• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.1018-1021
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• 2001

1018-1021 The CuO-P$_2$O$_{5}$ containing P$_2$O$_{5}$ as glass-former were prepared by press-quenching method on the copper plate. By post-heat treatment of these glasses, the CuO-P$_2$O$_{5}$ -V$_2$O$_{5}$ -g1ass ceramics was obtained and the crystallization behavior and dc conductivities were investigovted. The heat-treated glass-ceramics decreased in electrical conductivity by the order of 10$^1$ compared to amorphous glass. The linear relationship between In($\sigma$T) and T$^{-1}$ indicated that electrical conduction in CuO-P$_2$O$_{5}$ -V$_2$O$_{5}$ -gass occurred by a small polaron hopping.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.475-480
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• 2001

Glasses in he system CuO-P$_2$O$_{5}$ -Nb$_2$O$_{5}$ -Nb$_2$O$_{5}$ -V$_2$O$_{5}$ were prepared by a press-quenching method on the copper plate. the glass-ceramics from these glasses were obtained by post-heat treatment, and the crystallization behavior and DC conductivities were determined. The conductivities of the glasses were range from 10$^{-6}$ s.$cm^{-1}$ / at room temperature ,but the conductivities of the glass-ceramics were 10$^{-3}$ s.$cm^{-1}$ / increased by 10$^3$ order. The crystalline product in the glass-ceramics was CuV$_2$O$_{6}$ . the crystal growth of CuV$_2$O$_{6}$ phase increased with heat-treatment conditions. The linear relationship between il($\sigma$T) and T$^{-1}$ suggested that the electrical conduction in the present glass-ceramics would be due to a small polaron hopping(SPH) mechanism.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.291-294
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• 2000

The crystallization behavior and dc Conductivities of CuO-P$_2$O$_{5}$ -Nb$_2$O$_{5}$ -V$_2$O$_{5}$ glasses prepared by quenching on the copper plate were investigated. The conductivities of the glasses were range from 10$^{-5}$ s.$cm^{-1}$ / at room temperature, but the conductivities of the glass-ceramics were 10$^{-3}$ s.$cm^{-1}$ / increased by 10$^2$order. The crystalline product in the glass-ceramics was CuV$_2$O$_{6}$ . The linear relationship between in($\sigma$T) and T$^{-1}$ suggested that the electrical conduction in the present glass-ceramics would be due to a small polaron hopping mechanism.

• 한국재료학회지
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• 제7권1호
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• pp.81-88
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• 1997

유리 형성제로 $B_{2}O_{3}$를 사용하고 CuO를 첨가한 vanadate계 3성분계 유리의 전기적 특성을 조사하였다. 각 조성별 결정화온도에서 열처리 시간을 다르게 하여 생성되는 결정상을 조사 하였으며, 결정화 특성에 따른 직류 전기 전도도의 변화를 분헉하였다. 생성 결정물은 XRD 분석결과 $V_{2}O_{5},\;{\alpha}-CuV_{2}O_{6}$로 판명 되었으며, 열처리 시간에 따라 $V_{2}O_{5}\;와\;{\beta}-CuV_{2}O_6$의 결정화도는 별다른 변화가 없었으나 ${\alpha}-CuV_{2}O_{6}$의 결정화도는 크게 변화하였고 ${\alpha}-CuV_{2}O_{6}$의 결정화도 증가에 따라 전기 전도도가 증가 하였다. 전기 전도도는 상온(303K)에서 유리 조성을 변화시켜 $10^{-2}~-10^{-4}{\Omega}^{-1}cm^{-1}$ 범위로 조절될수 있었다. $V_{2}O_{5}$ 함량이 증가할수록, 염기도($CuO/B_{2}O_{3}$)가 감소할수록 전기 전도도가 증가 하였다. 이 유리의 charge carrier는 전자인 n-type 반도체임이 seebeck coefficient 측정결과 판명되었으며, 전자 전도에 대한 활성화 에너지는 0.098-0.124eV로 계산되어졌다. 측정 온도인 $30~200^{\circ}C$에서 small polaron hopping conduction이 발생함이 관찰되었고, variable range hopping은 보이지 않았다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제5권2호
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• pp.183-188
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• 1999

