• 제목/요약/키워드: Dehydrate

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Crystal growth and optical properties with preheating temperature of sol-gel derived ZnO thin films

  • Kim, Young-Sung;Lee, Choong-Sun;Kim, Ik-Joo;Ko, Hyung-Duk;Tai, Weon-Pil;Song, Yong-Jin;Suh, Su-Jeung
    • 한국결정성장학회지
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    • 제14권5호
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    • pp.187-192
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    • 2004
  • We try to use isopropanol which has low boiling point to prepare ZnO thin films at low temperature. ZnO thin films were prepared by sol-gel spin-coating method using zinc acetate dehydrate-isopropanol-monoethanolamine (MEA) solution. The c-axis preferred orientation and optical properties of ZnO films with preheating temperature have been investigated. ZnO thin films were preheated at 200 to $300^{\circ}C$ with an interval of $25^{\circ}C$ and post-heated at $650^{\circ}C$. The ZnO film preheated at $275^{\circ}C$ and post-heated at $650^{\circ}C$ was highly oriented along c-axis (002) plane, and the surface with homogeneous and dense microstructures was formed having nano-sized grains. The optical transmittance was above 90 % in the visible range and exhibited absorption edges at 368 nm wavelength.

층상구조형 산화망간광물의 합성과 그 결정화학적 특성 (Phyllomanganate Minerals: Their Synthesis and Crystal Chemistry)

  • 최헌수;김수진
    • 한국광물학회지
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    • 제10권2호
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    • pp.82-96
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    • 1997
  • Buserties are known to have layer structures with variable C dimension which depended on the nature interlayer catious and contents of water molecular between edge-sharing [MnO6] octabedral layers. Na-, Ca-, Mg-, and Zn-buserties were synthesized in the laboratory and studied for to know the structural states of water molecules and the role of catious in the buserite structures. With lowering the relative humidity(RH), Ca-buserite begins to dehydrate at 27% RH and proceeds further very slowly. Mg- and Zn- buserite also slow dehydration above 2% RH. With gradual ineveasing temperature Ca- and Zn-buserite show abrupt shifting of 10$\AA$ peak (10$\AA$-phare) toward 7$\AA$ peak. All of 7$\AA$-phare are further dehydrated to 5$\AA$-phare by further increasing temperature. It suggests that interlayer catious play a crucial role in the dehydration behavious of buserites. Simulation of one-dimensional X-ray diffraction patterns of buserties show that buserites have three layers of water molecules of different types: the very loosely bound and tightly bend waters, instead of two layers that was regarded by previous authers. The very loosely bound water is sited I open space of the interlayer, the loosely bound water is bound on the tightly bound water by hydrogen bond, and the tightly bond water in coodinately bound on the interlayer catious.

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원자층 증착을 이용한 고 유전율 Al2O3 절연 박막 기반 Indium Zinc 산화물 트랜지스터의 저전압 구동 (Low-Voltage Driving of Indium Zinc Oxide Transistors with Atomic Layer Deposited High-k Al2O3 as Gate Dielectric)

  • 엄주송;김성진
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제30권7호
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    • pp.432-436
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    • 2017
  • IZO transistors with $Al_2O_3$ as gate dielectrics have been investigated. To improve permittivity in an ambient dielectric layer, we grew $Al_2O_3$ by atomic layer deposition directly onto the substrates. Then, we prepared IZO semiconductor solutions with 0.1 M indium nitrate hydrate [$In(NO_3)_3{\cdot}xH_2O$] and 0.1 M zinc acetate dehydrate [$Zn(CH_3COO)_2{\cdot}2H_2O$] as precursor solutions; the IZO solution made with a molar ratio of 7:3 was then prepared. It has been found that these oxide transistors exhibit low operating voltage, good turn-on voltage, and an average field-effect mobility of $0.90cm^2/Vs$ in ambient conditions. Studies of low-voltage driving of IZO transistors with atomic layer-deposited high-k $Al_2O_3$ as gate dielectric provide data of relevance for the potential use of these materials and this technology in transparent display devices and displays.

