• 제목/요약/키워드: CdS sensor

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전자코를 이용한 헥사날과 싸이클로덱스트린의 결합 분석 (Analysis for Cyclodextrins to Entrap with Hexanal using Electronic Nose)

  • 윤예리;노봉수
    • 한국식품과학회지
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    • 제39권1호
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    • pp.1-6
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    • 2007
  • 이취성분의 하나인 헥사날이 CD 종류, CD 농도, 저장기간에 따라 결합하는 정도를 전자코를 이용하여 분석하였다. 여러 종류의 CD 중에서 ${\alpha}-CD$가 헥사날과 가장 많은 양이 반응하면서 CD복합체를 이루었다. CD의 농도가 증가할수록 잔존하는 헥사날의 양이 감소하였는데 5% ${\beta}-CD$ 첨가시 86%의 헥사날이 감소하여 헥사날-CD복합체를 이루고 있음을 보여 주었다. CD복합체를 이룬 후 저장초기 상태에서는 헥사날의 양 변화에 별다른 차이가 없었지만 저장일이 지남에 따라 헥사날의 양이 점차 감소하였다. 또한 저장기간이 지남에 따라 자연 휘발되는 양보다는 CD와의 결합에 의해 헥사날의 양의 감소효과가 더 큰 것을 알 수 있었으며 이런 정도를 전자코로 분석할 수 있었다.

금속이온에 의한 CdSe 나노결정의 형광 소광 및 회복 특성 (Photoluminescence Quenching and Recovery of the CdSe Nanocrystals by Metal Ions)

  • 방지원;김봄이;구은회;김성지
    • 대한화학회지
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    • 제60권2호
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    • pp.131-136
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    • 2016
  • CdSe 기반 나노결정의 구리이온에 의한 형광 소광 특성 및 아연이온에 의한 형광 회복 특성을 관찰하였다. 구리이온이 첨가되었을 경우, CdSe 양자점에서는 매우 빠르고 급격한 형광 소광 특성을 보이는 반면에 CdSe 나노라드의 경우에서는 형광이 서서히 소광되는 특성을 보인다. 구리이온으로 형광을 소광시킨 CdSe/CdS(핵/껍질) 양자점에 아연이온이 첨가되면 소광된 양자점의 형광이 회복된다. 용액 내 1 μM의 아연농도에서 양자점의 형광이 50% 증가됨을 확인하였으며, 아연 농도가 증가함에 따라 양자점의 형광세기가 증가되며 이는 Langmuir binding isotherm 모델로 해석할 수 있다. 이러한 연구를 바탕으로 CdSe 기반의 나노결정을 이용한 형광 화학 센서를 구현할 수 있을 것으로 기대한다.

진단 X선 검출기 적용을 위한 CdS 센서 제작 및 성능 평가 (The fabrication and evaluation of CdS sensor for diagnostic x-ray detector application)

  • 박지군;이미현;최영준;정봉재;최일홍;강상식
    • 한국방사선학회논문지
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    • 제4권2호
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    • pp.21-25
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    • 2010
  • 최근 진단 X선 검출기 적용을 위한 방사선 검출물질로 반도체 화합물에 대한 많은 연구가 되고 있다. 본 연구에서는 반도체 화합물 중 광민감도가 우수하고 X선 흡수율이 높은 CdS 반도체를 이용하여 검출센서를 제작하였으며, 진단 X선 발생장치에서의 에너지 영역에 대한 검출 특성을 조사함으로써 적용 가능성을 평가하였다. 센서 제작은 CdS 센서로부터의 신호 획득 및 정량화를 위한 Line voltage selector(LCV)를 제작하였으며, 전압감지회로 및 정류회로부를 설계 제작하였다. 또한 X선 노출조건에 따른 상호연과 알고리즘을 이용하였으면, DAC 컨트롤러와의 Interface board를 설계 제작하였다. 성능평가는 X선 발생장치의 조사조건인 관전압, 관전류 및 조사시간별 저항변화에 따른 전압파형 특성을 오실로스코프로 획득하여 ANOVA 프로그램을 이용하여 데이터를 통계 처리 및 분석하였다. 측정결과, 관전압과 관전류이 증가할수록 오차의 비가 감소하였으며, 90kVp에서 6%, 320 mA에서 0.4% 이하의 좋은 특성을 보였으며, 결정계수는 약 0.98로 1:1의 상관관계를 보였다. X선 조사시간에 따른 오차율은 CdS 물질의 늦은 반응속도에 기인하여 조사시간이 길어질수록 지수적으로 감소하는 것을 알 수 있었으며, 320 msec에서 2.3%의 오차율을 보였다. 끝으로 X선 선량에 따른 오차율은 약 10% 이하였으며, 0.9898의 결정계수로 매우 높은 상관관계를 보였다.

