• Journal of Magnetics
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• 제1권2호
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• pp.86-89
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• 1996

The dc magnetron sputter deposited (Pt/Co/Pt/Ni) multilayers which exhibited Curie temperatures in the range of 150-$300^{\circ}C$ were studied as possible alternative multilayers for magneto-optical recording to the widely studied Co/Pt, whose Curie temperatures are in the range of 200~$400^{\circ}C$. The Coercivities of these multilayers were between 450 Oe and 800 Oe. These multilayers exhibited comparable magnetic and magneto-optical properties to Co/Pt multilayers with enhancement of the Kerr rotation at lower wavelengths and negligible Kerr ellipticity over a wide range of the spectrum (4000~7000$\AA$ ).

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.327-327
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• 2013

본 연구에서는 $SiO_2$ Target과 $In_2O_3$ Target으로 co-sputtering방법을 이용해 증착한 Si-doped $In_2O_3$ (ISO) 박막의 Si 도핑 농도에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성에 대해 연구하였고, 이를 유기태양 전지(OPVs) 에 적용함으로써 그 가능성을 타진하였다. $In_2O_3$ target의 DC power를 100 W로 고정시킨 채 $SiO_2$ target의 RF power 크기를 20~60 W 변화시키면서 상온에서 실험을 진행한 결과 최적 조건은 박막의 두께가 200 nm일 때 Working pressure는 3 mTorr이고, RF power는 50 W이었다. 이 조건으로 제작된 ISO 박막은 550 nm에서 81.51%의 광투과율과 51.91 Ohm/sq.의 비교적 낮은 면저항이 나타남을 Hall measurement 및 UV/Vis spectroscopy 분석을 통해 알 수 있었다. 또한 X-ray diffraction 분석법과 Transmission Electron Microscope 분석법을 통해 $SiO_2$ 도핑 power가 50 W 이상으로 증가할 경우 ISO 박막의 결정성이 감소하여 완벽한 비정질상의 ISO 투명박막이 형성됨을 확인할 수 있었다. 비정질 특성을 갖는 ISO 투명 전극을 이용하여 유기 박막형 태양전지를 제작한 결과 Voc (0.576 V), Jsc (7.671 mA/$cm^2$), FF (62.96%), PCE (2.78%)의 특성을 나타냄으로서 co-sputtering 공정을 통해 최적화된 ISO 박막을 유기 박막형 태양전지에 적용함으로써 광전소자로의 적용 가능성을 확인할 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제11권5호
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• pp.189-195
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• 2001

ICP 마그네트론 스퍼터를 이용하여 2.5$\times$2.5 $\textrm{cm}^2$ 넓이의 열산화막이 형성된 실리콘 기판에 총 14개의 동일한 간격으로 NiFe(170 )/CoFe(48 )/Al(13 )-O/CoFe(500 )/Ta(50 ) 구조의 junction을 형성하여 자기저항비의 균일성을 알아보았다. 각 층은 ICP 마그네트론 스퍼터를 이용하여 만들고 특히 절연층은 플라즈마 산화법으로 제작하여 TMR 소자를 만들었다. 완성된 각 소자를 외부자기장을 변화시키면서 4단자 측정법으로 기준저항, 자기저항비, 자화반전자장을 측정하였다. 균일한 박막형성에 적합한 ICP스퍼터라도 같은 공정하에서 자기저항비의 표준편차가 2.72 정도의 분포가 있었으며, 위치에 따른 각 기준저항, 자기저항비, 자화반전자장의 유의차는 없었다. 또한 기준저항이 증가함에따라 자기저항비와 자화반전자장이 증가하는 경향이 있었으며, 이러한 현상은 균일하지 못한 절연막의 형성에 기인하는 것으로 판단되었다. 균일한 성막이 가능한 ICP 스퍼터로도 위치별로 절연막층 상태의 국부적 분산에 따라 표준편차가 기준저항의 경우 64.19, 자기저항비의 경우 2.72의 변화가 발생하여 실제적인 소자의 양산을 위해서는 산화막 형성공정의 개선이나 후열처리 등에 의한 균일화 공정이 필요할 것으로 생각되었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제26권9호
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• pp.1347-1356
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• 2022

