The Weolagsan area consists of four units; (1) Low grade meta-sediments of the upper members of Ogcheon age unknown group such as Changri (mainly black slate and phyllitic rock), Majeonri (mainly alternation of slate, limestone and chert) and Hwanggangri Formation (pebble bearing phyllitic sediments); (2) Samtaesan Formation of Chosun System of Ordovician; (3) So called meta-volcanics and (4) Weolagsan Granite and its associations which intruded above mentioned meta-sediments and meta-volcanics. This study was focused to know the Woelagsan granite and its metasomatic effects to the country rocks petrographically and petrochemically. According to the field survey, microscopic work and some chemical analysis, the granite is a "normal granite" based on the Streckeisen's classification and belongs to a mass of the Central-zone younger group in Ogcheon geosynclinal belt. The granite metasomatized the country rocks along its northern contact zone. Zone of calcareous and cherty rocks (Majeonri formation) was silicified partly and skarned locally at the contact with the granite. The chemical analysis of the zone show no difinite variations in contents of $SiO_2$ and CaO with the distance from the granite. It seems to be indicated that the silicification of this part was not so metasomatized by the granite body, but thermally affected as much as to be partially remelted in the specific parts of the formations. Meta-volcanic rock zone was slightly chloritized near contact with the granite. Limestone of Samtaesan Formation was silicified and skarned along the contact zone by the granite body. The chemical analysis of the zone show some noticiable changes in compositions of $SiO_2$ and CaO with distance from the granite boundary. It can be imagined that the silicification of this zone was metasomatically originated by Woelagsan Granite. According to chemical analysis on several trace elements, the ratio of Zn/Cr and Ni/Cr are relatively higher than that of Cu/Cr in the above mentioned silicified zones. Generally the variation of these metal elements in the zones tend to be regular with distance from the granite body.
The tribological role of mass transfer layer was studied with silver coatings under various ranges of load and sliding speed. Silver coating was performed with a functionally gradient coating method. Tests were per-formed in dry sliding conditions, using a ball-on-disk contact configuration, at the load of 0.0196-17.64 N and the sliding speed of 20-1,000 mm/s in ambient air. Optical microscope and EPMA analyses showed that contact surfaces were covered with the mass transfer layers of agglomerated wear particles depending upon the contact conditions, and they greatly influenced the tribological characteristics of the surfaces. However, the formation of mass transfer layer was suppressed as the sliding speed increased, and above a critical sliding speed, no mass transfer layer was able to form. For building up a general framework of triboiogical behavior of the coated silver films, all test data were summarized on a map whose axes are contact pressure and sliding speed.
Contact-metamorphosed calc-silicate hornfels of the Hwanggangni formation adjacent to Daeyasan granite in Goesan are characterized by the mineral assemblages. tremolite-clinozoisite-alkali feldspar-calcite, diopside-grossular-vesuvianite, and wollastonite-diopside-phlogopite-grossular-vesuvianite, indicating low $X_{CO_2}$ condition during contact metamorphism. Two trends of fluid-rock interactions are recognized; combination of infiltration and buffering in the outer portion of the aureole and fluid-dominated behavior in the most part of the aureole. Modal abundance of diopside produced during metamorphism was measured in order to estimate fluid/rock ratios and permeabilities with the assumption that equivalent volume of fluids estimated from the fluid/rock ratios flow through the rock body. The calculated fluid/rock rations and permeabilities range from 0.6 to 9 and $10^{-19}$ to $10^{-17}$ meabilities in the calc-silicate hosted contact aureoles and expected values during progressive metamorphism by theories.
Manganese ore deposits of the Samhan Changgun Properties are located at the valley of west-lope-side of Changgun-bong (1132m) occupied over the Myon border between Sochon-myon and Jaesan-myon Pongwha-gun, Kyongsang-Pukdo. Geology of the more property and it's vicinity consists of Wonnan formation and Yulri formation of pre-Cambrain and Changgun limestone formation, Mica-schist formation, quartizite formation and Jaesan formation (containing coal bearing zone the unknown age. And granites and dykes were intruded into the above formation later. 1. Management deposits is embedded the formation of Janggun limestone especially Contact zone in the contact zone to of Chunyang Granite limestone enclosed by Granite, and Maginal zone of fault line in the limestone. Therefore, Chunyang Granite is Closely related to ore deposit. Pegmatite which is near by ore deposit was intruded before mineralization and it seems to be a channelway of ore solution. The most important ore deposits of property grouped into south deposit, east deposit, east-Gachon deposit, South-Gachon deposit, Durimgok deposit and West deposit, out-crops at several place. Besides these deposits there also are several prospects on outcrop scathered. Hydrothermal alteration take place strongly in the well rock and it's sequence are Characterized as following; 1) Dolomitization 2) Carbonization 3) Mamgamotozation 4) Pyritization 5) Silicification 6) Oxidation 2. The grade of manganese dioxide is up to Mn 45% in Maximum, but generally, averaging Mn 30~35% of high grade ore and averaging Mn 30~32% of manganese carbonates are mined in his property.
