• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.9 no.5
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• pp.251-255
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• 1999

NiFe(60 $\AA$)/Co(0$\AA$$\leq$x$\AA$$\leq$15$\AA$)/Cu(60$\AA$)/Co(30$\AA$) spin valve thin films were prepared on 4$^{\circ}$ tilt-cut Si(111) substrates with a 50 $\AA$ thick Cu underlayer without applying any external magnetic field during the deposition, and the effects of inserted ultrathin Co layer on magnetic anisotropy and GMR properties of the NiFe(60 $\AA$)/Cu(60$\AA$)/Co(30$\AA$) spin valves were investigated. As the ultrathin Co layer was inserted into the NiFe/Cu interface of the spin valves, GMR ratio was increased from about 1.5% to 3.5%, and the easy axis of NiFe(60 $\AA$) layer was rotated by 90$^{\circ}$. Accordingly, it was aligned along the same direction with the easy axis of Co(30 $\AA$)layer. Therefore, squared R-H curves was obtained in the spin valves, which is favorable properties for the digital GMR devices such as MRAM. In order to investigate the change of magnetic anisotropy of NiFe layer of the spin valves in more details,XRD measurement was performed using NiFe(500 $\AA$) and NiFe(500 $\AA$)/Co(10 $\AA$) thin films on the same templates. Strong (220) NiFe peak was observed in both films regardless of the inserted Co layer, so it was thought that the variation of magnetic anisotropy of NiFe layer is from the interface effect, the change of interface from NiFe/Cu to NiFe/Co, rather than the volume effect such as the change of magnetocrystalline effect.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.1 no.2
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• pp.31-36
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• 1991

Structural and compositional heterogeneities of sputter deposited, amorphous $Co_{87}Zr_{4}NB_{9}$ thin films were investigated using TEM and EDS with windowless detector. The films deposited with substrate bias and annealed in rotating magnetc field showed two amorphous phases of Co-rich region and (ZrNb)oxide-rich region, and revealed 'ultra-soft' magnetic properties. Revesible bias-responses and overdamped frequency responses, along with small Hc, Hk and Mr/Ms ratio, give the possibility of ultra-soft magnetic behavior fo CoZrNb thin films. We proposed the vortex type magnetization distribution in remanent state which was correlated with the thin film heterogeneity. Then, the ultra-soft characteristics of the compositionally heterogeneous films were explained by the spin vortices that minimized the total magnetostatic and exchange coupling energies.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.71-72
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• 2008

Ultralow-k 물질은 반도체 성능향상에 있어서 필요한 물질이다 [1]. 이를 위하여 본 실험은 톨루엔과 일반적인 SiO 박막을 제조하는 데 사용되어 지는 TEOS (tetraethyl orthosilicate)를 co-depo.하여 유무기 복합 박막을 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition)법을 이용하여 증착하였다. 얻어진 박막은 IR과 nano-indentation과 capacitance의 측정을 통하여 측정되었다. 이를 통하여 co-depo.를 통한 유무기 복합 박막이 기존의 CVD법을 이용한 저유전 박막보다 우수한 기계적 특성을 가짐을 확인하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.26 no.3
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• pp.76-80
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• 2016

CoSiB is the amorphous ferromagnetic material and multilayer consisting of CoSiB and Pd has perpendicular magnetic anisotropic property. PMA has strong advantages for STT-MRAM. Moreover, amorphous materials have two advantages more than crystalline materials: no grain boundary and good thermal stability. Therefore, we studied the magnetic properties of multilayers consisting of the $Co_{75}Si_{15}B_{10}$ with PMA. In this study, we investigated the magnetic property of the [CoSiB (3, 4, 5, and 6) ${\AA}$/Pd(11, 13, 15, 17, 19,and $24{\AA})]_5$ multilayers and found the annealing temperature dependence of the magnetic property. The annealing temperature range is from room temperature to $500^{\circ}C$. The coercivity and the saturation magnetization of the CoSiB/Pd multilayer system have a close association with the annealing temperature. Moreover, the coercivity especially shows a sudden increasing at the specific annealing temperature.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.8 no.1
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• pp.26-30
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• 1999

Sputter deposited Co-Cr thin films been developed continuously as one of the major candidates for high density recording media. In this study, Co-26at%Cr thin films with c-axis oriented normal to substrate surface were prepared by a improved facing targets sputtering system. We find that the effect of microstructural changes of the sputtered Co-Cr thin films on magnetic properties and changes of crystal orientation due to the variation of substrate temperature.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.61-61
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• 2000

