• ETRI Journal
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• 제34권5호
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• pp.779-782
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• 2012

$CuIn_{1-x}Ga_xSe_2$ (CIGS) thin films are grown on Mo/soda lime glass using a reactive sputtering process in which a Se cracker is used to deliver reactive Se molecules. The Cu and $(In_{0.7}Ga_{0.3})_2Se_3$ targets are simultaneously sputtered under the delivery of reactive Se. The effects of Se flux on film composition are investigated. The Cu/(In+Ga) composition ratio increases as the Se flux increases at a plasma power of less than 30 W for the Cu target. The (112) crystal orientation becomes dominant, and crystal grain size is larger with Se flux. The power conversion efficiency of a solar cell fabricated using an 800-nm CIGS film is 8.5%.

• 한국표면공학회지
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• 제31권1호
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• pp.24-33
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• 1998

Effects of pH and supporting salts on the characteristics of electrogalvanzied coating in sulfate bath are investigated. The fine grain size is obtained and the whiteness with the amount of supporting salts or pH increased at more than current density of 100A/$dm^2$<\TEX>, With supporting salts increased, the electro-conductivity of the bulk solution increases and the cell voltage decreases, while the width of the cathode burned edge gets wider because it seems that the increased overpotential the vicinity of cathode causes the decreases, of limiting current density. When the amount of supporting salts or pH of sulfate bath decreases, the zinc crystals have preferred orientation (001) planes. However when the amount of supporting salts or pH increase, the crystal texture has less (001) planes and gets to have random crystal planes.

• 한국주조공학회지
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• 제32권1호
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• pp.16-23
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• 2012

In this study, we develop the lower pressure die casting with rheo-forming process of A356 aluminum alloy and vacuum system which can control the crystal size and obtain the high strengthened-light material. Using this process, we fabricate the thin plate for bipolar plate through the low pressure die casting with electromagnetic stirring and vacuum-evacuation which can control the crystal grain by electromagnetic stirring. Thin plate ($110mm{\times}130mm{\times}1mm$) is fabricated by this process. The average Vickers hardness of thin plate is about 77 HV.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1998년도 PROCEEDINGS OF THE 14TH KACG TECHNICAL MEETING AND THE 5TH KOREA-JAPAN EMGS (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM)
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• pp.87-90
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• 1998

ABSTRACT- we have analyzed the effect of microstructure and interface conditions on the anisotropic exchange filelds of NiO/NiFe bilayers. The NiO films were deposited by R.F. magentron sputtering. By using different atgon pressure NiO Films, Grain Size And Surface Roughness Of NiO can be manipulated. The exchange field is enhanced in the small granined NiO And This Increment Is Based On The Formation Of Small Domains In NiO

• 한국결정성장학회지
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• 제10권3호
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• pp.199-204
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• 2000

본 연구에서는 청색 발광다이오드, 광전모듈레이터, 태양전지의 창문층 등의 광범위한 응용분야를 갖는 ZnS를 용액 성장법에 의해 nanometer 사이즈의 입자로 구성된 박막의 형태로 슬라이드 유리기판에 성장하고 구조적, 광학적 특성을 분석하고, 이 결과를 토대로 ZnS박막의 양자사이즈효과에 대해 연구하였다. 성장조건에 관련된 인자는 precursor 용액의 농도, 성장온도, 암모니아 용액의 농도, 성장시간 등이었다. X-선 회절분석 결과, 본 연구에서 용액성장법으로 성장한 ZnS박막은 cubic 구조($\beta$-ZnS)를 가졌다. 성장온도가 $75^{\circ}C$일 때 막의 표면상태가 가장 양호했으며 입자사이즈의 균일도도 가장 우수했다 광에너지 변화에 따른 광투과도 측정 결과, 본 연구의 ZnS 시료는 성장조건을 조절함에 따라 에너지밴드갭이 3.69 eV~3.91 eV까지 조절 할 수 있었고, 이는 벌크 ZnS의 에너지밴드갭인 3.65 eV보다 훨씬 높은 수치로서 양자사이즈효과에 의한 blue-shift 현상이 용액성장법으로 합성된 ZnS에서 큰 폭으로 나타남을 알 수 있었다. 그리고 photoluminescence(PL)측정 결과, ZnS 입자의 미세성으로 인한 입자 표면준위의 영향으로 PL 피크가 에너지밴드갭보다 훨씬 적은 에너지 영역에서 발생했다. 특히 PL피크의 위치가 입자사이즈와 막두께에 따라 shift했는데, 이는 용액성장법으로 성장한 ZnS의 경우 본 연구에서 최초로 보고되는 것이다.

