장비가 m-commerce 시장을 더 활성화 시킬 것으로 예상됨. ◆ H-commerce를 위한 무선 인터넷 플랫폼으로는 WAP, MME(Microsoft ME), i-Mode 등이 있음. WAP - 011, 017, 019 MME - 016, 018 i-Mode : 일본 NTT 도코모(중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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