• 대한전자공학회논문지TC
• /
• 제40권7호
• /
• pp.293-299
• /
• 2003

본 논문에서는 0.1 ㎛ GaAs PHEMTs MIMIC 공정을 이용하여 V-band에서 사용 가능한 고 성능의 sub-harmonic mixer를 제안하였다. LO신호의 n차 하모닉 성분을 이용하기 위해서는 LO신호 전력의 필연적인 감쇠가 있다. 이러한 단점을 극복하기 위하여 본 논문에서는 주파수를 혼합하기 위한 APDP(anti-parallel diode pair) 구조에 0.1 ㎛ PHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistors)를 각 단에 연결시켜 LO 신호의 4차 성분을 이용하는데 있어 주요한 성능 향상을 이루었다. PHEMT 다이오드 와 PHEMT를 0.1 ㎛의 게이트 길이를 갖는 동일 공정을 통하여 구현하였고 CPW (Coplanar Waveguide) 라이브러리를 개발하여 제안된 회로를 설계하였다. 또한 상대적으로 낮은 주파수의 출력 IF 단에는 출력 주파수의 선택성을 좋게 하기 위하여 Lumped 소자를 이용하여 정합회로를 구성하여 RF 입력 신호와 LO 신호의 출력단 유입을 억제하였다. 제작된 sub-harmonic mixer의 특성을 측정한 결과 입력 RF 주파수가 60.4 ㎓, LO 주파수가 14.5 ㎓일 때, 0.8 ㏈의 변환이득 특성을 얻었으며, LO-to-IF, LO-to-RF 격리 특성을 측정한 결과 동작영역에 걸쳐 50 ㏈ 이상의 높은 격리 특성을 나타내었다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
• /
• 제7권1호
• /
• pp.81-85
• /
• 2012

This paper presents a wideband and low-noise direct conversion front-end receiver supporting VHF and UHFbands simultaneously. The receiver iscomposed of a low-noise amplifier (LNA), a down conversion quadrature mixer, and a frequency divider by 2. The cascode configuration with the resistor feedback is exploited in the LNA to achieve a wide operating bandwidth. Four gainstep modesare employed using a switched resistor bank and a capacitor bank in the signal path to cope with wide dynamic input power range. The verticalbipolar junction transistors are used as the switching elements in the mixer to reduce 1/f noise corner frequency. The proposed front-end receiver fabricated in 0.18 ${\mu}m$ CMOS technology shows very low minimum noise figureof 1.8 dB and third order input intercept pointof -12dBm inthe high-gain mode of 26.5 dBmeasured at 500 MHz.The proposed receiverconsumeslow current of 20 mA from a 1.8 V power supply.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제12권4호
• /
• pp.426-432
• /
• 2012

A fully-integrated low power K-band radar transceiver in 130 nm CMOS process is presented. It consists of a low-noise amplifier (LNA), a down-conversion mixer, a power amplifier (PA), and a frequency synthesizer with injection locked buffer for driving mixer and PA. The receiver front-end provides a conversion gain of 19 dB. The LNA achieves a power gain of 15 dB and noise figure of 5.4 dB, and the PA has an output power of 9 dBm. The phase noise of VCO is -90 dBc/Hz at 1-MHz offset. The total dc power dissipation of the transceiver is 142 mW and the size of the chip is only $1.2{\times}1.4mm^2$.

• Journal of electromagnetic engineering and science
• /
• 제8권3호
• /
• pp.114-118
• /
• 2008

Direct-conversion RF front-end for 5-GHz WLAN is implemented in $0.18-{\mu}m$ CMOS technology. The front-end consists of a low noise amplifier, and low flicker noise down-conversion mixers. For the mixer, an inductor is included to resonate out parasitic tail capacitances in the transconductance stage at the operating frequency, thereby improves the flicker noise performance of the mixer, and the overall noise performance of the front-end. The receiver RF front-end has 6.5 dB noise figure, - 13 dBm input IP3, and voltage conversion gain of 20 dB with the power consumption of 30 mW.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2000년도 춘계종합학술대회
• /
• pp.139-142
• /
• 2000

본 논문에서는 마이크로파 트랜시버용 자기발진믹서를 설계·제작하였다. 설계된 자기 발진기는 10.75GHz의 동작주파수에서 4.33dBm의 출력을 보였으며 위상잡음은 100KHz의 offset주파수에서 -102dBc/Hz의 특성을 보였다. 입사신호 11.7호z∼12.9GHz를 인가시켰을 때 If 주파수 950MHz∼2150MHz 범위에서 변화이득은 6dB로 나타났으며 설계된 SOM은 디지털 트랜시버 시스템의 하향변환기에 적용할 수 있음을 확인하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제11권4호
• /
• pp.256-261
• /
• 2011

