• 제목/요약/키워드: Device to Device Integration

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중국의 Mobile Device Platform 기반 영상콘텐츠 Application 연구 (A Study on Video Content Application Based on Mobile Device Platform in China)

  • 스위;정진헌
    • 디지털융복합연구
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    • 제17권10호
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    • pp.433-438
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    • 2019
  • 본 논문은 중국의 Mobil Device Platform 기반 영상콘텐츠 Application에 대해 분석하였으며 향후 발전 방안에 대해 연구하였다. 조사에 따르면 2019년 현재 중국의 인터넷 서비스 가입자와 앱 사용자는 전체 인구의 78%를 기록하였다. 독자적으로 Mobil Device Platform을 개발하여 영상콘텐츠 Application 서비스를 제공하고 있으며, 2013년부터 현재까지 동영상 앱 사용자 수가 6억 4천만 명으로 집계되었다. 이중 65%의 사용자는 두 개 이상의 영상콘텐츠 앱을 설치해 사용하는 것으로 나타났다. 중국의 TikTok, Kuai Shou, MeiPai 등 영상콘텐츠 앱은 조작이 간편한 User Interface와 사용자가 손쉽게 영상콘텐츠를 직접 제작 가능하도록 촬영, 편집, 특수효과 등의 기능을 제공함으로서 10대, 20대, 30대 뿐만 아니라 40대 이상의 사용자까지도 끌어들이고 있다. 영상콘텐츠 제작기능 제공은 미국의 유명 동영상 플랫폼 You Tube와는 다른 차별화 된 특징이라 할 수 있다. 동영상 플랫폼 시장에서 핵심 경쟁력은 콘텐츠 창작에 달려있다. VR, AR 등의 영상공학을 융합한 영상콘텐츠는 동영상 플랫폼 시장을 더욱 활성화 시킬 전망이다.

Highly AC Voltage Fluctuation-Resistant LED Driver with Sinusoid-Like Reference

  • Ning, Ning;Tong, Zhenxiao;Yu, Dejun;Wu, Shuangyi;Chen, Wenbin;Feng, Chunyi
    • Journal of Power Electronics
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    • 제14권2호
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    • pp.257-264
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    • 2014
  • A novel converter-free AC LED driver that is highly resistant to the fluctuation of AC voltage is proposed in this study. By removing large passive components, such as the bulky capacitor and the large-value inductor, the integration of the driver circuit is enhanced while the driving current remains stable. The proposed circuit provides LED lamps with a driving current that can follow the sinusoid waveform to obtain a very high power factor (PF) and low total harmonic distortion (THD). The LED input current produced by this driving current is insensitive to fluctuations in the AC voltage. Users will thus not feel that LED lamps are flashing during the fluctuation. Experiment results indicate that the proposed system can obtain PF of 0.999 and THD as low as 3.3% for a five-string 6 W LED load under 220 V at 50 Hz.

통신용 VLSI 소자의 새로운 편간 DC 파라메터 테스트 연구 (A Study of New DC Pin-to-pin Parametric Test of VLSI Device using Communication)

  • 박용수;유흥균
    • 정보학연구
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    • 제2권2호
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    • pp.235-250
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    • 1999
  • 디지털 VLSI 소자 테스트는 소자 규격서에 정의 된 파라메터들을 최악의 환경 상태에서 소자가 설계된 기능들이 모두 동작하는 지를 보증하는 것이다. 통신용 VLSI 소자의 고집적화에 따른 제품의 신뢰성을 향상하는 것이 VLSI 소자 테스트에서 중요한 고려사항이 된다. 통신용 소자의 신뢰성 향상을 위해서 테스트 파라메터들이 증가되고 테스트 시간이 늘어난다. 데스트 종류는 크게 펑션 데스트, DC 파라메터 테스트 및 AC 파라메터 테스트로 나눌 수 있다 소자의 특성과 신뢰성을 분석하는 기존의 데스트 항목들 중에는 핀간 단락 또는 핀간 누설저항을 테스트하는 항목들이 없다. 본 논문은 핀간 현상을 모델링하고 현재의 DC 파라메터 테스트 방법을 수정하고 새로운 핀간 DC 파라메터들을 테스트하는 방법을 제안한다. 실제로 제품 테스트를 통해 테스트 방법의 수정과 추가에 따른 제품 테스트의 신뢰성 향상을 확인하였다.

