Oh, Seung Kyu;Song, Chi Gyun;Jang, Taehoon;Kwak, Joon Seop
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제13권6호
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pp.617-621
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2013
This study examined the effect of electron-beam (E-beam) irradiation on the electrical properties of n-GaN, AlGaN and AlGN/GaN structures on sapphire substrates. E-beam irradiation resulted in a significant decrease in the gate leakage current of the n-GaN, AlGaN and HEMT structure from $4.0{\times}10^{-4}A$, $6.5{\times}10^{-5}A$, $2.7{\times}10^{-8}A$ to $7.7{\times}10^{-5}A$, $7.7{\times}10^{-6}A$, $4.7{\times}10^{-9}A$, respectively, at a drain voltage of -10V. Furthermore, we also investigated the effect of E-beam irradiation on the AlGaN surface in AlGaN/GaN heterostructure high electron mobility transistors(HEMTs). The results showed that the maximum drain current density of the AlGaN/GaN HEMTs with E-beam irradiation was greatly improved, when compared to that of the AlGaN/GaN HEMTs without E-beam irradiation. These results strongly suggest that E-beam irradiation is a promising method to reduce leakage current of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire through the neutralization the trap.
Let ${\cal{L}}$ be a commutative subspace lattice on a Hilbert space ${\cal{H}}$ and X and Y be operators on ${\cal{H}}$. Let $${\cal{M}}_X=\{{\sum}{\limits_{i=1}^n}E_{i}Xf_{i}:n{\in}{\mathbb{N}},f_{i}{\in}{\cal{H}}\;and\;E_{i}{\in}{\cal{L}}\}$$ and $${\cal{M}}_Y=\{{\sum}{\limits_{i=1}^n}E_{i}Yf_{i}:n{\in}{\mathbb{N}},f_{i}{\in}{\cal{H}}\;and\;E_{i}{\in}{\cal{L}}\}.$$ Then the following are equivalent. (i) There is an operator A in $Alg{\cal{L}}$ such that AX = Y, Ag = 0 for all g in ${\overline{{\cal{M}}_X}}^{\bot},A^*A=AA^*$ and every E in ${\cal{L}}$ reduces A. (ii) ${\sup}\;\{K(E, f)\;:\;n\;{\in}\;{\mathbb{N}},f_i\;{\in}\;{\cal{H}}\;and\;E_i\;{\in}\;{\cal{L}}\}\;<\;\infty,\;{\overline{{\cal{M}}_Y}}\;{\subset}\;{\overline{{\cal{M}}_X}}$and there is an operator T acting on ${\cal{H}}$ such that ${\langle}EX\;f,Tg{\rangle}={\langle}EY\;f,Xg{\rangle}$ and ${\langle}ET\;f,Tg{\rangle}={\langle}EY\;f,Yg{\rangle}$ for all f, g in ${\cal{H}}$ and E in ${\cal{L}}$, where $K(E,\;f)\;=\;{\parallel}{\sum{\array}{n\\i=1}}\;E_{i}Y\;f_{i}{\parallel}/{\parallel}{\sum{\array}{n\\i=1}}\;E_{i}Xf_{i}{\parallel}$.
Let E be a uniformly convex Banach space and K a nonempty closed convex subset which is also a nonexpansive retract of E. For i = 1, 2, 3, let $T_i:K{\rightarrow}E$ be an asymptotically nonexpansive mappings with sequence ${\{k_n^{(i)}\}\subset[1,{\infty})$ such that $\sum_{n-1}^{\infty}(k_n^{(i)}-1)$ < ${\infty},\;k_{n}^{(i)}{\rightarrow}1$, as $n{\rightarrow}\infty$ and F(T)=$\bigcap_{i=3}^3F(T_i){\neq}{\phi}$ (the set of all common xed points of $T_i$, i = 1, 2, 3). Let {$a_n$},{$b_n$} and {$c_n$} are three real sequences in [0, 1] such that $\in{\leq}\;a_n,\;b_n,\;c_n\;{\leq}\;1-\in$ for $n{\in}N$ and some ${\in}{\geq}0$. Starting with arbitrary $x_1{\in}K$, define sequence {$x_n$} by setting {$$x_{n+1}=P((1-a_n)x_n+a_nT_1(PT_1)^{n-1}y_n)$$$$y_n=P((1-b_n)x_n+a_nT_2(PT_2)^{n-1}z_n)$$$$z_n=P((1-c_n)x_n+c_nT_3(PT_3)^{n-1}x_n)$$. Assume that one of the following conditions holds: (1) E satises the Opial property, (2) E has Frechet dierentiable norm, (3) $E^*$ has Kedec -Klee property, where $E^*$ is dual of E. Then sequence {$x_n$} converges weakly to some p${\in}$F(T).
