A study has been made on the recovery & separation of cobalt and copper from organic acid leaching solution by solvent extraction. The experimental parameters such as the equilibrium pH, concentration of extractant and phase ratio were observed. Copper was extracted using LIX 84 and Cobalt was extracted using cyanex 272 and versatic acid 10. Experimental results showed that extraction percent of copper was 99% at above eq. pH 2.0 and then more than 90% of cobalt were extracted by cyanex 272 in eq. pH 6.0 and versatic acid 10 in eq. pH 7.5. Stripping of copper and cobalt from the loaded organic phases can be accomplished by sulfuric acid as a stripping reagent and 120 ~ 150 g/L of $H_2SO_4$ was effective for the stripping of copper and cobalt respectively. Finially, the basic optimal process for recovery of copper and cobalt from the bio-leaching solution was proposed.
Seo, Gyeong-Cheon;Sin, Jae-Su;Yun, Ju-Yeong;Kim, Jin-Tae;Sin, Yong-Hyeon;Lee, Chang-Hui;Gang, Sang-U
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.41-41
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2010
반도체 소자의 선폭이 감소함에 따른 금속배선의 저항이 증가하면서 반도체 배선물질을 copper로 대체하려는 연구가 진행되고 있다. 그러나 copper를 금속배선에 사용하게 되면 대기 상에서 노출 시 쉽게 산화가 일어나며 형성된 산화물의 미세조직이 치밀하지 못하여 계속적인 산화가 진행되고, 후속 열처리 공정 시 copper가 유전체로 확산되어 소자의 정상적인 작동을 방해하게 되는 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 copper의 확산 및 산화를 방지하는 물질로 cobalt가 각광받고 있다. Cobalt는 낮은 저항과 열적 안정성이 우수하여 copper와의 연동에 문제가 없으며, 소자의 작동에도 영향을 미치지 않는다. Cobalt 박막의 적용을 위해 patterning 단계를 줄일 수 있는 선택적 증착공정의 개발도 요구되고 있다. 본 연구에서는 우수한 층덮힘(step coverage)과 양질의 박막을 증착할 수 있는 MOCVD 공정을 이용하였고, cobalt 전구체로서 $Co(hfac)_2$ (hfac: hexafluoroacethylacetonate) 전구체와 $Co_2$ (CO)8 (CO: carbonyl) 전구체를 사용하였다. 각각의 전구체에 따라 선택적 증착이 가능한 공정조건을 찾기 위한 연구를 진행하였다.
Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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v.19
no.5
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pp.418-428
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1990
This study measured each daily intake and excretion of iron copper and cobalt of eight 20-26 years old college men during four weeks by means of analyzing their food intake urine and feces keeping their normal living pattern and maintenance body weight. This study also compared the actual measurement value of iron intake by atomic absorption spectrophoto-meter with the conversion value of it by food table. The results were as follows. Each person's average intake daily was iron 9.19±0.32mg/day, copper 0.56±0.06mg/day and cobalt 1.86±0.18mg/day. Each person's average urinary excretion daily was iron 0.53±0.07mg/day, copper 0.07±0.03mg/day and cobalt 0.13±0.01mg/day. Each person's average fecal excretion daily was iron 1.73±0.14mg/day copper 0.16±0.01mg/day and cobalt 0.46±0.08mg/day. The actual measurement value was 9.19±0.32mg/day and its conversion value 14.07±0.29mg/day : the former was 35% lower than the latter.
Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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v.20
no.1
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pp.78-88
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1991
In this study measured were daily intake and excretion of iron copper and cobalt of eight 21-23years old college women during four weeks by means of analyzing their food intake urine and feces while keeping their normal living pattern and maintenace of body weight. this is study also compared the actural meaurement value of iron intake by atomic absorption spectrophotometry with the conversion value of it by food table. The results were as follows. Daily mean intakes for iron copper and cobalt were $13.85{\pm}1.10mg/day,\;1.44{\pm}0.14mg/day\;and\;3.25{\pm}0.18mg/day$. Daily mean urinary excretions for iron copper and cobalt were $1.38{\pm}0.27mg/day\;0.06{\pm}0.01mg/day\;and\;0.59{\pm}0.07mg/day$. Daily mean fecal excretions for iron cop-per and cobalt were $7.66{\pm}0.79mg/day\;0.59{\pm}0.11mg/day\;and\;0.94{\pm}0.16mg/day$ The actual measurement value for iron intake was $13.85{\pm}1.10mg/day$ and its conversith value $15.26{\pm}1.17mg/day$ : the former was 9% than the latter.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.54
no.3
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pp.124-132
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2021
Graphene which grown on the cobalt or nickel sputtered copper foil depending on the annealing time was studied. Graphene on the copper foil grown by chemical vapor deposition was compared to those on cobalt or nickel sputtered copper foil by using a RF (Radio Frequency) magnetron sputtering at room temperature. FLG(few-layer graphene) was identified independent of substrates by Raman and X-Ray Photoelectron Spectroscopy analyses. On copper foil, size and area fraction of the graphene growth increased until 30 minutes annealing and then didn't changed. Comparing to that, graphene on the cobalt refined till 50 minutes annealing, after then the effect disappeared which means a similar shape to that on copper foil. On nickel the graphene refined irrespective of annealing time that is possibly because of the complete solid solution of nickel with copper.
