• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 C
• /
• pp.1585-1587
• /
• 2004

이중 에피층 구조를 가지는 SOI(Silicon-On-Insulator) LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor)의 에피층 두께 변화에 따른 항복전압 특성을 분석하였다. 제안된 소자는 전하보상효과를 얻기 위해 n/p-epi의 이중 에피층 구조를 사용하였으며, 에피층 전체에 걸쳐서 전류가 흐를 수 있도록 하기 위해 trenched anode구조를 채택하였다. 본 논문에서는 n/p-epi층의 농도를 고정시킨 후 각각의 epi층의 두께를 변화시켜가며 simulation을 수행하였을 때 항복전압의 변화 및 표면과 epi층에서의 전계분포변화를 분석하였다.

• 전자공학회논문지SC
• /
• 제39권2호
• /
• pp.140-145
• /
• 2002

본 논문은 단락회로 전류를 없애기 위한 CMOS 버퍼회로에 대한 것이다. 최종 구동소자는 풀-업 PMOS와 풀-다운 NMOS로 구성하고 이를 구동하기 위해 두가지 경로를 입력신호로 선택되도록 하였다. 이러한 기법으로 최종 구동회로가 짧은 시간동안 tri-state가 되어 단락회로 전류를 차단하였다. 모의 실험결과 전원전압 3.3V에서 전력-지연 곱을 기존의 Tapered 버퍼[1]와 비교하여 약 42% 줄일 수 있었다

• 전력전자학회:학술대회논문집
• /
• 전력전자학회 2011년도 전력전자학술대회
• /
• pp.287-289
• /
• 2011

본 논문은 인피니언 테크놀로지스의 RC-IGBT (Reverse Conducting Isolated Gate Bipolar Transistor)와 SOI 드라이브 IC(Integrated Circuit)를 사용한 DIL(Dual-In-Line) 구조의 저전력 모듈인 CIPOS TM (Control Integrated POwer System) 제품을 소개한다. 이 전력 모듈은 최적의 게이트 구동회로, 트렌치 필드스톱의 RC-IGBT를 사용하여 기존의 IGBT 와 Diode를 사용하는 구조에서 최소화 된 패키지 크기를 사용하여 높은 효율을 구현할 수 있다. 본 논문을 통하여 인버터의 어플리케이션에 적합하게 설계된 전력모듈에 대한 소개와 그 특징 및 시스템 구성을 위한 고려사항에 대하여 기술하였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제23권8호
• /
• pp.966-974
• /
• 2019

본 연구에서는 저전력 영역에서의 효율을 개선하기 위해 바이패스 구조를 갖춘 2.4GHz CMOS 전력 증폭기를 제안한다. 바이패스 구조를 설계하기 위해, 구동 증폭단의 공통 게이트 트랜지스터를 두 개로 분할하였다. 공통 게이트 트랜지스터 중 하나는 고출력 전력 모드를 위한 전력단을 구동하도록 설계된다. 다른 공통 게이트 트랜지스터는 저출력 전력 모드를 위해 전력단을 바이 패스하도록 설계하였다. 측정 된 최대 출력은 20.35 dBm이며 효율은 12.10 %이다. 11.52 dBm의 측정 된 출력에서 효율은 전력증폭단을 바이 패스함으로써 1.90 %에서 7.00 %로 향상됨을 확인하였다. 측정 결과를 바탕으로 제안 된 바이 패스 구조의 타당성을 성공적으로 검증 하였다.

• 한국안전학회지
• /
• 제36권2호
• /
• pp.10-17
• /
• 2021

This paper presents the robust design of each component used in the development of an induction bolt heating system for dismantling the high-temperature high-pressure casing heating bolts of turbines in power plants. The induction bolt heating system comprises seven assemblies, namely AC breaker, AC filter, inverter, transformer, work coil, cable, and CT/PT. For each of these assemblies, the various failure modes are identified by the failure mode and effects analysis (FMEA) method, and the causes and effects of these failure modes are presented. In addition, the risk priority numbers are deduced for the individual parts. To ensure robust design, the insulated-gate bipolar transistor (IGBT), switched-mode power supply (SMPS), C/T (adjusting current), capacitor, and coupling are selected. The IGBT is changed to a field-effect transistor (FET) to enhance the voltage applied to the induction heating system, and a dual-safety device is added to the SMPS. For C/T (adjusting current), the turns ratio is adjusted to ensure an appropriate amount of induced current. The capacitor is replaced by a product with heat resistance and durability; further, coupling with a water-resistant structure is improved such that the connecting parts are not easily destroyed. The ground connection is chosen for management priority.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
• /
• pp.45-48
• /
• 2002

Poly(3-hexylthiophene) or P3HT based organic thin film transistor (OTFT) array was fabricated on flexible poly carbonate substrates and the electrical characteristics were investigated. As the gate dielectric, a dual layer structure of polyimide-$SiO_2$ was used to improve the roughness of $SiO_2$ surface and further enhancing the device performance and also source-drain electrodes were $O_2$ plasma treated for improvement of the electrical properties, such as drain current and field effect mobility. For the active layer, polymer semiconductor, P3HT layer was printed by contact-printing and spin-coating method. The electrical properties of OTFT devices printed by both methods were evaluated for the comparison. Based on the experiments, P3HT-based OTFT array with field effect mobility of 0.02~0.025 $cm^{2}/V{\cdot}s$ and current modulation (or $I_{on}/I_{off}$ ratio) of $10^{3}\sim10^{4}$ was fabricated.