• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1989년도 제4회 파동 및 레이저 학술발표회 4th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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• pp.230-234
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• 1989

Pyroelectric TGS(triglycine sulfate) detectors, whose thicknesses are 0.1mm and 0.2 mm, are fabricated using the grown TGS crystals from aqueous solution. The outut power and noise from these detectors are measured as a function of chopping frequency in the range from 10Hz to 160Hz with the interval of 10Hz. Response time, responsivity and detectivity are derived from the measured output power and noise of the detectors. The results show that the response time is about 15ms, resposivity is 100V/W at 10Hz and the detectivity at the maximum spectral wavelength D{{{{ lambda }}P* is about 10 cmHz1/2w-1.

• 융합신호처리학회논문지
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• 제3권4호
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• pp.74-78
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• 2002

인체감지용 초전형 적외선 센서 시스템은 최소 2개 이상의 센서를 사용한다. 상부전극과 바닥전극의 디자인을 새로이 하여 센서 2개가 인체감지를 가능하게 하는 센서 시스템을 센서 1개로 구성한 변환기를 설계하였다. 초전성 효과를 나타내는 재료로는 P(VDF/TrFE) 필름을 이용하였다 제작된 적외선 센서는 기존의 2개 이상의 센서를 사용하던 시스템에 비해 거의 같은 결과인 적외선원 13 $\times$ 10$10^-6$ 에 대하여 9.62 $\times$ 10$10^5$ V/W 의 높은 전압감도를 나타내었으며 NEP (noise equivalent power) 는 3.95 $\times$ $10^-7$/ W, 그리고 specific detectivity D$^*$는 5.06 $\times$ $10^5$ cm/W나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.104-107
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• 2001

The fabricated La-modified lead titanate (PLT) thin flim without paling treatment was investigated for modulation frequency dependence of pyroelectric properties by the dynamic method. $Pb_{1-x}La_{x}Ti_{1-x/4}O_{3}$ PLT (x=0.1) thin film having 10 mol% La content was deposited on a $Pt/TiO_{x}/SiO_{2}/Si$ substrate by sol-gel method. The PLT(10) thin film exhibits a relatively excellent dielectric property. The pyroelectric coefficient (p) of the PLT(10) thin film is $6.6{\times}10^{-9}C/cm_{2}\cdot K$ without frequency dependence. The figure of merits for the voltage responsivity and specific detectivity are $1.03{\times}10^{-11}C\cdot cm/J$ and $1.46\times 10^{-9}C\cdot cm/J$, respectively. The PLT(10) thin film has voltage responsivity (Rv) of 5.15 V/W at 8 Hz. Noise equivalent power (NEP) and specific detectivity (D*) of the PLT(10) thin film are$9.93{\times}10^{-8}W/Hz^{1/2}$ and $1.81\times 10^{6}cmHz^{1/2}/W$ at the same frequency of 100 Hz, respectively. The results means that PLT thin film having 10 mol % La content is suitable for the sensing materials of pyroelectric IR sensors.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.104-107
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• 2001

The fabricated La-modified lead titanate (PLT) thin flirt without poling treatment was investigated for modulation frequency dependence of pyroelectric properties by the dynamic method. $Pb_{1-x}La_{x}Ti_{1-x/4}O_3$PLT (x=0.1) thin film having 10 mol% La content was deposited on a Pt/$TiO_{x}$/$SiO_2$/Si substrate by sol-gel method. The PLT(10) thin film exhibits a relatively excellent dielectric property. The pyroelectric coefficient (p) of the PLT(10) thin film is 6.6 x $10^{-9}$C/$\textrm{cm}^2$.K without frequency dependence. The figure of merits for the voltage responsivity and specific detectivity are 1.03${\times}$$10^{-11}$/C.cm/J and 1.46 x $10^{-9}$C.cm/J, respectively. The PLT(10) thin film has voltage responsivity ($R_{V}$) of 5.15 V/W at 8 Hz. Noise equivalent power (NEP) and specific detectivity (D＊) of the PLT(10) thin film are 9.93 x $10^{-8}$W/Hz$^{1/2}$ and 1.81 x $10^{6}$ cmHz$^{1/2}$/W at the same frequency of 100 Hz, respectively. The results means that PLT thin film having 10 mol % La content is suitable for the sensing materials of pyroelectric IR sensors.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권10호
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• pp.35-42
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• 2002