• 한국분말재료학회지
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• 제13권5호
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• pp.336-339
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• 2006

Magnetic properties of nanostructured materials are affected in complicated manner by their microstructure such as pain size (or particle size), internal strain and crystal structure. Thus, studies on the synthesis of nanostructured materials with controlled microstructure are necessary fur a significant improvement in magnetic properties. In the present work, nanostructured Fe-Co alloy powders with a grain size of 50 nm were successfully fabricated from the powder mixtures of (99.9% purity) $FeCl_2$ and $CoCl_2$ by chemical solution mixing and hydrogen reduction.

• 분석과학
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• 제5권1호
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• pp.115-120
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• 1992

강유전체인 $LiTaO_3$ 소재는 SAW filters나 IR sensors의 기본재료로 사용되고 있다. Dopant로서 $Al_2O_3$를 $LiTaO_3$에 일부 치환함으로써 유전 특성을 변화시키고 특히 용융점을 낮춤으로써 단결정 제조를 용이하게 한다. X-선 회절분석에 의한 격자상수 변화와 Raman spectroscopy의 band broadening을 측정한 결과 $LiTaO_3$에 대한 $Al_2O_3$의 고용한계가 $Li_{1-X}Al_{2X}Ta{1-X}O_3$에서 X=0.25mol이었으며, 고용한계 이상에서는 2차상인 $Al_2O_3$상이 XRD로 관찰되었다. Grain size에 의한 Raman band의 broadening을 고려하기 위하여 단결정과 소결체 $LiTaO_3$를 측정 비교하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권1호
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• pp.19-23
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• 2018

In a Pb-included piezoelectric composition, $Sr_yPb_{1-y}[(Zn_{1/3}Nb_{2/3})_x-(Ni_{1/3}Nb_{2/3})_{0.2}-(Zr_{0.46}Ti_{0.54})_{0.8-x}]O_3$ was selected in order to attain high piezoelectric properties. According to the PZN ratio (x) and the amount of Sr doping (y), the crystal structure, microstructure and piezoelectric properties were measured and evaluated. In the case of Sr 4 mol% doping, the piezoelectric properties were the highest for a PZN ratio of 0.1. In this condition, the grain size was larger and the intensity was higher. With the PZN ratio fixed and varying the Sr doping, the piezoelectric properties increased until 10 mol% doping and then decreased for over 12 mol% doping. In the case of x＝0.1 and y＝10 mol%, the best piezoelectric properties were obtained, i.e., $d_{33}=660pC/N$ and $k_p=68.5%$, and these values seem to be related to the grain size and crystal structure.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권6호
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• pp.433-439
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• 2011

Poly Si TFTs (poly silicon thin film transistors) with p channel those are annealed HT (high temperature) with gate poly crystalline silicon and LT (low temperature) with metal gate electrode were fabricated on quartz substrate using the analyzed data and compared according to the activated grade silicon thin films and the size of device channel. The electrical characteristics of HT poly-Si TFTs increased those are the on current, electron mobility and decrease threshold voltage by the quality of particles of active thin films annealed at high temperature. But the on/off current ratio reduced by increase of the off current depend on the hot carrier applied to high gate voltage. Even though the size of the particles annealed at low temperature are bigger than HT poly-Si TFTs due to defect in the activated grade poly crystal silicon and the grain boundary, the characteristics of LT poly-Si TFTs were investigated deterioration phenomena those are decrease the electric off current, electron mobility and increase threshold voltage. The results of transconductance show that slope depend on the quality of particles and the amplitude depend on the size of the active silicon particles.

• 한국진공학회지
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• 제9권3호
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• pp.233-236
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• 2000

TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display) 패널의 데이터 배선 재료로 사용하기 위하여 AlW(3 wt%)의 Al합금 박막을 dc 마그네트론 스퍼터링 방법으로 유리 기판에 증착하여 열처리전과 열처리 후의 박막 특성을 조사하였다. 또한 TFT-LCD의 식각 공정상에서 발생할 수 있는 chemical attack에 대한 저항성을 확인하기 위하여 순환전압전류법(cyclic voltammetry)을 사용하여 Ag/AgCl 전극에 대한 ITO와 AlW alloy의 전극 전위를 측정하였다. 증착된 박막을 $350^{\circ}C$에서 20분간 열처리하였을 때 AlW 박막은 비저항이 감소하였고 약 $11\;{\mu\Omega}cm$의 다소 높은 비저항 특성을 보였다. 주사전자현미경(SEM)과 원자힘현미경(AFM)으로 표면을 분석한 결과 좋은 힐록방지 특성을 보임을 알 수 있었다. 순환전압전류법을 사용하여 측정한 Ag/AgCl 에 대한 ITO의 전극 전위은 약 -1.8V이었고, AlW alloy의 전위 전극은 W의 wt.%가 3% 이상이었을 때, ITO의 전극 전위보다 작게 나타났다. 따라서 측정된 특성 값을 볼 때 AlW(over 3 wt.%) 박막은 data bus line으로 사용할 수 있는 것으로 나타났다.