This paper deals with the fabrication and verification of the microwave absorbing structure using semiconductive fiber reinforced composite. Two kinds of fiber were used to fabricate composites. Electromagnetic properties of the composites were measured by freespace measurement system over X-band. Two single slab absorbers and a double slab absorber were designed by thickness optimization method. Single slab absorbers did not show good microwave absorption performance because the permittivity is away from non-reflection curve. Double slab absorber complemented the limitations on single slab absorber and it showed good microwave absorption performance. Double slab absorber showed -43.9 dB loss near 10 GHz.
In this study, efforts were made to enhance the mechanical properties of the poly(vinyl alcohol) (PVA) fibers of medium molecular weight(number-average degree of polymerization=1735) varying the ratio in $DMSO/H_2O$ mixed solvent and spinning/drawing conditions. The gel fibers prepared from pure DMSO were opaquely frozen in the coagulating bath of $-20^{\circ}C$. However, transparent gel fibers were formed without freezing for the mixture to contain water less than 80wt%. As the amount of water in the mixture increased the residual solvent in the coagulated gel fibers decreased ranging from 85 to 42wt%. The complex viscosity increased with increasing PVA concentration in 80/20 $DMSO/H_2O$ exhibiting remarkable shear thinning at 18wt%. In the Cole-Cole plot, the 18wt% PVA solutions gave a deviated curve from 12 and 15wt% ones. Thus the optimum PVA concentration for the spinning processing of medium MW PVA solutions in 80/20 $DMSO/H_2O$ was determined to 18wt% with rheological concept. Low degree of drawing during hot drawing process in the dry state was available for high bath draft in the coagulation bath. The most improved mechanical properties were observed by applying the highest possible draw ratio attained by reducing bath draft over multi-step drawing process. In the given bath draft, linear relationship was observed between both tensile strength and modulus and draw ratio showing the inflection points at the draw ratio of 19.5 and 18.0 for tensile strength and modulus, respectively.
In order to fabricate a modified poly (lactic acid) (PLA) for applications requiring high melt strength, a PLA has been irradiated in the presence of functional monomer of glycidyl methacrylate (GMA). Samples were prepared with various contents of GMA and irradiation dosages, and were characterized by observing their thermal and melt viscoelastic properties and gel faction. The complex viscosity and storage modulus of the modified PLA without GMA were lower than those of the original PLA. Those of the modified PLA decreased with increasing dosage. In the case of the modified PLA containing 0.1 phr or 0.3 phr of GMA, their changing tendency with dosage was similar to the irradiated PLA without GMA. However, the 5 kGy irradiated PLA containing 0.5 phr of GMA showed the greatly enhanced complex viscosity and storage modulus, which were about 3 and 10 times higher than those of the original PLA at a frequency of 0.1 rad/s, respectively.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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v.11C
no.3
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pp.70-74
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2001
Admittance or impedance spectroscopy is one of the powerful tools to study dielectric relaxation and loss processes in organic and inorganic materials. In this study, the frequency dependent properties of an indium tin oxide/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum($Alq_3$)/aluminum structure have been studied. The conductance of the $Alq_3$ film increases with the DC applied voltage up to 4V and decreases above 4V in the low frequency region. This indicates that the resistance of the device decreases with the applied bias due to the carrier injection enhancement, thereafter the injected carriers form the space charge and the additional injection of carriers is prevented. The Cole-Cole plot of the admittance takes a one-semicircle shape, which means that the device can be modeled as a parallel resistor-capacitor network. The resistance and capacitance were estimated as 8.62k${\Omega}$ and 2.7nF, respectively, at 3V in the low frequency region. The dielectric constant ( ${\epsilon}'$ ) of the $Alq_3$ film is independent of the frequency in the low frequency region below 100kHz, while the frequency dependency was observed at above 100kHz. The dielectric loss factor ( ${\epsilon}"$ ) of the $Alq_3$ film shows the dielectric dispersion below 100kHz and dielectric absorption in higher frequency domain. The dispersion is thought to be related to the hopping process of the carriers. The ${\epsilon}"$ is proportional to the reciprocal of the frequency. The dielectric relaxation time was extracted to about 0.318${\mu}s$ from the dielectric absorption spectrum.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.50
