• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.2528-2530
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• 2000

In general, Diode makes a major role in electronic circuit. For example, switching of rectifier, cross current of switching rectifier, energy transfer of electronic element and reverse charge of capacitor, voltage insulation, energy feedback from load to power supply, and such as recovery of storaged energy. Generally, We regard power diode as ideal element, but it has a certain boundary actually, specially, We use diode for detecting circuit peak hold voltage signal. It has cut in voltage. It occurs error of measurement value namely. This error, below in region diode voltage drop (0.7v) measurement value is wholesome signal, Specially, We can not get precision data. Therefore, precision level is low between theoretical and measurement data because of error in actual circuit. Conclusionally, In this paper, We define the error concerning to the power diode characteristics which is used detecting of the minute signal, and recommend the method that minimize measurement error.

• 대한의생명과학회지
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• 제15권1호
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• pp.81-86
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• 2009

Lasers are necessity in our life related to the fields of medicine and cosmetic surgery. With 808 nm diode laser and $CO_2$ laser, we made some wounds on a dorsum of rat by laser irradiation. All of irradiations shows thermal effects on the whole region of skin tissues. They make wound damage depending on laser power and irradiation time. Because a collagen is plays an important role in tissue repair, we studied collagen accumulation in wound tissue. For wound healing, collagen accumulation was found in the near region of damage in epidermis and dermis layer of the rat skin. In case of the quantitative analysis of collagen in wound tissue, the amount of collagen in wound tissue by $CO_2$ laser irradiation is higher than that of 808 nm diode laser irradiation. And re-epithelialization was significantly faster in wound by $CO_2$ laser irradiation compared with that of 808 nm diode laser irradiation.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권10호
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• pp.19-28
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• 2005

본 논문에서는 추출격자 분포 브래그 반사기 (SGDBR: Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) 가 집적된 추출격자 분포 궤환 (SGDFB : Sampled Grating Distributed Feedback) 레이저 다이오드의 파장가변 특성을 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. SGDFB 영역에 있는 위상제어 영역의 길이는 출력 광 파워와 파장가변 범위에 많은 영향을 미치고 있음을 확인할 수 있었다. 또한 소자의 길이와 단면에서의 반사계수 및 단면의 위치에 의해 전체적인 파장가변 범위가 많은 영향을 받음을 확인하였다.

• 한국진공학회지
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• 제21권4호
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• pp.185-192
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• 2012

Light Emitting Diode (LED) 칩의 크기는 전도를 통한 열의 방출에 있어 면적의 확대로 인한 열 밀도의 감소와 칩의 외부양자효율 변화로 인하여 LED 칩의 p-n 정션 온도와 패키지의 열 저항에 영향을 미친다. 본 연구에서는 16칩 LED 패키지에서 칩의 크기가 0.6 mm와 1 mm인 두 가지 경우에 대하여 순전압(forward voltage)을 측정하였고, 순간열분석법(thermal transient analysis)을 이용하여 정션 온도와 열 저항을 평가하였으며, 이를 LED 칩의 전기적인 특성과 LED 패키지의 구조적인 특성과 연관하여 해석하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권8호
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• pp.1386-1391
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• 2000

본 논문에서는 다이오드의 비선형 특성을 선형화하고 온도에 따른 특성 변화를 보상하는 방법에 대해 연구하였다. 입력전력에 대한 다이오드의 비선형성을 선형화학 위해 Square root 회로를 사용하였으며, 온도에 따른 다이오드의 특성변화를 보상하기 위해서는 2개의 동일한 다이오드와 기준전위를 가변시킬 수 있는 OP-Amp를 사용하였다. 그 결과로써, (Square root 회로와 온도보상회로를 이용하여) 설계된 다이오드 전력 검출기는 입력전력이 -6㏈m보다 큰 경우에 0.23$\pm$0.025 V/㏈m의 비율로 선형적으로 출력전력을 검출하였으며, 상온에서 8$0^{\circ}C$까지의 온도변화에 대해 출력전압의 변화없이 안정적으로 동작하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.971-978
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• 2018

본 논문에서는 Ku대역 레이더시스템의 핵심부품인 리미터에 대한 설계 및 제작 결과에 대해서 다룬다. 도파관 구조인 다중 PIN다이오드 스위치 특성을 적용하여 설계한 리미터의 신호감쇄 대역을 확장하여, 광대역에서 신호감쇄가 가능하도록 설계 및 구현을 하였다. 제작된 리미터를 대상으로 실험한 결과, PIN다이오드 스위치가 모두 OFF일 때 유입되는 신호가 감쇄없이 전달되었고, 순차적으로 PIN다이오드 스위치가 ON되면 Ku대역 유입 신호가 20dB이상, 그리고 모두 ON이 되면 1000MHz 대역폭 범위에서 50dB 이상의 감쇄가 이루어지는 것을 확인하였다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제51권5호
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• pp.1279-1288
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• 2019

The vortex-type fluidic diode (FD) is a key safety component for inherent safety in various advanced reactors such as the sodium fast reactor (SFR) and the molten salt reactor (MSR). In this study, topology optimization is conducted to optimize the design of the vortex-type fluidic diode. The optimization domain is simplified to 2-dimensional geometry for a tangential port and chamber. As a result, a design with a circular chamber and a restrictor at the tangential port is obtained. To verify the new design, experimental study and computational fluid dynamics (CFD) analysis were conducted for inlet Reynolds numbers between 2000 and 6000. However, the results show that the performance of the new design is no better than the original reference design. To analyze the cause of this result, detailed analysis is performed on the velocity and pressure field using flow visualization experiments and 3-D CFD analysis. The results show that the discrepancy between the optimization results in 2-D and the experimental results in 3-D originated from exclusion of an important pressure loss contributor in the optimization process. This study also concludes that the junction design of the axial port and chamber offers potential for improvement of fluidic diode performance.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2000년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.299-304
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• 2000

In this paper we investigate accurately the input-output characteristic of single-phase diode rectifier. The diode rectifier has some advantages of simplicity cost and high-efficiency. But it has some defects which THD of input current low PF and voltage drop of output side. In order to compensate it we analyzed using the parameter variation and introduced capacitor insertion method for reducing the distortion and increasing the PF.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1559-1560
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• 2007

BGR mixture phosphor pumped by 400 nm is developed for white-light-emitting diode of liquid crystal display backlight. White-emitting phosphor is prepared by mixing $Ba_2SiO_4:Eu^{2+}$ and $(Ba,Sr)_3MgSi_2O_8:Eu^{2+},Mn^{2+}$ phosphors.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권1호
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• pp.71-76
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• 1994

Schottky diodes have been fabricated using the SDB wafer, and their characteristics have been investigated. For comparison, conventional planar and etched most structure were made on the same substrate. The ideality factor and barrier height of the fabricated devices are found to be 1.03 and 0.77eV, respectively. Breakdown volttge of the etched mesa Schottky diode has been increased to 180V. whereas it is 90V for the planar diode. Schottky diode with an etched mesa exhibits twice improvement in breaktown voltage.