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구리기판을 이용한 그래핀 박막 특성 및 그래핀을 이용한 트랜지스터의 특성 분석 (Analysis of Characteristic of Graphene Thin Film Transistor and Properties of Graphene using Copper Substrate)

  • 오데레사
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제17권9호
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    • pp.2127-2132
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    • 2013
  • 화학적 증착방법으로 구리기판 위에 그래핀을 형성하고 일반적인 전사방법을 이용하여 그래핀 박막을 제작하였다. 메탄과 수소 가스의 유량비에 따른 특성에 대하여 라만 분석법을 이용하여 조사하였다. 메탄의 유량이 많을수록 그래핀의 형성이 잘 이루어지는 것을 확인하였다. 수소의 양이 증가할수록 D ($1350cm^{-1}$), G ($1580cm^{-1}$) 대역이 증가하였으며, 상대적으로 메탄의 유량비가 증가할수록 2D ($2700cm^{-1}$)의 픽이 강도가 증하였다. D ($1350cm^{-1}$)은 결함과 관련되어 있는 픽이다. 그래핀의 단층확인은 G/2D의 비율이 작을수록 그래핀이 단일박막임을 알 수 있고, 200도에서 열처리 후 0.55의 값을 나타내는 것을 확인하였다. 그래핀 채널 트랜지스터를 제작한 결과 p 형 반도체로서의 전달특성이 나타나는 것을 확인하였다.