We demonstrate 3-Gb/s wireless link using a 60-GHz receiver front-end fabricated in $0.25-{\mu}m$ SiGe:C bipolar complementary metal oxide semiconductor (BiCMOS) and a mixed-mode quadrature phase-shift keying (QPSK) demodulator fabricated in 60-nm CMOS. The 60-GHz receiver consists of a low-noise amplifier and a down-conversion mixer. It has the peak conversion gain of 16 dB at 62 GHz and the 3-dB intermediate-frequency bandwidth of 6 GHz. The demodulator using 1-bit sampling scheme can demodulate up to 4.8-Gb/s QPSK signals. We achieve successful transmission of 3-Gb/s data in 60 GHz through 2-m wireless link.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(1)
• /
• pp.201-204
• /
• 2004

In this paper, a down-converter that can work for L-band RF front-end of DMB receiver is designed. Since DRK-02, a reference for our work, had been designed for a stationary receiver, not for mobile one, the supply voltage is set relatively high of 8.5V. We improve it with 3.3V and save design space and cost by employing only one Mixer and IF_Amp comparing to the reference one in which two Mixers and two IF_Amps are used.

• 산업기술연구
• /
• 제25권B호
• /
• pp.127-133
• /
• 2005

Manufacturing methods of Nano particles can be distinguished by top-down technology as physical method and bottom-up technology as chemical synthetic method. Top-down technology is a kind of method for making microstructure as like carving after forming a macroscopic structure in advance and its typical methods are ball milling, gas condensation method and so on. Nano Particles synthesized by bottom-up method have got to do dispersing process for using them as actual nano particles because their viscosity are very strong and so easy to shape cohesive substances. Therefore, this study is about a particle separating device which separates a certain constant size of grains processed already in mill and mixer because we mostly use media agitating mill as a device of milling and dispersing and we necessarily use very slight balls as media for manufacturing nano particles in the machine. The centrifugal device has been designed for passing and separating below a certain type of grain size after final process of particles in the mill.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제19권4호
• /
• pp.397-403
• /
• 2008

본 논문에서는 점 대 점 통신망으로 수요가 증가하고 있는 60 GHz 대역 무선 통신 장비의 주요 부품인 혼합기를 non-radiative dielectric 도파관으로 구현하였다. Non-radiative dielectric 도파관 혼합기의 제작에 있어서 가장 어려웠던 것이 유전체 선로 결합기의 구현이었는데, 유전체 선로를 정해진 곡율로 형상화하는 것과 정확한 간격으로 위치시키는 것이 쉽지 않기 때문이다. 이 때문에 유전체 선로 결합기를 갖는 혼합기의 경우 일정한 성능을 갖도록 제작하는 것이 매우 힘들었다. 본 논문에서는 유전체 선로 결합기를 도파관 방향성 결합기로 대체하여 가공을 통해 제작이 가능케 함으로써 결합기가 일정한 특성을 갖도록 하였다. 그 결과로 혼합기의 생산성이 획기적으로 개선되었다. 본 논문을 통해 구현된 혼합기의 설계 주파수는 RF 및 LO는 $57{\sim}64\;GHz$이고, IF는 $DC{\sim}2\;GHz$인데, LO가 10 dBm, 60 GHz인 조건에서 $60{\sim}62\;GHz$의 RF 입력에 대한 하향 변환 손실은 $10{\pm}1\;dB$로 측정되었다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제18권1호
• /
• pp.37-43
• /
• 2007

본 논문에서는 유럽형 점 대 점 마이크로파 고정 통신에 이용되는 주파수 하향 변환기 설계에 있어, 평탄도 개선 측면에서 접근한 단일 평형 주파수 혼합기의 설계 및 제작 결과에 대해 소개하도록 한다. 일반적인 주파수 하향 변환기의 구성에서 주파수 혼합기에 연결되는 RF필터 등의 여파기 임피던스 특성이 RF 대역에서만 유지되고 LO 대역에서는 그 특성이 달라져 LO 구동 전력이 혼합기 다이오드에 불규칙하게 인가됨에 따라 대역 평탄도 특성이 악화된다. 이에 대해 본 논문에서는 영상 대역 제거 필터 및 LO 고조파 필터를 혼합기 내에 집적하고 여파기와 혼합기 포트 간 전기적 길이를 이용하여, 평탄도 특성에 대한 여파기의 영향을 최소로 한 여파기 집적형 주파수 혼합기를 설계하였다. 제작된 주파수 혼합기는 RF 대역 $21.2{\sim}22.6\;GHz$, LO 대역 $19.32{\sim}20.72\;GHz$ IF 대역 1.88 GHz+/-50 MHz의 주파수 재원을 가지며, LO 구동 전력 10 dBm에서 영상 대역 제거 필터를 포함한 변환 손실이 8.5 dB, 대역평탄도 2 dB, 입력 PldB 8 dBm, 입력 IIP3 15 dBm의 특성을 보였다. RF, LO 및 IF 포트의 반사 손실은 각각 -12 dB, -10 dB, -5 dB의 특성을 보였다. LO/RF, LO/IF 격리도는 각각 20 dB, 50 dB로 측정되었다.