Purpose: Contact and distance osteogenesis occur around all endosseous dental implants. However, the mechanisms underlying these processes have not been fully elucidated. We hypothesized that these processes occur independently of each other. To test this, we used titanium (Ti) tubes to physically separate contact and distance osteogenesis, thus allowing contact osteogenesis to be measured in the absence of possible triggers from distance osteogenesis. Methods: Sandblasted and acid-etched (SLA) and modified SLA (modSLA) implants were used. Both types had been sandblasted with large grit and then etched with acid. The modSLA implants then underwent additional treatment to increase hydrophilicity. The implants were implanted into rabbit tibiae, and half were implanted within Ti tubes. The bone-to-implant contact (BIC) ratio was calculated for each implant. Immunohistochemical analyses of bone morphogenetic protein (BMP)-2 expression and new bone formation (Masson trichrome stain) were performed. Results: The implants outside of Ti tubes were associated with good bone formation along the implant surface. Implantation within a Ti tube significantly reduced the BIC ratio (P<0.001). Compared with the modSLA implants, the SLA implants were associated with significantly higher BIC ratios, regardless of the presence or absence of Ti tubes (P=0.043). In the absence of Ti tubes, the bone adjacent to the implant had areas of new bone formation that expressed BMP-2 at high levels. Conclusions: This study disproved the null hypothesis and suggested that contact osteogenesis is initiated by signals from the old bone that undergoes distance osteogenesis after drilling. This signal may be BMP-2.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2003.06a
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pp.577-580
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2003
Stress state of chip formation zone is one of the main problems in metal cutting mechanics. In two-dimensional case this process is usually considered as consistent shears of work material along single of several shear surfaces. separating chip from workpiece. These shear planes are assumed to be trajectories of maximum shear stress forming corresponding slip-line field. This paper suggests new approach to the constriction of slip-line field, which Implies uniform compression in chip formation zone. On the base of given model it has been found that imaginary shear line in orthogonal cutting is close to the trajectory of maximum normal stress and the problem about its determination have been considered. It has been shown that there is a second central slip-line field inside chip, which corresponds well to experimental data about stress distribution on tool rake face and tool-chip contact length. The suggested model could be useful in solution of various problems of machining.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.28A
no.10
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pp.814-820
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1991
TaSi$_2$ was formed by rapid thermal annealing(RTA) on BF$_2$ doped single crystalline silicon substrates. The formation and various properties of TaSi$_2$ have been investigated by using 4-point probe, HP414, XRD, and SEM. And the redistribution of boron with RTA has been observed by SIMS. Implanted boron was diffused out into the TaSi$_2$ for RTA temperature but did not significantly affect the formation temperature of TaSi$_2$. Also, the contact resistance for TaSi$_2$/p$^{+}$ region had a low value 22$\Omega$, at contact size of 0.9$\mu$m, and the native oxide formed on Si-substrates by BF$_2$ implantation retarded the formation of TaSi$_2$.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.41
no.2
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pp.170-177
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1992
Contact resistance and contact leakage current of the Al/TiSiS12T/Si system are investigated for NS0+T and PS0+T junctions. SALICIDE (Self Aligned Silicide) process was used to make the Al/TiSiS12T/Si system. Titanium disilicide is one of the most common silicides because of its thermal stability, ability to form selective formation and low resistivity. In this paper, RTA temperature effect and Junction implant dose effect were evaluated to characterize contact resistance and contact leakage current. The TiSiS12T contact resistance to NS0+T silicon is lower than that to PS0+T silicon, and TiSiS12T of contact leakage current to NS0+T silicon is lower than that to PS0+T silicon. Contact resistance and contact leakage current of the Al/TiSiS12T/Si system by this method were possible for VLSI application.
The formation of front metal contact silicon solar cells is required for low cost, low contact resistance to silicon surfaces. One of the available front metal contacts is Ni/Cu plating, which can be mass produced via asimple and inexpensive process. A selective emitter, meanwhile, involves two different doping levels, with higher doping (${\leq}30{\Omega}/sq$) underneath the grid to achieve good ohmic contact and low doping between the grid in order to minimize the heavy doping effect in the emitter. This study describes the formation of a selective emitter and a nickel silicide seed layer for the front metallization of silicon cells. The contacts were thickened by a plated Ni/Cu two-step metallization process on front contacts. The experimental results showed that the Ni layer via SEM (Scanning Electron Microscopy) and EDX (Energy dispersive X-ray spectroscopy) analyses. Finally, a plated Ni/Cu contact solar cell displayed efficiency of 18.10% on a $2{\times}2cm^2$, Cz wafer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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