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STI의 Top Profile 개선 및 Gap-Fill HLD 두께 평가 (STI Top Profile Improvement and Gap-Fill HLD Thickness Evaluation)

  • 강성준;정양희
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제17권6호
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    • pp.1175-1180
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    • 2022
  • STI는 반도체 소자의 소형화 및 고집적화에 따른 광역 평탄화를 위한 공정 기술로써 많은 연구가 이루어져 왔다. 본 연구에서는 STI의 profile 개선을 위한 방법으로 STI 건식각 후 HF 용액에 의한 pad oxide 습식각과 O2+CF4 건식각을 제안하였다. 이 공정 기술은 기존의 방법보다 소자의 밀집도에 따른 패턴간의 프로파일 불균형과 누설전류의 개선을 나타내었다. 또한 동일한 STI 깊이와 HLD 증착를 갖는 디바이스에 대하여 CMP 후 HLD 두께를 측정한 결과 디바이스 밀도에 따라 측정값이 다르게 나타났고 이는 CMP 후 디바이스 밀도에 따른 질화막의 두께 차이 및 슬러리의 선택비에 기인됨을 확인하였다.

Physical Web과 Eddystone 기반 BLE 디바이스 컨트롤 서버를 위한 안전한 BLE 통합 인증 시스템 (A Secure BLE Integration Authentication System for a BLE Device Control Server based on Physical Web and Eddystone)

  • 남춘성;정현희;신동렬
    • 정보과학회 논문지
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    • 제43권10호
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    • pp.1094-1103
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    • 2016
  • Physical Web과 Eddystone은 하나의 통합된 어플리케이션에서 URL을 통해 각각의 서버에서 서비스를 구현하는 방식으로 단 하나의 어플리케이션으로 작동할 수 있다. 하지만, 각 BLE 디바이스의 역할을 위해서는 BLE 디바이스에 맞는 어플리케이션이 따로 존재해야만 한다. 이를 극복하기 위해 BLE 디바이스 컨트롤 서버를 통해 각 제조사와 Beacon을 연동하고 통합된 어플리케이션을 지원하기 위한 새로운 플랫폼이 필요하다. 이는 Beacon의 서비스를 위한 Push(Broadcasting)와 관리를 위한 Pull(Connection)을 모두 담당하게 해야 되며, 특히 Pull과 같은 경우에는 권한을 통해서 관리가 가능해야 한다. 이를 위해 BLE 통신에서 새롭고 안전한 통신 프로토콜이 필요하다. 이에 본 논문은 Physical Web 및 Eddystone 기반의 BLE 디바이스 컨트롤 서버에서 보안이 적용된 기기 제어를 위한 BLE 통합 인증 시스템을 제안한다.

FRAM개발동향 및 신개념 FRAM

  • 유인경
    • 전자공학회지
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    • 제25권7호
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    • pp.53-63
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    • 1998
  • This paper reviews development trends of ferroelectric memories. Materials requirements, integration issues, device structures are reviewed for 1T-1C and 1Tr type FRAM. Other types of FRAM such as DSRAM and SFRAM are also described. Limitations in FRAM development are discussed for the viewpoint of memory concept and material properties. Finally, novel FRAM structures and operational concepts are proposed in order to avoid such limitations.

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지식진화형 지능공작기계-Part 1: M2M 환경에서의 Agent 표준 플랫폼 기반 Dialogue Module 설계 (Knowledge-Evolutionary Intelligent Machine Tools - Part 1: Design of Dialogue Module based on Agent Standard Platform in M2M Environment)

  • 김동훈;송준엽
    • 제어로봇시스템학회논문지
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    • 제12권6호
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    • pp.600-607
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    • 2006
  • For the effective operation of manufacturing system, FMS(Flexible Manufacturing System) and CIM(Computer Integrated Manufacturing) system are developed. In these systems, a machine tool is the target of integration in last 3 decades. In nowadays, the conventional concept of machine tools is changing to the autonomous manufacturing device based on knowledge-evolution through applying advanced information technology in which open architecture controller, high speed network and internet technology are contained. In this environment, a machine tool is not the target of integration but the subject of cooperation. In the future, a machine tool will be more improved in the form of a knowledge-evolution based device. In order to develop the knowledge-evolution based machine tools, this paper proposes the structure of knowledge evolution in M2M(Machine To Machine) and the scheme of a dialogue agent among agent-based modules such as a sensory module, a dialogue module, and an expert system. The dialogue agent has a role of interfacing with another machine for cooperation. To design the dialogue agent module in M2M environment, FIPA-OS and ping agent based on FIPA-OS are analyzed in this study. Through this, it is expected that the dialogue agent module can be more efficiently designed and the knowledge-evolution based machine tools can be hereafter more easily implemented.