The crystallization behavior and electrical conductivity of the $CuO-Bi_2O_3-V_2O_5$ glasses with various CuO content were investigated. The glass formation regin was 0~20 mol% Bi2O3, 5~55 mol% CuO, and 30~90 mol% $V_2O_5$ with Tg=$275^{\circ}C$~$290^{\circ}C$. Among glasses with various compositions, the 31CuO-$14Bi_2O_3-55V_2O_5$ (mol%) glass heat-treated at $358^{\circ}C$ for 8 h showed the highest conductivity of ~ at room temperature. The heat-treated glasses increased in electrical conductivity by the order of 104 compared to non heat-treated glass. The linear relationship between 1n($\sigma$T)and $T^{-1}$ indicated that electrical conduction in the 31CuO-$14Bi_2O_3-55V_2O_5$ (mol%) glass occurred by a small polaron hopping.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.934-937
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• 2003

Glasses in the system $CuO-P_2O_5-V_2O_5$ were prepared by a press-quenching method on the copper plate. The glass-ceramics from these glasses were obtained by post-heat treatment, and the crystallization behavior and DC conductivities were determined. The conductivities of the glasses were range from $10^{-6}s.Cm^{-1}$ at room temperature, but the conductivities of the glass-ceramics were $10^{-3}s.Cm^{-1}$ increased by $10^3$ order. The crystalline product in the glass-ceramics was $CuV_2O_6$. Heat-treatment conditions influenced the crystal growth of $CuV_2O_6$ and conductivity. The linear relationship between in (${\sigma}T$) and $T^{-1}$ suggested that the electrical conduction in the present glass-ceramics would be due to a small polaron hopping(SPH) mechanism.

• 한국자기학회지
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• 제13권3호
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• pp.109-114
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• 2003

NiCuZn 페라이트에 $V_2O_{5}$를 0~0.5 wt% 첨가하여 페라이트 페이스트를 준비한 후,스크린 인쇄법으로 내부전극이 4.5회 회전된 임의의 크기(7.7$\times$4.5$\times$l.4 mm)의 칩인덕터를 제조하여, $V_2O_{5}$ 첨가량에 따른 미세구조 및 자기적 특성 변화를 분석하였다. $V_2O_{5}$첨가량이 증가할수록 액상소결이 발달하여 페라이트 입계에 내부전극 Ag의 확산과 Cu 석출 현상이 촉진되고, 이로 인하여 과대입자성장이 발달되었다. 이러한 현상은 칩인덕터의 자기적 특성에 큰 영향을 미쳐,900 $^{\circ}C$에서 소결된 $V_2O_{5}$ wt% 첨가시편의 주파수 10 MHz에서의 인덕턴스 값이 3.7$\mu$H로 0.3 wt% 첨가 시편의 4.2 $\mu$H보다 작게 나타났는데, 이는 Ag와 Cu의 석출량이 많아짐에 따라 잔류응력 발생이 심화되기 때문으로 생각된다 또한 $V_2O_{5}$ 0.5 wt% 첨가한 시편의 경우 소결온도가 증가함에 따라 품질계수 값이 감소하였는데, 이 결과도 페라이트 입계에서의 Ag나 Cu의 금속성분의 석출량 증가 및 과대입자성장에 의한 입자크기 증대로 인하여 전체 전기비저항이 감소되기 때문인 것으로 생각된다. 결론적으로 자기적 특성을 고려할 때 0.3 wt%가 적정 첨가량으로 나타났다.

