• KSBB Journal
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• 제25권1호
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• pp.62-66
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• 2010

호기 상태에서 ${NO_X}^-$-N이 PAOs에 의한 인 흡수속도에 미치는 영향을 각기 세 가지 조건의 회분식 실험을 통하여 관찰하였다. 실험 결과를 요약하면 다음과 같다. 1) 인 과잉흡수가 이루어지는 호기 상태에서 PAOs는 ${NO_X}^-$-N에 의해 인 흡수에 방해를 받는 것으로 나타났다. 2) 인 흡수속도에 있어 ${NO_3}^-$-N보다 같은 농도의 ${NO_2}^-$-N가 PAOs의 인 흡수속도를 저하시키는 결과를 나타내었다. 10 mg/L의 같은 농도로 유입되었음에도 불구하고 ${NO_2}^-$-N에 의한 인 흡수속도는 15.61 mg/gVSS로 10 mg/L의 ${NO_3}^-$-N가 공급된 실험에서의 인 흡수속도 28.30 mg/gVSS보다 낮은 속도를 나타냈다. 3) 반응기내의 ${NO_2}^-$-N 농도가 2 mg/L 이상으로 존재할 시 PAOs의 인 흡수속도는 ${NO_X}^-$-N가 존재하지 않는 조건에서 인 흡수 속도의 24%를 나타냈으며, ${NO_3}^-$-N의 농도가 3 mg/L 이상으로 존재할 경우 ${NO_X}^-$-N가 존재하지 않는 조건에서 인 흡수 속도의 17% 이하로 감소하는 것으로 나타나 ${NO_2}^-$-N가 PAOs의 인 흡수에 심각한 저해를 미치는 것으로 나타났다. 4) 반응기내에 ${NO_2}^-$-N와 ${NO_3}^-$-N가 함께 존재할 시에는 ${NO_X}^-$-N가 존재하지 않는 조건에서 인 흡수 속도의 6% 이하로 감소하는 것으로 나타났다. 5) ${NO_2}^-$-N는 EBPR의 붕괴에 영향을 미치는 중요한 요소로 판명되었다.

• 대한환경공학회지
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• 제22권5호
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• pp.861-867
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• 2000

무산소 조건에서의 인섭취를 이용한 질소, 인 화합물의 동시 제거 가능성을 연속회분식반응기(SBR)를 사용하여 고찰하였다. 혐기-호기상의 AO SBR 반응기에 점차적으로 무산소상을 도입함으로써 질산염을 전자수용체로 사용하여 탈질이 가능한 인섭취 미생물들(DPAOs)을 다량으로 축적하였다.(혐기-호기-무산소-호기상의 $(AO)_2$ SBR). 무산소상과 호기상에서의 인섭취율을 비교해 보았을 때, 전체 인제거 미생물 내에서 DPAOs의 비율이 약 10%에서 64%까지 증가하였다. $(AO)_2$ SBR은 안정된 질소, 인제거 성능을 보였으며, 유기물질, 질소, 인 화합물의 제거율은 각각 92%, 88%, 100%였다. $(AO)_2$ SBR의 운전결과와 회분식 실험으로 부터 아질산염은 무산소상에서의 인제거 반응에 어떠한 악영향도 미치지 않으며, 오히려 질산염과 함께 전자 수용체로 사용되어짐을 알 수 있었다.