For a fibration (E,B,p) with fiber F and a fiber map f, we show that if the inclusion $i : F \to E$ has a left homotopy inverse, then $G^f_n(E,F)$ is isomorphic to $G^f_n(F,E) \oplus \pi_n(B)$. In particular, by taking f as the identity map on E we have $G_n(E,F)$ is isomorphic to $G_n(F) \oplus \pi_n(B)$.
G $e_{1-x}$ S $n_{x}$G $e_{1-y}$S $n_{y}$ is a very promising material for the high-speed device due to the fact that electron and hole mobilities for the strained G $e_{1-x}$ S $n_{x}$G $e_{1-y}$S $n_{y}$ are greatly enhanced. Because G $e_{1-x}$ S $n_{x}$G $e_{1-y}$S $n_{y}$ has a direct band gap for the proper combination of x and y, it can be applied to the optoelectronic device. Therefore, the study of the electrical property for G $e_{1-x}$ S $n_{x}$G $e_{1-y}$S $n_{y}$(001) with a direct energy gap is needed. G $e_{1-x}$ S $n_{x}$ layer can not be grown thickly due to the large difference of lattice constants. This fact prefers the structure of the device where electrons and holes move in the plane direction. The transverse mobilities of electron and hole for G $e_{0.8}$S $n_{0.2}$Ge(001) are 2~3 times larger than those for Ge/Ge/ sub0.8/S $n_{0.2}$(001). Therefore, G $e_{0.8}$S $n_{0.2}$Ge(001) is expected to be better than Ge/G $e_{0.8}$S $n_{0.2}$(001) for the development of the high-speed device.h-speed device.device.h-speed device. device.
Two new sponges, Euryspongia coreana n, sp, and E. regularis n, sp., collected from Hataedo, Ulleungdo and Chujado, Korea by SCUBA diving during the period from 2001 to 2005. Euryspongia coreana n. sp, is very close to E. lactea Row, 1911 and E. arenaria Bergquist, 1961 in skeletal structure, but primary and secondary fibres of the new species are thicker than those of E. lactea, E. arenaria is cored with mostly spicule fragments but E. coreana n. sp. is cored with mainly sand. E. regularis n. sp. is readily distinguished from other eurypsongian sponges. by its thickly encrusting growth form, yellowish ivory colour, and thickness of fibres. The bright yellow color and regular ladder-like skeletal structure are major features distinguishing this E. regularis n. sp. from other euryspongian sponges. Most species are brown, violet, red or orange in color except for E. lactea (milky white), E. arenaria (biscuit) and E. coreana n. sp. (yellowish ivory). Other euryspongian sponges have regularly or irregularly well developed secondary fibres, but E. regularis n. sp. has simple and regular secondary fibres.
We define injective and projective representations of quivers with two vertices with n arrows. In the representation of quivers we denote n edges between two vertices as ${\Rightarrow}$ and n maps as $f_1{\sim}f_n$, and $E{\oplus}E{\oplus}{\cdots}{\oplus}E$ (n times) as ${\oplus}_nE$. We show that if E is an injective left R-module, then $${\oplus}_nE{\Longrightarrow[50]^{p_1{\sim}p_n}}E$$ is an injective representation of $Q={\bullet}{\Rightarrow}{\bullet}$ where $p_i(a_1,a_2,{\cdots},a_n)=a_i,\;i{\in}\{1,2,{\cdots},n\}$. Dually we show that if $M_1{\Longrightarrow[50]^{f_1{\sim}f_n}}M_2$ is an injective representation of a quiver $Q={\bullet}{\Rightarrow}{\bullet}$ then $M_1$ and $M_2$ are injective left R-modules. We also show that if P is a projective left R-module, then $$P\Longrightarrow[50]^{i_1{\sim}i_n}{\oplus}_nP$$ is a projective representation of $Q={\bullet}{\Rightarrow}{\bullet}$ where $i_k$ is the kth injection. And if $M_1\Longrightarrow[50]^{f_1{\sim}f_n}M_2$ is an projective representation of a quiver $Q={\bullet}{\Rightarrow}{\bullet}$ then $M_1$ and $M_2$ are projective left R-modules.