• 한국재료학회지
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• 제13권8호
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• pp.503-508
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• 2003

The purpose of this study is to investigate the effect of $V_2$$O_{5}$ addition on the Ag and Cu precipitation in the NiCuZn ferrite layers of 7.7${\times}$4.5${\times}$1.0 mm sized multi-layer chip inductors prepared by the screen printing method using 0∼0.5 wt% $V_2$$O_{5}$ -doped ferrite pastes. With increasing the $V_2$$O_{5}$ content and sintering temperature, Ag and Cu oxide coprecipitated more and more at the polished surface of ferrite layers during re-annealing at $840^{\circ}C$. It was thought that during the sintering process, V dissolved in the NiCuZn ferrite lattice and the Ag-Cu liquid phase of low melting point was formed in the ferrite layers due to the Cu segregation from the ferrite lattice and Ag diffusion from the internal electrode. During re-annealing at $840^{\circ}C$, the Ag-Cu liquid phase came out the polished surface of ferrite layers, and was decomposed into the isolated Ag particles and the Cu oxide phase during the cooling process.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제17권7호
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• pp.713-719
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• 2016

암모니아를 환원제로 사용하는 선택적 촉매 환원법에서 Mn-Cu-$TiO_2$ 촉매와 $V_2O_5$/$TiO_2$ 촉매를 사용하여 반응 조건에 따른 질소 산화물 전환 특성을 연구하였다. 반응 온도와 공간 속도를 변경시키면서 촉매의 질소 산화물 전환 효율 변화를 측정하였다. Mn-Cu-$TiO_2$ 촉매의 질소 산화물 제거 활성은 반응 온도와 공간 속도가 증가할수록 감소하였으나, $V_2O_5$/$TiO_2$ 촉매의 경우 반응 온도 증가에 따라 촉매의 질소 산화물 제거 활성 또한 증가하였다. Mn-Cu-$TiO_2$ 촉매의 경우 $200^{\circ}C$ 이하의 온도에서 저온 활성이 우수하였으며, 이를 $H_2$-TPR 및 XPS 분석 실험을 통해 확인할 수 있었다. 초기 반응 온도의 변경 실험을 통해 Mn-Cu-$TiO_2$ 촉매의 경우 고온에서 열적 쇼크를 일부 받으나, $V_2O_5$/$TiO_2$ 촉매의 경우는 거의 영향을 받지 않음을 확인할 수 있었다. 공간 속도에 따른 질소 산화물 전환 효율 변화는 C 촉매의 경우 전 구간에 걸쳐 공간 속도가 증가할수록 질소 산화물 전환 효율도 감소하는 경향을 보였다. 그러나 D 촉매의 경우 공간 속도가 증가할수록 질소 산화물 전환 효율은 감소하였으나, 감소 정도가 C 촉매 보다는 훨씬 적었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권1호
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• pp.9-12
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• 2004

The effect of x wt% CuO-y wt% $V_2O_5$ content on the microwave properties of $(Pb_{0.45}Ca_{0.55})[(Fe_{0.5}Nb_{0.5})_{0.9}Sn_{0.1}]O_3$ (PCFNS) ceramics was investigated. In order to decrease the sintering temperature and use as a Low Temperature co-firing Ceramics (LTCC), CuO-$V_2O_5$ are added in the PCFNS. The bulk density, dielectric constant (${\varepsilon}_r$) and quality factor(Q${\cdot}f_0$) increased with increase in CuO content within a limited value. The microwave properties were degraded with increases in $V_2O_5$ content. The temperature coefficient of the resonant frequency (${\tau}_f$) of PCFNS was shifted to positive value abruptly with increasing the $V_2O_5$ content, while the ${\tau}_f$ was slightly shifted to positive value with increasing the CuO content. The optimized microwave properties, ${\varepsilon}_r$ = 88, Q${\cdot}f_0$ = 6100 (GHz), and ${\tau}_f$ = 18 ppm/$^{\circ}C$, were obtained in $(Pb_{0.45}Ca_{0.55})[(Fe_{0.5}Nb_{0.5})_{0.9}Sn_{0.1}]O_3$ with 0.2wt% CuO 0.05 wt% $V_2O_5$ and sintered at $1000^{\circ}C$ for 3 h. The relationship between the microstructure and microwave dielectric properties of ceramics was studied by X-Ray Diffraction (XRD) and Scanning Electron Microscopy (SEM)