본 연구에서는 소자의 크기에 따른 코발트-저마늄 박막 기반의 galvanic cell의 특성을 조사하고, 이를 물 접촉 감지에 활용하기 위한 아두이노 기반 사물인터넷 센서 네트워크에의 적용을 제시한다. 본 연구에서 제안하는 코발트 저마늄 박막 기반 galvanic cell은 기존의 압전, 열전 에너지 하베스팅 소자와 다르게, 소자의 손상을 줄 수 있는 기계적인 변형이나 온도 구배를 필요로 하지 않는다는 점에서, 자가발전 센서 네트워크를 구축하는데 있어 더욱 적합한 에너지 하베스팅 소자로 적합하다. 본 연구는 스퍼터링 방식으로 증착된 코발트-저마늄 박막 기반의 galvanic cell을 센서로 활용함으로써 향후 자가발전 센서 네트워크의 실현 가능성에 대해 논의함으로써 향후 연구, 개발될 발전된 형태의 센서 네트워크 구축에 기여할 것으로 기대된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권12호
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• pp.1008-1015
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• 2001

Thin films of vanadium oxide(VO$\_$x/) have been deposited by r.f. magnetron sputtering from V$_2$O$\_$5/ target in gas mixture of argon and oxygen. The oxygen/(oxygen+argon) partial pressure ratio is changed from 0% to 8%. Crystal structure, chemical composition, bonding, optical and electrical properties of films sputter-deposited under different oxygen gas pressures are characterized through XPS, AES, RBS, FTIR, optical absorption and electrical conductivity measurements. V$_2$O$\_$5/ and lower oxides co-exist in sputter-deposited films and as the oxygen partial pressure is increased the films become more stoichiometric V$_2$O$\_$5/. The increase of O/V ratio with increasing oxygen gas pressure is attributed to the partial filling of oxygen vacancies through diffusion. It is observed that the oxygen atoms located on the V-O plane of V$_2$O$\_$5/ layer participate more readily in the oxidation process. With increasing oxygen gas pressure indirect and direct optical band gaps are increased, but thermal activation energies are decreased.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.28-28
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• 2008

We have demonstrated the combinatorial synthesis of a variety of transparent conducting oxides using a combinatorial sputter system. The effects of a wide range of Nb or Zn doping rate on the optical and electrical properties of Indium-tin oxides (ITO) films were investigated. The Nb or Zn doped ITO films were fabricated on glass substrates, using combinatorial sputtering system which yields a linear composition spread of Nb or Zn concentration in ITO films in a controlled manner by co-sputtering two targets of ITO and $Nb_2O_5$ or ITO and ZnO. We have examined the work-function, resistivity, and optical properties of the Nb or Zn-doped ITO films. Furthermore, the effects of Hz plasma treatment on the physical properties of Ga or Zn doped ITO films synthesized by combinatorial sputter system were investigated.

• 전기학회논문지P
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• 제52권2호
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• pp.56-60
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• 2003

In this work, we have fabricated thin film resistors using the DC/RF magnetron sputter of 51wt%Ni-41wt%Cr-8wt%Si alloy target and studied the effect of the process parameters on the electrical properties. In fabrication process, sputtering power, substrate temperature and annealing temperature have been varied as controllable parameters. TCR decreases with increasing the substrate temperature, but TCR increases over 300 [$^{\circ}C$]. The films are annealed to 400 [$^{\circ}C$] in air atmosphere, TCR increases with increasing the annealing temperature. The resistivity was 172 [${\mu}{\Omega}{\cdot}cm$] and 209 [${\mu}{\Omega}{\cdot}cm$] for the RF and DC as a sputtering power sources, respectively. Also, TCR was -52 [$ppm/^{\circ}C$] and -25 [$ppm/^{\circ}C$]. As a results of them, it is suggested that the sheet resistance and TCR of thin films can be controlled by variation of sputter process parameter and annealing of thin film.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권6호
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• pp.604-610
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• 1999