Modulation frequency dependences of the pyroelectric properties of PLT (P $b_{1-x}$ L $a_{x}$ $Ti_{1-x}$ 4/ $O_3$) thin films with La concentrations of 5, 10 and 15㏖% have been investigated by using the dynamic method. The PLT thin film with 10㏖% of the La concentration (PLT(10) thin film) shows the most excellent pyroelectric properties among the films. For PLT(10) thin film, the pyroelectric coefficient shows the maximum value of 6.6$\times$10$^{-9}$ C/$\textrm{cm}^2$ㆍK without frequency dependence. The figure of merits for the voltage responsivity and specific detectivity are 1.03$\times$10$^{-11}$ Cㆍcm/J and 1.46$\times$10$^{-9}$ Cㆍcm/J, respectively. Voltage responsivity corresponding to the pyroelectric voltage is almost constant at low modulation frequency and decreases in proportional to frequency at high modulation frequency. Voltage responsivity is 5.15 V/W at 8Hz. Noise equivalent power (NEP) and specific detectivity ( $D^{*}$) of the PLT(10) thin film are 9.93$\times$10$^{-8}$ W/H $z^{1}$2/ and 1.81$\times$10$^{6}$ cmH $z^{1}$2/W at the frequency of 100Hz, respectively. The results indicate that PLT(10) thin film is very suitable for pyroelectric IR sensors.s.s.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.348-348
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• 2016

Low dark current (off-current) and high photo current are both essential for a solution processed organic photodetector (OPD) to achieve high photo-responsivity. Currently, most OPDs utilize a bulk heterojunction (BHJ) photo-active layer that is prepared by the one-step deposition of a polymer:fullerene blend solution. However, the BHJ structure is the main cause of the high dark current in solution processed OPDs. It is revealed that the detectivity and spectral responsivity of the OPD can be improved by utilizing a photo-active layer consisting of an interdiffused polymer/fullerene bilayer (ID-BL). This ID-BL is prepared by the sequential solution deposition (SqD) of poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and [6,6] phenyl C61 butyric acid methyl ester (PCBM) solutions. The ID-BL OPD is found to prevent undesirable electron injection from the hole collecting electrode to the ID-BL photo-active layer resulting in a reduced dark current in the ID-BL OPD. Based on dark current and external quantum efficiency (EQE) analysis, the detectivity of the ID-BL OPD is determined to be $7.60{\times}1011$ Jones at 620 nm. This value is 3.4 times higher than that of BHJ OPDs. Furthermore, compared to BHJ OPDs, the ID-BL OPD exhibited a more consistent spectral response in the range of 400 - 660 nm.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1899-1901
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• 2001

본 논문에서는 3차원 feed horn 안테나를 볼로미터에 결합함으로써 감지도(Detectivity)를 향상시킨 비가시광 영상 감지 소자를 제안하였다. Feed horn 안테나의 우수한 지향성(Directivity)를 통해서 주위의 잡음 성분을 제거함으로써 감지도의 향상을 확인할 수 있었다. 안테나와 볼로미터와의 결합 손실을 줄이기 위해서 볼로미터의 흡수층의 모양을 원형의 형태로 하였으며 크기도 안테나 폭과 일치를 시켰다. 또한 열적 고립 구조를 만들기 위한 지지 다리의 모양도 원형의 형태로 하여서 전체 길이를 증가 시켰으며 이로 인해 열전도도(Thermal conductance)를 $4.65{\times}10^{-8}$[W/K]까지 낮출 수 있었 다. 설계된 소자의 감지도는 $2.37{\times}10^{9}$[$cm\sqrt{Hz}/W$]을 나타내었으며 안테나 결합을 통한 감지도의 향상을 확인 할 수 있었다. 볼로미터의 제작은 MEMS 기술을 이용한 표면미세가공(Surface micromachining)법으로 열적 고립 구조체를 제작할 수 있으며 3차원 feed horn안테나는 SU-8이라는 음성 감광제를 경사회전노광시켜서 제작할 수 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권12호
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• pp.1008-1015
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• 2002