Let K be a nonempty closed convex subset of a Banach space E. Suppose $\{T_{n}\}$ (n = 1,2,...) is a uniformly asymptotically regular sequence of nonexpansive mappings from K to K such that ${\cap}_{n=1}^{\infty}$ F$\(T_n){\neq}{\phi}$. For $x_0{\in}K$, define $x_{n+1}={\lambda}_{n+1}x_{n}+(1-{\lambda}_{n+1})T_{n+1}x_{n},n{\geq}0$. If ${\lambda}_n{\subset}[0,1]$ satisfies $lim_{n{\rightarrow}{\infty}}{\lambda}_n=0$, we proved that $\{x_n\}$ weakly converges to some $z{\in}F\;as\;n{\rightarrow}{\infty}$ in the framework of reflexive Banach space E which satisfies the Opial's condition or has $Fr{\acute{e}}chet$ differentiable norm or its dual $E^*$ has the Kadec-Klee property. We also obtain that $\{x_n\}$ strongly converges to some $z{\in}F$ in Banach space E if K is a compact subset of E or there exists one map $T{\in}\{T_{n};n=1,2,...\}$ satisfy some compact conditions such as T is semi compact or satisfy Condition A or $lim_{n{\rightarrow}{\infty}}d(x_{n},F(T))=0$ and so on.
고흥지역 일대에 분포하는 백악기 화강암을 대상으로 석영내에 발달해 있는 아문미세균열을 측정하여 연구지역의 고응력장을 분석하였다. 5개의 시료(GH-1, GH-3, GH-4, GH-5, GH-8)에서 아문미세균열들의 방향을 측정하여 분석한 결과, GH-1, GH-3, GH-4에서 최대수평주응력은 $N60^{\circ}W$와 $N70^{\circ}E$, $N20^{\circ}W,\;N50^{\circ}W$의 방향성이 가장 우세하였으며, N-S와 $N30^{\circ}E$의 방향성도 미약하게 나타났다. GH-5와 GH-8시료에서는 최대수평주응력의 방향 $N40^{\circ}E$와 $N10^{\circ}E$가 가장 우세하였고, $N40^{\circ}W$의 방향성도 미약하게 나타났다 전체적인 최대수평주응력의 방향은 $N60^{\circ}W$가 가장 우세하였으며, $N20^{\circ}W$, $N20^{\circ}E$, $N70^{\circ}E$등의 방향성도 미약하게 나타났다. 이 연구의 결과와 기존의 고등력장에 관한 연구결과를 종합해 볼 때, 백악기 말에서 신생대 3기 초 사이 연구지역에 작용한 최대수평주응력의 방향은 WNW에서 NE로 변화했을 것으로 판단되며, 그 원인으로는 그 당시 동북아시아 일대에 일어났던 복잡한 지구조운동에 기인한 것으로 사료된다.
In this paper we establish some recurrence relations satisfied by quotient moments of upper record values from the exponential distribution. Let $\{X_n,\;n{\geq}1\}$ be a sequence of independent and identically distributed random variables with a common continuous distribution function F(x) and probability density function(pdf) f(x). Let $Y_n=max\{X_1,\;X_2,\;{\cdots},\;X_n\}$ for $n{\geq}1$. We say $X_j$ is an upper record value of $\{X_n,\;n{\geq}1\}$, if $Y_j>Y_{j-1}$, j > 1. The indices at which the upper record values occur are given by the record times {u(n)}, $n{\geq}1$, where u(n)=min\{j{\mid}j>u(n-1),\;X_j>X_{u(n-1)},\;n{\geq}2\} and u(1) = 1. Suppose $X{\in}Exp(1)$. Then $\Large{E\;\left.{\frac{X^r_{u(m)}}{X^{s+1}_{u(n)}}}\right)=\frac{1}{s}E\;\left.{\frac{X^r_{u(m)}}{X^s_{u(n-1)}}}\right)-\frac{1}{s}E\;\left.{\frac{X^r_{u(m)}}{X^s_{u(n)}}}\right)}$ and $\Large{E\;\left.{\frac{X^{r+1}_{u(m)}}{X^s_{u(n)}}}\right)=\frac{1}{(r+2)}E\;\left.{\frac{X^{r+2}_{u(m)}}{X^s_{u(n-1)}}}\right)-\frac{1}{(r+2)}E\;\left.{\frac{X^{r+2}_{u(m-1)}}{X^s_{u(n-1)}}}\right)}$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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