Presently, an inductor adapted at MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) which is used for cellular phone or PHS operates at quasi-microwave range over 800 MHz. However, a W-CDMA (Wideband Code Division Multiple Access) will use about 2 GHz range. Therefore magnetic film device should be compatible up to 2 GHz. We have deposited Co-Pd-Al-O system film using rf sputtering method which is expected up to 2 GHz, and investigated the effect of Pd content and magnetic field annealing. When Pd composition is 19%, Hk was 118 Oe, and ${\mu}$′showed flat frequency characteristics up to 1.5 GHz. The Q factor (=${\mu}$′/${\mu}$") was 23.3 at 1 GHz, 6.7 at 1.5 GHz and 1.5 at 2 GHz, respectively. Resonance frequency was 2 GHz. Therefore Co-Pd-Al-O thin film could be used at over 1 GHz, and also expected as an inductor material for wide band CDMA type cellular phone.
In this study, the $Sr_{1-x}Ba_{x}Al_{2}O_{4}:Eu^{2+},Dy^{3+}$ phosphor were prepared by the solid-state reaction method and its photoluminescence properties were investigated. Starting powders of $SrCO_3,\;BaCO_3,\;and\;Al_{2}O_3$ were mixed with $Eu_{2}O_3$ as activator, $Dy_{2}O_3$ as co-activator and $B_{2}O_3$ as flux. Then, the mixed powders were heated at the temperature of $1100{\sim}1400^{\circ}C$ for 3 h under the reducing ambient atmosphere of $95%Ar+5%H_2$. The effect of Ba addition from 0.0 to 1.0 mol on photoluminescence was investigated. As the amount of Ba increased, the intensity of emission increased and the optimum long phosphorescence occurred at the amount of 0.1 mol Ba. The optimum sintering condition for long phosphorescent phosphor of $Sr_{1-x}Ba_{x}Al_{2}O_{4}:Eu^{2+},Dy^{3+}$($x=0{\sim}1.0mol$) was found at $1400^{\circ}C$. The excitation spectra showed a broad band of $250{\sim}450nm$ with maximum peak at 360 nm. The maximum peak intensity of emission spectra occurred at the range of $480{\sim}520nm$, depending on Ba content.
${\gamma}-Al_2O_3$, $TiO_2$와 $SiO_2$에 코발트를 함침시켜 촉매를 제조하고, 고정층 미분반응기에서 CO에 의한 $SO_2$환원반응 특성을 조사하였다. 이때 온도는 $350{\sim}550^{\circ}C$ 영역에서, $SO_2$농도를 1000~10000 ppm, $CO/SO_2$몰비를 1.0~3.0, 공간속도를 $5000{\sim}15000h^{-1}$의 영역에서 사용하였으며 대기압하에서 실행하였다. ${\gamma}-Al_2O_3$와 $TiO_2$는 코발트 담체로 우수한 특성을 보였으며, 5 wt % 코발트를 ${\gamma}-Al_2O_3$에 함침시켜 얻은 촉매로 $400^{\circ}C$ 이상의 온도에서 90% 이상의 높은 $SO_2$전환율과 6% 이하의 낮은 COS수율을 얻을 수 있었다. $CO/SO_2$의 최적몰비는 양론비인 2.0으로 나타났으며, 몰비가 3.0으로 증가하면 $SO_2$전환율은 증가하였으나 대부분의 반응생성물이 COS로 나타났다. 실험영역의 $SO_2$농도와 공간속도의 변화는 $SO_2$ 전환율과 반응선택성에 큰 영향을 미치지 않았다. 코발트는 활성화된 이후에 $CoS_2$ 상태로 존재하였으며 반응후에도 상변화는 관찰되지 않았다.
The supported bimetallic Co-containing catalysts promoted by the different amount of noble metal (Pd) have been studied in the dry reforming of methane. The activity, selectivity, stability and resistance to the carbon deposition of Co-Pd/$Al_2O_3$ catalysts depend on both the catalyst composition and process conditions. It has been observed that the Co-Pd/$Al_2O_3$ catalysts produce the various oxygenates from $CO_2$ + $CH_4$ at moderate pressures.
초음파분무열분해법과 한 단계의 후열처리로 이차상이 없는 Al이 첨가된 $Li(Ni_{1/3}Co_{1/3}Mn_{1/3-x}Al_x)O_2$ (x=0.0, 0.005, 0.01. 0.05) 리튬이차전지용 양극활물질을 합성하였다. 합성된 분말은 Al의 첨가량이 많아짐에 따라서 $I_{003}/I_{104}$ 비는 감소하고 입자가 커지는 경향을 보였다. 상온에서 전류밀도 1C의 rate로 $3.0\sim4.5V$ 범위에서 충방전 시험한 결과, Al 치환량이 0.5와 1.0 at%에서는 초기용량이 180과 $184mAhg^{-1}$으로 치환하지 않았을 때의 $182mAhg^{-1}$과 차이가 없었으며, 싸이클 특성도 치환하지 않은 것과 0.5, 1.0 at% 치환한 조성에서 각각 81, 77, 81%의 방전용량이 유지되었다. 그러나 $3.0\sim4.6V$에서는 치환효과가 확실하게 나타나서, 50 싸이클 후의 치환하지 않은 것의 방전용량은 초기용량의 30%가지 감소한데 비하여 Al을 0.5 at% 치환한 것은 70%를 유지하였다. 치환에 의한 싸이클 특성 향상은 XPS 분석 결과 Al 치환이 $Mn^{3+}$의 양을 감소시켰기 때문인 것으로 사료되었다.