분극처리 없이 제작한 lanthanum-modified lead titanate (PLT) 박막의 초전특성에 대한 변조 주파수 의존성을 dynamic method를 이용하여 조사하였다. La이 10mo1% 첨가된 Pb/sub l-x/La/sub x/Ti/sub l-x/4/O₃ (h=0.1) (PLT(10)) 박막을 Pt/TiO/sub x//SiO₂/Si 기판위에 acetate 계 precursor 을 이용한 sol-gel 법으로 제작하였다. 제작된 PLT(10) 박막은 비교적 우수한 유전특성을 보였다. 초전계수 (p) 는 주파수 의존성이 없이 6.6×10/sup -9/ C/㎠·K 을 나타내었다. 이를 이용하여 구한 전압감도와 비검출능을 위한 재료평가지수는 각각 1.03×10/sup -11/ C·㎝/J 과 1.46×10/sup -9/C·㎝/J 로 나타났다. 제작된 PLT(10) 박막 초전형 적외선 센서는 주파수 8Hz 에서 5.15v/w 의 전압감도 (Rv)를 가지며, 잡음등가전력 (NEP) 과 비검출능 (D/sup */) 은 동일한 주파수 100Hz 에서 각각 9.93×10/sup -8/W/Hz/sup 1/2/와 1.81×10/sup 6/cm·Hz/sup 1/2//W 의 최소값과 최대값을 나타내었다. 이와 같은 특성들은 PLT(10) 박막이 초전형 적외선 센서의 감지물질로 매우 적합함을 나타낸 것이다.

• 센서학회지
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• 제8권3호
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• pp.226-231
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• 1999

초전성효과를 나타내는 P(VDF/TrFE) 필름을 이용하여 초전형 적외선 센서를 제작하였다. 필름의 VDF와 TrFE의 질량비는 75/25 이며 두께 $25\;{\mu}m$의 분극처리된 것을 사용하였다. 상부전극과 바닥전극의 디자인을 새로이 하여 인체검지용 초전형 적외선 센서로서 더욱 더 간단한 제조공정과 접속방법을 적용하였다. 상부전극과 바닥전극은 알루미늄을 각각 진공 증착시켰으며 $5.5{\sim}14\;{\mu}m$의 적외선 영역대에 반응시키기 위해 필터가 부착된 TO-5에 하우징 하였다. 제작된 적외선 센서는 적외선원 $13{\times}10^{-6}\;W/cm^2$에 대하여 $9.62{\times}10^5\;V/W$의 높은 전압감도를 나타내었으며 NEP (noise equivalent power) 는 $3.95{\times}10^{-7}\;W$, 그리고 specific detectivity $D^*$는 $5.06{\times}10^5\;cm/W$를 나타내었다.

• 세라미스트
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• 제22권1호
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• pp.36-55
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• 2019

Atomically thin two-dimensional (2D) nanomaterials, including transition metal dichalcogenides (TMDs), graphene, boron nitride, and black phosphorus, have opened up new opportunities for the next generation optoelectronics owing to their unique properties such as high absorbance coefficient, high carrier mobility, tunable band gap, strong light-matter interaction, and flexibility. In this review, photodetectors based on 2D nanomaterials are classified with respect to critical element technology (e.g., active channel, contact, interface, and passivation). We discuss key ideas for improving the performance of the 2D photodetectors. In addition, figure-of-merits (responsivity, detectivity, response speed, and wavelength spectrum range) are compared to evaluate the performance of diverse 2D photodetectors. In order to achieve highly reliable 2D photodetectors, in-depth studies on material synthesis, device structure, and integration process are still essential. We hope that this review article is able to render the inspiration for the breakthrough of the 2D photodetector research field.