Indium-Zinc 산화물 박막 트랜지스터 기반의 N-MOS 인버터 (Indium-Zinc Oxide Thin Film Transistors Based N-MOS Inverter)

  • 김한상;김성진
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제30권7호
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    • pp.437-440
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    • 2017
  • We report on amorphous thin-film transistors (TFTs) with indium zinc oxide (IZO) channel layers that were fabricated via a solution process. We prepared the IZO semiconductor solution with 0.1 M indium nitrate hydrate and 0.1 M zinc acetate dehydrate as precursor solutions. The solution- processed IZO TFTs showed good performance: a field-effect mobility of $7.29cm^2/Vs$, a threshold voltage of 4.66 V, a subthreshold slope of 0.48 V/dec, and a current on-to-off ratio of $1.62{\times}10^5$. To investigate the static response of our solution-processed IZO TFTs, simple resistor load-type inverters were fabricated by connecting a $2-M{\Omega}$ resistor. Our IZOTFTbased N-MOS inverter performed well at operating voltage, and therefore, isa good candidate for advanced logic circuits and display backplane.

$Ca(OH)_2$ 충전층의 열분해 반응 촉진 (Rate Enhancement of Thermal Decomposition Reaction in the $Ca(OH)_2$ Packed Bed)

  • 정수열;김도완;김종식
    • 태양에너지
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    • 제15권1호
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    • pp.73-84
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    • 1995
  • [ $Ca(OH)_2$ ]의 열분해 반응을 이용하는 화학축열법에서는 $Ca(OH)_2$ 입자 충전층의 열전도성이 나쁘기 때문에 축열과정의 소요시간이 길어 실용화에 커다란 장애가 되고 있다. 본 연구에서는 $Ca(OH)_2$ 입자 충전층의 열전달을 촉진시키기 위해 반응기속에 구리판으로 된 전열핀을 설치하고 열분해 탈수반응 실험을 하였다. 그 결과 전열핀이 없는 경우보다 탈수반응에 소요되는 시간을 1/2 이하로 크게 단축시킬 수 있었다.

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용액공정 기반의 Zinc Oxide 박막 트랜지스터의 제작 및 특성 평가

  • 황영환;서석준;전준혁;배병수
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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    • pp.25.2-25.2
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    • 2009
  • 최근 아연산화물과 같은 무기산화물 박막 트랜지스터를 디스플레이의 구동 소자, RFID, 스마트 창으로 활용하기 위한 연구가 많이 이루어지고 있다. 특히, 산화아연 박막 트랜지스터는 기존의 비정질 실리콘이나 저온 제작된 다결정 실리콘을 active layer로 사용해 제작된 소자에 비하여 AMOLED나 AMLCD를 구동하기 충분한 전자 이동도, 환경적으로 안정한 특성을 보이고 비교적 저렴한 가격으로 제작 가능하며 넓은 밴드갭으로 인하여 가시광선 영역에서 투명한 특성을 보인다. 본 연구에서는 Zinc acetate dehydrate를 전구체로 사용하고 ethanolamine 을 솔 안정화제로 사용하여 간단하고 경제적인 솔-젤 방법을 통하여 Zinc Oixde (ZnO)를 active layer로 사용한 박막 트랜지스터를 제작하였다. ZnO 박막 트랜지스터는 전구체 용액을 기판 위에 스핀 코팅한 후 열처리 과정을 통하여 제작되었고 제작된 ZnO 박막 트랜지스터는 가시광선 영역에서 높은 투과도 (>90%) 를 보였다. 산화 아연 박막 트랜지스터의 특성을 향상 시키기 위하여 전구체 용액의 농도 조절, ZnO 박막의 두께 조절, 열처리 온도의 조절 등과 같은 연구를 수행하였다. 여러 공정 조건의 변화를 통하여 최적화된 ZnO 박막 트랜지스터는 전하 이동도가 9.4 cm^2/Vs, sub-threshold slope이 3.3 V/dec 그리고 on-to-off current ratio가 5.5${\times}$10^5로 디스플레이 소자를 구동하기 충분한 특성을 보였다.

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치아 연마용 인산일수소칼슘의 합성 및 물리화학적 성질 (Synthesis and Physico-Chemical Properties of Dicalcium Phosphate Dihydrate for Dental Abrasive)

  • 서성수;황성주;이기명;이계주
    • 약학회지
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    • 제37권1호
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    • pp.66-75
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    • 1993
  • Dental abrasive, dicalcium phosphate dehydrate (DCPD) was prepared and the several important factors affecting on the quality of toothpaste were investigated by means of set test, glycerine absorption, Coulter counter test, color difference, BET adsorption, mercury porosimetery, and rheogram comparing with two foreign DCPDs, MFO4 and Dentphos K. Sample DCPD was prepared by reaction between 85% H$_{3}$PO$_{4}$ and 15% milk of lime at $39^{\circ}C$ (pH6.5), and stabilized with TSPP and TMP. The physicochemical properties of Sample DCPD were obtained as follows: whiteness (98.99), average particle size (15.5 $\mu\textrm{m}$), pH (7.9), remainder particle weight (0.49w/w%), glycerine absorption value (64 ml), and set test (passed). N$_{2}$ adsorption curves (BET) of three kinds of DCPD showed non-porous type III isotherm. BET adsorption parameters of sample DCPD showed that surface area was 24.9 m$^{2}$/g, total pore volume 0.09 cm$^{3}$/g and average pore radius 72.0 $\AA$. The rheogram of the toothpaste containing each DCPD showed bulged plastic flow with yield vlaue and thixotropic behavior. These results meet standard requirements as abrasive standard, and suggested that synthesized sample DCPD could be used a dental abrasive such as a high quality grade in practice as foreign DCPDs.