Lee, Han Sol;Cho, Jae Kwon;Hwang, Jae Kwon;Chung, Woon Jin
한국세라믹학회지
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제52권2호
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pp.114-118
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2015
$V_2O_5-P_2O_5-ZnO-Sb_2O_3$ glasses modified with BaO and $Al_2O_3$ are synthesized as a sealing material for large-scale dye-sensitized solar cells (DSSCs). A compositional study is performed in order to determine the glass that can be sintered below $500^{\circ}C$ with a high chemical stability against the electrolyte. The flow size of the glasses after the heat treatment and the glass stability are increased with the addition of $Al_2O_3$ and BaO, while the glass transition temperature is decreased. After the reaction with the electrolyte at $60^{\circ}C$ for 72 h, the addition of 5 mol% of BaO and 2 mol% of $Al_2O_3$ considerably enhances the chemical stability of the glass. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope (SEM) are used to examine the reaction between the electrolyte and glasses. The structural contribution of the additives is also investigated and discussed.
Co/$Al_O_3$/NiFe and CO/$Al_O_3$/Co tunnel junctions were fabricated by a radio frequency magnetron sputtering at room temperature with hard mask on glass and $4^{\circ}$ tilt cut Si (111) substrates. The barrier layer was formed through two steps. After the Al layer was deposited, it was oxidized in the chamber of a reactive ion etching system (RIE) with $O_2$plasma at various conditions. The dependence of the TMR value and junction resistance on the thickness of Al layer (before oxidation) and oxidation parameters were investigated. Magnetoresistance value of 7% at room temperature was obtained by optimizing the Al layer thickness and oxidation conditions. Circular shape junctions on $4^{\circ}$tilt cut Si (111) substrate showed 4% magnetoresistance. Photovoltaic energy conversion effect was observed with the cross-strip geometry junctions on Si substrate.
A precipitation method, one of the most effective liquid phase reaction methods, was adopted in order to prepare high-tech Al2O3/ZrO2 composite ceramics, and the effects of stress-induced phase transformation of ZrO2 on thermal shock behavior of Al2O3-ZrO2 ceramics were investigated. Al2(SO4)3.18H2O, ZrOCl2.8H2O and YCl3.6H2O were used as starting materials and NH4OH as a precipitation agent. Metal hydroxides were obtained by single precipitation(process A) and co-precipitation(process B) method at the condition of pH=7, and the composition of Al2O3-ZrO2 composites was fixed as Al2O3-15v/o ZrO2(+3m/o Y2O3). Critical temperature difference showing rapid strength degradation by thermal shock showed higher value in Al2O3/ZrO2 composites(process A : 20$0^{\circ}C$, process B : 215$^{\circ}C$) than in Al2O3(175$^{\circ}C$). The improvement of thermal shock property for Al2O3/ZrO2 composites was mainly due to the increase of strength at room temperature by adding ZrO2. The strength degradation was more severe for the sample with higher strength at room temperature. Crack initiation energies by thermal shock showed higher values in Al2O3/ZrO2 composites than in Al2O3 ceramics due to increase of fracture toughness by ZrO2.
Nd2O3, BaCo3, Co3O4를 출발물질로 하여 새로운 Nd3Ba5Co4O15상을 고상반응법에 의하여 합성하였다. 반응 온도는 1200℃ 로 하였고 열처리 중 반복적인 혼합을 실시하였다. Nd3Ba5Co4O15상의 결정구조는 분말 X-선회절법에 의한 데이터를 Rietveld법을 이용하여 정밀화하였다. 출발 모델은 Nd3.43Ba4.42Co2.23Al1.77O15의 결정구조를 따랐고 공간군 P63mc(186), 격자상수 a=11.636(5) Å, c=6.846(3) Å. 최종 신뢰도 R값은 Rwp=0.097, Rp=0.068로 나타났다. 이 상의 결정구조는 CoVICoIV3O15 클러스터로 구성되어 있고 이 클러스터는 CoVI 육면체가 3개의 CoIV 사면체와 corner sharing하는 형태를 보인다.
본 연구에서는 MgF2를 이용하여 LiNi0.8Co0.15Al0.05O2 양극활물질의 표면을 코팅하여 전기화학적 특성과 열적 안정성을 평가하였다. 코팅된 MgF2의 비율은 0.5, 1, 3 wt%로 조절하였다. 전기화학적 특성은 CV, 충·방전 프로파일, 출력특성, 수명특성을 분석하였고, 열적 안정성은 DSC 분석을 통하여 이루어졌다. 전기화학적 특성 분석 결과 0.1C에서 초기 방전 용량은 MgF2 코팅이 되었을 때 감소하였지만, 2C까지 출력을 향상 시켰을 때는 약간 향상된 방전 용량을 얻을 수 있었고, 수명특성 또한 향상되었다. 또한 DSC 분석 결과 코팅이 되었을 때 발열 온도가 증가하였고, 발열 피크의 세기 또한 감소하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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