Integrated Circuit Design Based on Carbon Nanotube Field Effect Transistor

  • Kim, Yong-Bin
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제12권5호
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    • pp.175-188
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    • 2011
  • As complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) continues to scale down deeper into the nanoscale, various device non-idealities cause the I-V characteristics to be substantially different from well-tempered metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). The last few years witnessed a dramatic increase in nanotechnology research, especially the nanoelectronics. These technologies vary in their maturity. Carbon nanotubes (CNTs) are at the forefront of these new materials because of the unique mechanical and electronic properties. CNTFET is the most promising technology to extend or complement traditional silicon technology due to three reasons: first, the operation principle and the device structure are similar to CMOS devices and it is possible to reuse the established CMOS design infrastructure. Second, it is also possible to reuse CMOS fabrication process. And the most important reason is that CNTFET has the best experimentally demonstrated device current carrying ability to date. This paper discusses and reviewsthe feasibility of the CNTFET's application at this point of time in integrated circuits design by investigating different types of circuit blocks considering the advantages that the CNTFETs offer.

차세대 웨어러블 전자시스템용 실리콘 나노선 트랜지스터 연구 (Research on Silicon Nanowire Transistors for Future Wearable Electronic Systems)

  • 임경민;김민석;김윤중;임두혁;김상식
    • 진공이야기
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    • 제3권3호
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    • pp.15-18
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    • 2016
  • In future wearable electronic systems, 3-dimensional (3D) devices have attracted much attention due to their high density integration and low-power functionality. Among 3D devices, gate-all-around (GAA) nanowire transistor provides superior gate controllability, resulting in suppressing short channel effect and other drawbacks in 2D metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). Silicon nanowires (SiNWs) are the most promising building block for GAA structure device due to their compatibility with the current Si-based ultra large scale integration (ULSI) technology. Moreover, the theoretical limit for subthreshold swing (SS) of MOSFET is 60 mV/dec at room temperature, which causes the increase in Ioff current. To overcome theoretical limit for the SS, it is crucial that research into new types of device concepts should be performed. In our present studies, we have experimentally demonstrated feedback FET (FBFET) and tunnel FET (TFET) with sub-60 mV/dec based on SiNWs. Also, we fabricated SiNW based complementary TFET (c-TFET) and SiNW complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) inverter. Our research demonstrates the promising potential of SiNW electronic devices for future wearable electronic systems.

관심 영역의 트랜스코딩 기법을 이용한 모바일 프리젠테이션 (Mobile Presentation using Transcoding Method of Region of Interest)

  • 서정희;박흥복
    • 정보처리학회논문지C
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    • 제17C권2호
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    • pp.197-204
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    • 2010
  • 웹 기반의 학습 환경과 모바일 디바이스 기술과의 효과적인 통합은 개발자들에게 새로운 도전으로 여겨지고 있다. 그러나 모바일 디바이스의 스크린 사이즈는 너무 작고, 성능 또한 매우 떨어진다. 이런 모바일 기술의 한계로 인해 웹에서의 실시간 영상 전송을 수반하는 사이버 강좌와 같이 방대한 데이터를 모바일 스크린에 그대로 디스플레이 한다는 것은 많은 문제점을 야기시킨다. 먼저 사용자가 모바일 디바이스를 통하여 학습 내용을 정확하게 인지하기가 어렵고, 방대한 정보의 비디오 스트림을 연속적으로 모바일 디바이스로의 전송은 모바일 시스템에 많은 부하를 야기시킨다. 결과적으로 퍼스컴에서 활용하기 위해서 개발된 어플리케이션을 그대로 모바일 디바이스에서 사용하기가 적절하지 않으므로 모바일 디바이스에 알맞은 플레이어가 개발되어야 한다. 따라서 본 논문은 관심 영역의 트랜스코딩 기법을 이용한 모바일 프리젠테이션을 제안한다. 사이버 강좌 또는 원거리 강의와 같은 학습 영상의 연속적인 비디오 프레임을 모바일로 디스플레이하기 위해서는 고해상도 디지털영상과 모바일 디바이스 사이의 성능 차이를 극복해야 한다. 이를 해결하기 위한 트랜스코딩 기법은 화질의 손상을 초래하므로 높은 수준의 화질을 보장하기 위해서는 트랜스코딩과 선택된 학습 자원 사이의 시행착오에 의해서 적응될 수 있다.