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용액 공정을 이용한 Indium-Zinc-Oxide 박막 기반 저항 스위칭 메모리의 전기적 특성 (Electrical Characteristics of Resistive-Switching-Memory Based on Indium-Zinc-Oxide Thin-Film by Solution Processing)

  • 김한상;김성진
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제30권8호
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    • pp.484-490
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    • 2017
  • We investigated the rewritable operation of a non-volatile memory device composed of Al (top)/$TiO_2$/indium-zinc-oxide (IZO)/Al (bottom). The oxygen-deficient IZO layer of the device was spin-coated with 0.1 M indium nitrate hydrate and 0.1 M zinc acetate dehydrate as precursor solutions, and the $TiO_2$ layer was fabricated by atomic layer deposition. The oxygen vacancies IZO layer of an active component annealed at $400^{\circ}C$ using thermal annealing and it was proven to be in oxygen vacancies and oxygen binding environments with OH species and heavy metal ions investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. The device, which operates at low voltages (less than 3.5 V), exhibits non-volatile memory behavior consistent with resistive-switching properties and an ON/OFF ratio of approximately $3.6{\times}10^3$ at 2.5 V.

자기공명영상에서 뚜렷한 조영증강을 보이는 경추 황색인대의 칼슘수산화인회석 결정침착질환: 증례 보고 (Calcium Pyrophosphate Dihydrate Crystal Deposition Disease Involving the Ligamentum Flavum of the Cervical Spine with Intense Enhancement on MRI: A Case Report)

  • 이준영;이승훈;배지윤
    • 대한영상의학회지
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    • 제81권5호
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    • pp.1234-1238
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    • 2020
  • 칼슘수산화인회석(calcium pyrophosphate dehydrate; 이하 CPPD) 결정침착질환은 연골석회증을 특징으로 하는 질환으로, 주로 무릎, 손목, 골반, 드물게는 척추를 침범한다. 이전 보고에 따르면, CPPD 결정침착은 MRI에서 불균질하게 조영증강이 될 수 있다. 주변 연부 조직의 염증과 동반된 CPPD 결정침착의 뚜렷한 조영증강은 감염성 척추염 등 다른 질환과 유사한 영상 소견을 보일 수 있다. 이 경우 CT는 감별진단에 중요한 역할을 한다. 저자들은 MRI에서 황색인대에 저명한 조영증강을 보이는 CPPD 결정침착 증례를 보고하고자 한다.

입자 완화 유체 동역학 해석 기법을 이용한 스크류 디켄터형 원심분리기의 슬러지 이송 효율 향상 분석 (Smoothed Particle Hydro-dynamic Analysis of Improvement in Sludge Conveyance Efficiency of Screw Decanter Centrifuge)

  • 박대웅
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제39권3호
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    • pp.285-291
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    • 2015
  • 원심분리기는 밀도가 다른 입자들이 관내에서 고속의 회전에 의해 발생되는 원심력을 받게 되면 원심력에 비례하는 속도로 밀도가 큰 입자는 빠르게 침강하고, 밀도가 작은 입자는 느리게 침강하여 관내에서의 이동거리에 차이가 발생하는 원리를 이용하는 장치이다. 본 연구의 대상이 되는 디캔터형 원심 분리기는 수 처리 공정에서 탈수된 농축 오물을 제거하는 장치로서 사용되는 것으로 슬러지 이송의 향상이 그 핵심 기술이다. 이에 본 논문에서는 이를 향상시키기 위하여 보울 플레이트 레일을 적용한 모델을 제안하였고, 슬러지 이송 효율 향상을 평가하기 위하여 입자 완화 유체동역학 기법을 이용하여 분석하였다. 수행된 해석은 보울 플레이트를 적용하지 않은 모델과 적용한 모델에 대하여 각각 적용하여 그 개선 정도를 정량화 하였다.