• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.69-72
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• 1999

A Well oriented Bi$_2$re$_2$CaCu$_2$O$\sub$8/(Bi2212) superconductor thick films were formed successfully on a copper substrate by liquid reaction between a Cu-free precursor and Cu tape using method in which Cu-free BSCO powder mixture was printed on copper plate and heat-treated. And we examined the mechanism for the rapid formation of Bi2212 superconducting films from observing the surface microstructure with heat-treatment time. At heat-treatment temperature, the printing layer partially melt by reacting with CuO of the oxidizing copper plate, and the nonsuperconducting phases present in the melt are typically Bi-free phases and Cu-free phases. Following the partial melting, the Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$\sub$8/ superconducting phase is formed at Bi-free phase/liquid interface by nucleation and grows. It was confirmed that the phase colony from the phase diagram of Bi$_2$O$_3$-(SrO+CaO)/2-CuO system is similar to the observed result.

• 대한전자공학회논문지TE
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• 제39권1호
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• pp.22-30
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• 2002

Si, SiO/sup 2/, TiN, W/sup 2/N 기판 위에 (hfac)Cu(VTMS) 유기금속 전구체로 증착된 구리 핵을 조사하였다. 증착온도가 증가함에 따라, 기판 종류에 상관없이 180。C에서 구리 핵이 클러스터링으로 성장하는 메커니즘을 관찰하였다. 또한, HF용액으로 세척한 TiN 과 SiO/sup 2/가 공존하는 기판에서 구리 핵의 선택성이 향상됨을 관찰하였다. TiN을 H/sup 2/O/sup 2/로 세척한 후 Dimethyldichlorosilane 처리했을 때 표면이 passivation됨을 확인하였다.

• 한국초전도저온공학회:학술대회논문집
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• 한국초전도저온공학회 1999년도 제1회 학술대회논문집(KIASC 1st conference 99)
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• pp.22-25
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• 1999

A well oriented Bi-2212 superconductor thick films were fabricated by screen printing with a Cu-free Bi-Sr-Ca-Cu-O powder on a copper plate and heat-treating at 820- $880^{\circ}C$for several minute in low oxygen pressure or are. At minute in low oxygen pressure of air. At , the printing layer partially melted by reaction between the Cu-free precursor by reaction between the Cu-free$870^{\circ}C$ precursor and CuO of the oxidizing copper plate. It is believed that the solid phase is Bi : Sr : Ca : Cu = 2 : 2 : 0 : 1. It is likely that the Bi-2212 superconducting phase is formed at Bi-2212 superconducting phase is formed at Bi-free phase/liquid interface by nucleation and grows.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권2호
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• pp.73-79
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• 2002

코발트, 니켈, 구리 그리고 귀금속분말에 적용할 수 있는 polyol법은 균질한 크기와 형상을 갖는 금속분말합성에 매우 효과적인 공정이다 이 때 polyol은 용매, 환원제 그리고 보호제의 역학을 한다 $AgNO_3$글 촉매제로 첨가하여 비균질계 핵생성 반응을 야기할 경우 서브마이크폰 크기(0.5$\mu$m)의 코발트 분말을 한성학 수 있었다. 또한 촉매제인 Ag 핵의 수출 변화시키므로써 코발트 분말의 입도를 제어할 수 있음을 확인하였다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제50권7호
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• pp.1068-1078
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• 2018

Experiments were performed to investigate bubble behaviors and pool boiling Critical Heat Flux (CHF) on a thin flat rectangular copper heater fabricated on Printed Circuit Board (PCB), at various inclination angles. The surface inclination angles were $0^{\circ}$, $45^{\circ}$, $90^{\circ}$, $135^{\circ}$, and $180^{\circ}$. Results showed the Onset of Nucleate Boiling (ONB) heat flux increased with increasing heater orientation from $0^{\circ}$ to $90^{\circ}$, while early ONB occurred when the heater faced downwards ($135^{\circ}$ and $180^{\circ}$). The nucleate boiling was observed to be unstable at low heat flux (1-21% of CHF) and changed into typical boiling when the heat flux was above 21% of CHF. The result shows the CHF decreased with increasing heater orientation from $0^{\circ}$ to $180^{\circ}$. In addition, the bubble departure diameter at the heater facing upwards ($0^{\circ}$, $45^{\circ}$, and $90^{\circ}$) was more prominent compared to that of the heater facing downward ($135^{\circ}$). The nucleation site density also observed increased with increasing heat flux. Moreover, the departed bubbles with larger size were observed to require a longer time to re-heat and activate new nucleation sites. These results proved that the ONB, CHF, and bubble dynamics were strongly dependent on the heater surface orientation.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.97-97
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• 2017

This study investigated the corrosion protection by electrodeposited copper layer on AZ31 Mg alloy with and without additional silver layer by immersion test, salt spray test, OCP transient and potentiodynamic polarization experiment. The single electrodeposited Cu layer on AZ31 Mg alloy showed a nodular structure with many imperfections of crevices between the nodules, which resulted in the fast initiation of pitting corrosion within first few hours of immersion. Double-layer coating of Cu and outer Ag layer slightly increased the initiation time for pitting corrosion. Triple-layer coatings of Cu/Ag/Cu exhibited the most efficient corrosion protection of AZ31 Mg alloy, compared to the single- and double-layer coatings. Surface morphology of the outer Cu layer in the triple-layer was changed from the nodular structure to fine particle structure with no crevices due to the presence of an additional Ag layer. Thus, the improved corrosion resistance of AZ31 Mg alloy by electrodeposited Cu/Ag or Cu/Ag/Cu layers is readily ascribed to the decreased number of imperfections in the electrodeposited layers due to the additional silver layer. It is concluded that the additional silver layer provides many nucleation sites for the second Cu plating, resulting in the formation of finer and denser structure than the first Cu electrodeposit.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제19권2호
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• pp.67-72
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• 2012