Silicide layer structures and morphology degradation of the surface and interface of the silicide layers for he Co/refractory metal bilayer sputter-deposited on the P-doped polycrystalline Si substrate and subjected to rapid thermal annealing were investigated and compared with those on the single Si substrate. The CoSi-CoSi2 phase transition temperature is lower an morphology degradation of the silcide layer occurs more severely for the Co/refractorymetal bilayer on the P-doped polycrystalline Si substrate than on the single Si substrate. Also the final layer structure and the morphology of the films after silicidation annealing was found to depend strongly upon the interlayer metal. The layer structure after silicidation annealing of Co/Hf/doped-poly Si is Co-Hf alloy/polycrystalline CoSi2/poly Si substrate while that of Co/Nb is polycrystalline CoSi2/NbSi2/polycrystalline CoSi2/poly Si.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권2호
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• pp.49-57
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• 2007

본 연구에서는 Au 와 Sn을 rf-magnetron sputter를 이용하여 다층막(multilayer)과 동시증착(Co-sputter)방법으로 스퍼터링하여 기판위에 AuSn 솔더를 형성하였고, 솔더의 조성제어와 특성 분석을 통해 Sn rich AuSn 솔더의 형성 기술에 대하여 연구하였다. AuSn 솔더를 형성하기 앞서 Au와 Sn에 대하여 단일 금속 증착을 하였다. 이를 토대로 AuSn솔더를 증착하기 위한 실험 조건을 확보하였다. 증착변수로는 기판의 온도, rf 전력과 두께 비를 이용하였다. 다층막의 경우, 고온의 기판에서 솔더 합금의 표면거칠기와 조성이 보다 정확하게 제어되었다. 이에 비해 동시증착 솔더는 기판의 온도에 의한 조성의 변화가 거의 없었으나, rf전력에 의해서 조성이 보다 쉽게 제어할 수 있었다. 여기에 더해, 동시 증착 솔더 박막의 대부분은 증착동안에 금속간 화합물로 변화한 것을 알 수 있었다. 화합물의 종류는 XRD로 분석하였다. 형성된 솔더 박막을 플럭스를 이용하지 않고 리드프레임에 접합하여 접합강도를 측정하였다. 다층형의 경우 Au 10wt%의 조건에서 최대 $33(N/mm^2)$ 전단응력을 나타내었으며, 동시증착형은 Au 5wt%에서 $460(N/mm^2)$ 전단응력을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.307.1-307.1
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• 2016

Amorphous zinc tin oxide (ZTO) thin films are being widely studied for a variety electronic applications such as the transparent conducting oxide (TCO) in the field of photoelectric elements and thin film transistors (TFTs). Thin film transistors (TFTs) with transparent amorphous oxide semiconductors (TAOS) represent a major advance in the field of thin film electronics. Examples of TAOS materials include zinc tin oxide (ZTO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium zinc oxide, and indium zinc tin oxide. Among them, ZTO has good optical and electrical properties (high transmittance and larger than 3eV band gap energy). Furthermore ZTO does not contain indium or gallium and is relatively inexpensive and non-toxic. In this study, ZTO thin films were formed by UHV RF magnetron co-sputter deposition on silicon substrates and sapphires. The films were deposited from ZnO and SnO2 target in an RF argon and oxygen plasma. The deposition condition of ZTO thin films were controlled by RF power and post anneal temperature using rapid thermal annealing (RTA). The deposited and annealed films were characterized by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscope (AFM), ultraviolet and visible light (UV-VIS) spectrophotometer.