Device의 고성능화를 위하여 소자의 고속화, 고집적화가 가속됨에 따라 SALICIDE Process가 더욱 절실하게 요구되고 있다. 이러한 SALICIDE Process의 재료로써는 metal/silicide 중에서 비저항이 가장 낮은 TiSi2(15-25$\mu$$\Omega$cm), CoSi2(17-25$\mu$$\Omega$cm)가 일반적으로 많이 연구되어 왔다. 그러나 Ti-silicide의 경우 Co-silicide는 배선 선폭의 감소에 따른 면저항 값의 변화가 작으며, 고온에서 안정하고, 도펀트 물질과 열역학적으로 안정하여 화합물을 형성하지 않는다는 장점이 있으마 Ti처럼 자연산화막을 제거할 수 없어 Si 기판위에 자연산화막이 존재시 균일한 실리사이드 박막을 형성할 수 없는 단점등을 가지고 있다. 본 연구에서는 Ti Capping layer 에 의한 균일한 Co-silicide의 형성을 일반적인 Si(100)기판과 SCl 방법에 의하여 chemical Oxide를 성장시킨 Si(100)기판의 경우에 대하여 연구하였다. 스퍼터링 방법에 의해 Co를 150 증착후 capping layer로써 TiN, Ti를 각각 100 씩 증착하였다. 열처리는 RTP를 이용하여 50$0^{\circ}C$~78$0^{\circ}C$까지 4$0^{\circ}C$ 구간으로 N2 분위기에서 30초 동안 열처리를 한후, selective metal strip XRD, TEM의 분석장비를 이용하여 관찰하였다. lst RTP후 selective metal strip 후 면저항의 측정과 XRD 분석결과 낮은 면저항을 갖는 CoSi2로의 상전이는 TiN capping과 Co 단일박막이 일반적인 Si(100)기판과 interfacial oxide가 존재하는 Si(100)기판위에서 Ti capping의 경우보다 낮은 온도에서 일어났다. 또한 CoSi에서 CoSi2으로 상전이는 일반적인 Si(100)기판위에서 보다 interfacial Oxide가 존재하는 Si(100)기판 위에 TiN capping과 Co 단일박막의 경우 열처리 후에도 Oxide가 존재하는 불균인한 CoSi2박막을 관찰하였으며, Ti capping의 경우 Oxise가 존재하지 않는 표면과 계면이 더 균일한 CoSi2 박막을 형성 할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.195.1-195.1
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• 2013

Cu는 금속 박막재료로서 높은 전기전도성을 지니고 있을 뿐만 아니라 Ag, Al, Pt 등 보다 비용이 저렴하여, 높은 전기전도성을 필요로 하는 박막 재료로써 폭넓게 사용되고 있다. 그러나, 낮은 기계적 특성을 지니고 있어서 interconnect와 같은 작은 단면적의 배선재료로 사용될 경우, 높은 전류밀도에 따른 electromigration 현상에 의하여 hillock 또는 void의 형성 등 박막재료의 변형이 생기게 되어서 전자소자의 수명이 단축된다는 단점이 있다. TiN은 금속재료 못지않은 높은 전기 전도성을 지니고 있을 뿐만 아니라, 금속재료에 비하여 높은 기계적 특성과 녹는점을 지니고 있어 다양한 분야로 사용되고 있다. 본 연구에서는 Cu와 TiN composite 박막을 soda-lime glass위에 증착하여 낮은 비저항 뿐만 아니라 Cu와 비교하여 기계적 특성이 향상된 박막을 제작하고자 하였다. Cu와 TiN composite 박막 증착을 위하여 DC reactive magnetron co-sputtering 장비를 사용하였으며, Cu와 Ti 타겟 power, Ar:N2 유량비(Flow rate)을 변화시켜 Cu와 Ti의 조성비 및 TiN의 결정성을 조절하였고, 이를 통하여 박막의 TiN 조성에 따른 낮은 비저항 값과 순수한 Cu 박막과 비교하여 높은 기계적 특성을 지닌 Cu-TiN 박막을 증착하였다. Cu-TiN composite 박막의 구조 및 조성은 SEM (Scanning Electron Microscope), EDS (Energy Dispersive Spectrometer), XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)장비를 사용하여 분석하였으며, 전기전도도는 4-point probe를 사용하여 측정하였고, Knoop hardness 측정방법을 사용하여 박막의 기계적 특성을 측정하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.7 no.6
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• pp.308-313
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• 1997

The magnetoresistance (MR) and the saturation field behavior of the CoFe-Ag nano granular films as a function of the ferromagnetic underlayer and overlayer materials were investigated. The maximum MR ratio of 25.7 % and the saturation field of 2.1 kOe in the as-deposited 3000 $\AA$ $(Co_{92}Fe_8)_{31}Ag_{69}$ single alloy films at room temperature were obtained. The MR ratio and the saturation field of the 100 $\AA$ alloy film were 1.2 % and 5.2 kOe, respectively. Those of the sandwiched alloy films of 200 $\AA$ thick with the Fe under and overlayer of 100 $\AA$ were 11 % and 1.8 kOe respectively. The reduction of saturation field in the sandwiched alloy films is due to the exchange coupling between the ferromagnetic layers and the alloy layer. Among the Fe and FeNi, the more effective materials to reduce the saturation field of the sandwiched alloy films was Fe.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.18 no.6
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• pp.227-231
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• 2008

Magnetic and structural properties of CoFeZr alloy films as a function of Zr concentration and magnetoresistive properties of spin valves incorporated with amorphous CoFeZr alloy films have been studied. Magnetization and coercivity of CoFeZr alloy films decreased as the Zr content increased. A single amorphous CoFeZr phase was formed when the Zr content is about above 18 at%. Magnetoresistance ratio and exchange coupling field of spin valves with amorphous CoFeZr were reduced slightly as compared with spin valves with CoFe because the resistance of amophous CoFeZr is higher than that of crystalline CoFe. However, the ${\Delta}{\rho}$ of spin valves with amorphous CoFeZr was improved due to reduction of current shunting.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.224-225
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• 2002

강자성체의 스핀 분극을 이용하는 스핀트로닉스에 대한 연구는 매우 활발히 이루어지고 있다. CoFe 합금은 큰 포화자화와 스핀분극 때문에 스핀트로닉스 재료로 널리 이용되고 있다. 본 연구에서는 Ion Beam Etching 방법으로 CoFe 박막을 미세 가공 할 때 에칭 조건에 따른 CoFe 박막의 자기적 특성 변화를 조사하였다. 에칭 변수가 에칭에 미치는 영향을 사전에 조사하기 위하여 Cu 박막에 대하여 에칭시간, 기울임 각도, 가속 전압을 변화시키면서 식각한 후 거칠기 변화를 조사하였다. (중략)