Park, Jae-Hyeong;Han, Dong-Seok;Mun, Dae-Yong;Yun, Don-Gyu;Park, Jong-Wan
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.377-377
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2012
Microprocessor technology now relies on copper for most of its electrical interconnections. Because of the high diffusivity of copper, Atomic layer deposition (ALD) $TaN_x$ is used as a diffusion barrier to prevent copper diffusion into the Si or $SiO_2$. Another problem with copper is that it has weak adhesion to most materials. Strong adhesion to copper is an essential characteristic for the new barrier layer because copper films prepared by electroplating peel off easily in the damascene process. Thus adhesion-enhancing layer of cobalt is placed between the $TaN_x$ and the copper. Because, cobalt has strong adhesion to the copper layer and possible seedless electro-plating of copper. Until now, metal film has generally been deposited by physical vapor deposition. However, one draw-back of this method is poor step coverage in applications of ultralarge-scale integration metallization technology. Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) is a good approach to address this problem. In addition, the MOCVD method has several advantages, such as conformal coverage, uniform deposition over large substrate areas and less substrate damage. For this reasons, cobalt films have been studied using MOCVD and various metal-organic precursors. In this study, we used $C_{12}H_{10}O_6(Co)_2$ (dicobalt hexacarbonyl tert-butylacetylene, CCTBA) as a cobalt precursor because of its high vapor pressure and volatility, a liquid state and its excellent thermal stability under normal conditions. Furthermore, the cobalt film was also deposited at various $H_2/NH_3$ gas ratio(1, 1:1,2,6,8) producing pure cobalt thin films with excellent conformality. Compared to MOCVD cobalt using $H_2$ gas as a reactant, the cobalt thin film deposited by MOCVD using $H_2$ with $NH_3$ showed a low roughness, a low resistivity, and a low carbon impurity. It was found that Co/$TaN_x$ film can achieve a low resistivity of $90{\mu}{\Omega}-cm$, a low root-mean-square roughness of 0.97 nm at a growth temperature of $150^{\circ}C$ and a low carbon impurity of 4~6% carbon concentration.
Two field trials were carried out to evaluate the performance of a soluble glass copper, cobalt and selenium bolus for maintaining adequate levels of the three trace elements in yaks. Forty yaks were used in trial 1 and 60 yaks were used in trial 2. In each trial two commercial soluble glass boluses were administered to half of the yaks. Blood samples were taken from the jugular vein at day 0, 30, 60, 90 in trial 1 and at day 0, 45, 75 and 105 in trial 2. The samples were analysed for copper status (serum caeruloplasmin activity and copper concentration), cobalt status (serum vitamin $B_{12}$ concentration and cobalt concentration), selenium status (erythrocyte glutathione peroxidase activity and selenium concentration) and serum zinc concentration. The erythrocyte glutathione peroxidase activities, serum caeruloplasmin activities and serum vitamin $B_{12}$ concentrations for trial 1 and 2 were all significantly increased for the bolused yaks (p<0.001 or p<0.01) on all sampling days. The bolused yaks had a significantly higher selenium and copper status in serum than the control yaks on all sampling days in trial 1 and 2 (p<0.05 or p<0.01). There were no significant differences in zinc and cobalt concentrations between the bolused yaks and the controls.
Bioleaching behavior of metal ions for recovery of cobalt and copper from cobalt concentrate was investigated by employing three Aspergillus niger strains. Various factors, such as organic acid generation with fungi type, pH of the culture and pulp density were studied. The results showed that the best fungi for organic acid(citric acid and oxalic acid) generation was A. niger KCTC 6144 using Malt Extract Broth culture at initial pH 3.5. But A. niger KCTC 6985 was more effective for the leaching of cobalt and copper from cobalt concentrate. Our results showed that 82% cobalt and 98% copper was dissolved by A. niger KCTC 6985 at 10g/L pulp density, at pH 3.5 and $24^{\circ}C$ after 15 days incubation.
Cobalt is a vital metal in the modern society because of its applications in lithium-ion batteries, super alloys, hard metals, and catalysts. Further, cobalt is a representative rare metal and is the 30th most abundant element in the Earth's crust. This study reviews the current status of cobalt extraction and recycling processes, along with the trends in its production amount and use. Although cobalt occurs in a wide range of minerals, such as oxides and sulfides of copper and nickel ores, the amounts of cobalt in the minerals are too low to be extracted economically. The Democratic Republic of Congo (DRC) leads cobalt mining, and accounts for 68.9 % of the global cobalt reserves (142,000 tons in 2020). Cobalt is mainly extracted from copper-cobalt and nickel-cobalt concentrates and is occasionally extracted directly from the ore itself by hydro-, pyro-, and electro-metallurgical processes. These smelting methods are essential for developing new recycling processes to extract cobalt from secondary resources. Cobalt is mainly recycled from lithium-ion batteries, spent catalysts, and cobalt alloys. The recycling methods for cobalt also depend on the type of secondary cobalt resource. Major recycling methods from secondary resources are applied in pyro- and hydrometallurgical processes.
Kim, Jin-Gyu;Lee, Jung-ju;Bae, Jong-hak;Bang, Won-bae;Hong, Kim-in;Yoon, C. H.;Son, Derac;Jeong, Kee-ju
Journal of Magnetics
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v.11
no.3
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pp.119-122
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2006
We electroplated copper-cobalt thin films on a silicon substrate, which had 150 nm thick copper seed layer. The adhesion between the two metallic layers could be increased by utilizing a proper organic additive, pulse plating technique, and high temperature annealing. The thin films exhibited columnar growth of the deposits and enhanced adhesion. This is attributed to the grain growth mechanism introduced by the additive and annealing.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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