• 전자공학회논문지A
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• 제30A권1호
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• pp.51-63
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• 1993

기존의 알고리듬들이 완전히 검출하지 못하는 차수 2나 3의 연결된 2-결합고장을 검출하기 위하여 "알고리듬 다"가 제안되었다. 제한된 3-결합고장을 검출하는 "테스트1*", "테스트2*" 및 "알고리듬 라"가 제안되었다. "테스트1*"는 제한된 3-결합고장을 검출하는 측면에서 기존의 알고리듬들보다 시간복잡도가 감소되었다. "테스트2*" 및 "알고리듬 라"는 기존의 알고리듬들과 비교하여 시간복잡도가 감소되었고 개선된 고장 검출능력을 가진다. 그리고 요구하는 고장 검출정도에 따라 "알고리듬 라"를 순차적으로 수행시킬 수 있으며, 메모리를 병렬테스트하는 경우에 "알고리듬 라"를 수행시키면 시간복잡도가 상당히 개선된다. 비선형 번지순서를 발생시키고 두 번지부분으로 분할하여 반도체 RAM의 결합고장을 검출하는 MT(March Test)는 차수 3의 연결된 2-결합고장보다 복잡한 결합고장은 완전히 검출될 수 없다는 것이 입증되었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.43-51
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• 2001

메모리의 집적도가 올라갈수록 원치 않는 셀간의 간섭과 동시에 bit-line간의 상호 노이즈도 증가하게 된다. 그리고 높은 고장 검출율을 요구하는 고집적 메모리의 테스트는 많은 테스트 백터를 요구하게 되거나 비교적 큰 추가 테스트 회로를 요구하게 된다. 지금까지 기존의 테스트 알고리즘은 이웃 bit-line의 간섭이 아니라 이웃 셀에 중점을 두었다. 본 논문에서는 NPSFs(Neighborhood Pattern Sensitive Faults)를 기본으로 한 NBLSFs(Neighborhood Bit-Line Sensitive Faults)를 위한 새로운 테스터 알고리즘을 제안한다. 그리고 제안된 알고리즘은 부가 회로를 요구하지 않는다. 메모리 테스트를 위해 기존의 5개의 셀 레이아웃이나 9개의 셀 레이아웃을 사용하지 않고 NBLSF 검출에 최소한 크기인 3개의 셀 레이아웃을 이용하였다. 더구나 이웃 bit-line에 의한 최대의 상호잡음을 고려하기 위해 테스트 동작에 refresh 동작을 추가하였다(예 $write{\rightarrow}\;refresh{\rightarrow}\;read$). 또한 고착고장, 천이고장, 결합고장, 기존의 pattern sensitive 고장, 그리고 이웃 bit-line sensitive 고장 등도 검출될 수 있음을 보여준다.