최근에 전자 산업 분야에서 장치의 고용량을 구현 하기 위해 구동 drive IC의 선폭은 좁아지고 집적도는 증가하고 있다. 이러한 반도체, 전자 산업 분야의 초소형화, 고밀도화에 따라 FCCL(Flexible Copper Clad Laminate)의 표면 품질이 더욱 중요해 지고 있다. FCCL의 표면 결함으로는 돌기, 스크레치, 덴트 등이 있다. 특히 돌기가 표면에 존재할 경우 후속 공정에서 쇼트와 같은 불량을 유발할 수 있으며, 제품의 품질 저하를 야기 시킬 수 있다. 하지만 표면에 돌기가 존재한다 하더라도, 전해액의 레벨링 특성이 우수하다면 돌기의 성장을 막을 수 있다.평탄하고, 결함이 없는 도금표면을 얻기 위해서는 첨가제의 역할이 필수적이다. 평탄한 구리 표면을 형성하기 위해서 stock solution에 가속제, 억제제, 레벨러를 첨가하였다. 레벨러를 첨가하는 이유는 평탄한 표면을 얻고, 돌기의 형성을 억제하기 위함이다. 구리도금 표면 형상을 향상시키기 위한 레벨러로는 SO(Safranin O), MV(Methylene Violet), AB(Alcian Blue), JGB(Janus Green B), DB(Diazine Black) and PVP(Polyvinyl Pyrrolidone)가 사용되었다. 도금 첨가제와 도금 조건의 변화를 통해 도금시레벨링 특성을 향상시키고, 레벨링 특성 측정을 위해 니켈 인공돌기를 제작 한 후 레벨링 특성을 측정하였다.

• 한국재료학회지
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• 제7권3호
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• pp.188-195
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• 1997

비정질 실리콘 박막 위에 구리용액을 스콘코팅하여 구리이온을 흡착시킨 후 이를 표면 핵생성 site로 이용하는 새로운 저온 결정화 방법에 관하여 연구하였다. 구리 흡착으로 LPCVD비정질 실리콘 박막의 결정화온도를 $500^{\circ}C$까지 낮출 수 있었고 결정화시간도 크게 단축되었다. $530-600^{\circ}C$에서 어닐링시 구리가 흡착된 비정질 실리콘 막은 나뭇가지 형태의 fractal을 이루며 결정화되었다. 이때 fractal크기는 구리용액의 농도에 따라 $30-300{\mu}m$로 성장하였다. Fractal의 내부는 새 털 모양의 타원형 결정립으로 구성되어 있으며 TEM 에 의한 최종 결정립의 크기는 $0.3-0.4{\mu}m$로 intrinsic 비정질 실리콘 박막을 $600^{\circ}C$에서 어닐링하였을 때화 크기가 비슷하였다. 구리용액의 농도 증가에 따라 핵생성 활성화 에너지와 결정성장 활성화 에너지가 감소하였다. 결과적으로 구리 흡착이 표면에서 우선 핵생성 site를 증가시키고 핵생성 및 fractal 성장에 필요한 활성화 에너지를 모두 낮추어 저온에서도 결정화가 촉진되었음을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제9권12호
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• pp.1196-1204
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• 1999

(hfac)Cu(vtmos) [$C_{10}H_{13}O_{5}CuF_{6}$Si: 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4- pentadionato (vinyltrimethoxysilane) copper (I)] 구리원을 액체분사법으로 공급하여 반응성 스퍼터 증착된 PVD-TiN과 급속열처리 변환된 RTP-TiN 기판상에 구리를 유기금속 화학증착법으로 성장시키고, 증착조건과 기판 종류가 박막의 증착율, 결정구조 및 미세조직, 전기비저항 등에 미치는 영향을 분석하였다. 구리원 유량 0.2ccm에서 증착반응은 Ar 유량 200sccm까지 물질전달 지배과정과 전압 1.0Torr 이상에서 기화기에서의 공급율속을 보였다. 전압 0.6Torr일 때 활성화에너지는 155~225$^{\circ}C$의 표면반응 지배영역에서 12.7~14.1kcal/mol의 값을 나타내었으며, 225$^{\circ}C$ 이상의 기판온도에서는 $H_2$ 첨가에 따른 증착율 개선이 간응한 것으로 판단되었다. 증착층은 기판온도 증가에 따라 3차원 island 양식으로 성장하였으며, 증착초기 구리 핵생성밀도가 큰 RTP-TiN상 증착층이 PVD-TiN상보다 현저한 (111) 우선방위와 낮은 전기비저항값을 나타내었다. 구리박막의 전기비저항은 결정립간 연결성이 양호한 165$^{\circ}C$에서 가장 낮았으며, 증착온도에 따른 박막 미세구조 변화로 인해 그 거동은 3개의 영역으로 구분되어 나타났다.

• 한국소성가공학회:학술대회논문집
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• 한국소성가공학회 2003년도 춘계학술대회논문집
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• pp.111-115
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• 2003

Nanoindentation is simply an indentation test in which the length scale of the penetration is measured in nanometres rather than microns or millimetres, the latter being common in conventional hardness tests. Three-dimensional molecular dynamics simulations have been conducted to evaluate the nanoindentation test. Molecular dynamics simulations were carried out on single crystal copper by varying crystal orientations to investigate nano-behavior of material beneath an indenter in nanoindentation. Morse potential function was used as an interatomic force between indenter and thin film. The result of the simulation shows that crystal orientation significantly influenced the slip system, dislocation nucleation and dislocation behavior.