• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권10호
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• pp.678-686
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• 2001

CaAs metal semiconductor field effect transistor (MESFET) 소자의 전달컨덕턴스 분산 (transconductance dispersion) 현상과 게이트 누설 전류의 원인을 capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS) 측정을 이용하여 해석하였다. DLTS 스펙트럼에서는 활성화 에너지가 각각 0.65×0.07 eV와 0.88 × 0.04 eV인 두개의 표면 결함과 0.84 × 0.01 eV의 활성화 에너지를 갖는 EL2를 관찰하였다. 전달컨덕턴스 분산 측정 결과, 전달컨덕턴스는 5.5 Hz ∼ 300 Hz의 주파수 영역에서 감소하였다. 전달컨덕턴스 분산을 온도의 함수로 측정한 결과, 온도가 증가할수록 전이 주파수는 증가하였고 전이 주파수의 온도 의존성으로부터 0.66 ∼ 0.02 eV의 활성화 에너지를 구할 수 있었다. 게이트 누설 전류 측정에서는 0.15 V 이하의 게이트 전압에서 순 방향과 역 방향 게이트 전압이 일치하는 오믹 전류-전압 특성을 나타내었고 게이트 누설 전류의 온도 의존성으로부터 구한 활성화 에너지는 0.63 ∼ 0.01 eV로 계산되었다. 서로 다른 방법으로 구한 활성화 에너지의 비교로부터 표면 결함 H1이 주파수에 따라서 감소하는 전달컨덕턴스 분산 및 게이트 누설 전류의 원인임을 알 수 있었다.