no.5
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pp.405-410
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2017
In order to study current-voltage-luminance and impedance characteristics according to elapsed time, a blue fluorescent OLED was fabricated. The current density and luminance gradually decreased in accordance with elapsed time and did not emit light after 480 hours, and the threshold voltage increased as time elapsed. The Cole-Cole plot was a semicircular shape of a very large size at 2 V of the applied voltage below the threshold voltage, and the maximum value of the real number impedance did not change greatly from 9314.5 to $9902.2{\Omega}$ as time elapsed. Applied voltages 4, 6, and 8 V above the threshold voltage showed a large change in the real number impedance value at the semicircle end to 9,678.2, 9,826, $9,535.4{\Omega}$ according to the elapsed time from 2,222.5, 183.7, $48.2{\Omega}$ immediately after fabricating the device. By increasing the applied voltage beyond the threshold voltage just after device fabrication, the energy difference between the device and the organic layer was overcome and the current flowed, the maximum value of the real number impedance sharply decreased. As time passed, current did not flow through the element even at high applied voltage due to degradation of the element, and even when the applied voltage was higher than the threshold voltage, it showed an impedance value such as applied voltage equal to or less than the threshold voltage. As a result, it can be learned that the change in the impedance with elapsed time reflects the characteristics due to the degradation of the OLED and can predict the characteristics and lifetime of the OLED.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2016.11a
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pp.140-140
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2016
유기전계발광소자 (Organic Light Emitting Diode : OLED)는 보조광원이 필요 없고 천연색 표현이 가능하며, 낮은 소비 전력 및 저전압 구동 등의 장점으로 이상적인 디스플레이 구현이 가능하여 차세대 디스플레이로써 많은 이목을 끌고 있으나 제한된 수명과 안정성의 문제점을 안고 있다. 따라서 OLED의 열화 원인을 분석하고 수명을 연장하기 위한 체계적인 방법과 기술 개발이 중요하다. Impedance Spectroscopy는 이온, 반도체, 절연체 등의 벌크 또는 계면 영역의 전하 이동을 조사하는데 사용될 수 있어, OLED에서도 Impedance Spectroscopy를 이용하여 전하수송과 전자주입 메커니즘 등 폭넓은 전기적 정보를 얻을 수 있다. 본 연구에서는 Impedance Spectroscopy를 이용하여 경과시간에 따른 OLED의 임피던스 특성을 측정하여 열화 메커니즘을 분석하였다. 본 연구에서 OLED는 ITO / 2-TNATA (4,4,4-tris2-naphthylphenyl-aminotriphenylamine) / NPB (N,N'-bis-(1-naphyl)-N, N'-diphenyl-1,1'- biphenyl-4,4'-diamine) / Alq3 (tris(quinolin-8-olato) aluminum) / Liq / Al으로 구성된 녹색 형광 OLED를 제작하였다. OLED의 전계 발광 특성을 측정하기 위한 전원 인가장치로 Keithley 2400을 사용하여 전압과 전류를 인가하였고, 소자에서 발광된 휘도 및 발광 스펙트럼은 Photo Research사의 PR-650 Spectrascan을 사용하여 암실 환경에서 측정하였다. 임피던스 스펙트럼은 컴퓨터 제어 프로그래밍이 가능한 KEYSIGHT사의 E4990A를 사용하여 측정하였다. 임피던스 측정 전압은 0 V부터 2 V 간격으로 8 V까지, 주파수는 20 Hz에서 2 kHz의 범위로 설정하여 측정하였다. I-V-L과 임피던스 특성은 24 시간의 간격을 두고 실온에서 측정하였다. 그림은 경과시간에 따른 녹색 형광 OLED의 인가전압 2 V, 6 V의 Cole-Cole plot을 나타낸 것이다. 문턱전압 미만인 인가전압 2 V에서는 소자를 통하여 전류가 흐르지 않아 큰 반원 형태를 나타내었고, 시간이 경과함에 따라 소자 제작 직후엔 실수 임피던스의 최댓값이 $8982.6{\Omega}$에서 480 시간 경과 후엔 $9840{\Omega}$으로 약간 증가하였다. 문턱전압 이상인 인가전압 6 V에서는 소자 제작 직후 실수 임피던스의 최댓값이 $108.2{\Omega}$으로 작은 반원 형태를 나타내나 시간이 경과함에 따라 방사형으로 증가하는 것을 확인 할 수 있었고, 672 시간 경과 후엔 실수 임피던스의 최댓값이 $9126.9{\Omega}$으로 문턱 전압 미만 일 때와 유사한 결과를 나타내었다. 이러한 임피던스의 증가 현상은 시간이 경과함에 따라 OLED의 열화에 의한 것으로 판단된다.
This paper presents the development of thin and lightweight ultra-high temperature radar-absorbing ceramic composites composed of an aluminosilicate ceramic matrix-based geopolymer reinforced ceramic fiber and sendust magnetic nanoparticles in X-band frequency range (8.2~12.4 GHz). The dielectric properties with regard to complex permittivity of ceramic/sendust-aluminosilicate composites were proportional to the size of sendust magnetic nanoparticle with high magnetic characteristic properties as flake shape and its concentrations in the target frequency range. The characteristic microstructures, element composition, phase identification, and thermal stability were examined by SEM, EDS, VSM and TGA, respectively. The fabricated total thicknesses of the proposed single slab ultra-high temperature radar absorber correspond to 1.585 mm, respectively, exhibiting their excellent EM absorption performance. The behavior of ultra-high temperature EM wave absorption properties was verified to the developed free-space measurement system linked with high temperature furnace for X-band from 25℃ to 1,000℃.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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