방사선 센서 적용을 위한 CdS 소자 제조 및 X선 반응 특성 (The fabrication of CdS films and characteristics of x-ray response of CdS films for radiation sensor applications)

  • 박지군;최장용;김경진;김소영;이형원;남상희
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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    • pp.72-76
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    • 2004
  • 본 논문은 CdS의 소성 온도가 방사선 검출 특성에 미치는 영향을 조사하였다. CdS 센서는 스크린 프린터 방식을 이용해 $40{\mu}m$의 두께로 제조하였다. XRD 와 SEM을 이용하여 형성된 CdS 필름의 구조 및 형상을 분석하였다. 제조된 CdS 센서에 대해 X선 반응 특성을 조사하기 위해 I-V 측정을 수행하였다. 인가 전압에 따른 Dark current, x-ray sensitivity 및 선량에 따른 Linearity을 측정한 결과 CdS 센서가 $450^{\circ}C$이상 소성시 방사선에 대한 우수한 검출 특성을 보였다.

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대기전력 저감형 LED 센서 조명시스템의 개발 (Development of a Sensor-Based LED Lighting System with Low Standby Power)

  • 김진근;강문성
    • 전기학회논문지P
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    • 제61권1호
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    • pp.18-22
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    • 2012
  • In this paper, we propose a sensor-based LED lighting system that can significantly reduce standby powers. The proposed LED lighting system has the more advanced power circuit and control mechanism compared to existing one. The whole power circuit consists of two subcircuits. One is designed to apply electric powers to controller, PIR(Pyroelectric Infrared Ray) sensor and CdS, and the other one is designed to apply electric powers to LED module. Such a power circuit configuration makes the standby powers reduction of LED lighting system possible. From the experimental results, we confirmed that the standby powers saving performance of the developed power circuit is superior to that of the conventional one.

진공증착된 CdTe와 $Cd_{0.85}Zn_{0.15}Te$ 필름의 X선 반응특성 비교 (The Comparison of X-ray Response Characteristics of Vacuum Evaporated)

  • 강상식;최장용;차병열;문치웅;김재형;남상희
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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    • pp.845-848
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    • 2002
  • The study of photoconductor materials is demanded for development for flat-panel digital x-ray Imager. In this paper, We investigated the feasibility of application as x-ray image sensor using Cd(Zn)Te compound with high stopping power on high radiation. These Cd(Zn)Te samples were fabricated by vacuum thermal evaporation method to large area deposition and investigated I-V measurement as applied voltage. The experimental results show that the additional injection Zn in CdTe film reduced the leakage current, for the $Cd_{0.85}Zn_{0.15}Te$ detector, the net charge had the highest value as $144.58pC/cm^2$ at 30 V.

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Soft Linearization of Array-Sensor Characteristics Based on Fuzzy Logic

  • Na, Seung-You;An, Myung-Kook;Shin, Dae-Jung;Lee, Heyoung
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 2002년도 ICCAS
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    • pp.95.4-95
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    • 2002
  • 1. Introduction 2. Distance measurement using array 3. Linearization of CdS array characteristics 3.1. Crisp linearization of CdS array characteristics 3.2. Fuzzy logic linearization of CdS array characteristics 4. Magnetic Levitation System 4.1. Design of MLS 4.2. Implementation of MLS 4.3. Results of MLS 5. Conclusion

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II-VI족 화합물 반도체의 결정성장 및 센서 개발에 관한 연구 (Crystal Growth Sensor Development of II-VI Compound Semiconductor : CdS)

  • D.I. Yang;Y.J. Shin;S.Y. Lim;Y.D. Choi
    • 한국진공학회지
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    • 제1권1호
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    • pp.126-133
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    • 1992
  • E-Beam 기법을 이용하여 증착시킨 Ag doped CdS 박막은 육방정계이고 공기, Ar 분위기에서 $^550{\circ}C$로 열처리한 결과 grain size가 1$mu extrm{m}$ 정도로 성장되었고, Van Der Pauw 방법으로 구한 Hall data로부터 CdS crystal은 n형 반도체이고 상온에서의 carrier 농 도는 2.7 $\times$ 1011cm-3이고 Hall mobility는 5.8 $\times$ 102cm2V-1sec-1정도임을 알 수 있었다. CdS : Ag 박막의 PL spectra는 Gaussian curve를 보여주었고, spectra peak는 파장이 520nm 근처에 위치하고 있으며, CdS : Ag 박막에서의 광전류(pc)와 암전류(dc)의 ratio(pc/dc)는 공기 중에서 열처리한 시료의 값이 크다는 것을 알 수 있었다.

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CSVT법으로 제조된 CdS박막의 전기적 및 광학적 특성 (Electrical and Optical Properties of CdS Thin Films Deposited by CSVT Method)

  • 박기철;심호섭
    • 센서학회지
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    • 제6권5호
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    • pp.414-422
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    • 1997
  • CSVT(close spaced vapor transport)법으로 CdS/CdTe 이종접합 태양전지의 창재에 적합한 낮은 비저항과 적절한 광투과도를 갖는 CdS막을 증착하였다. 기판온도, 분위기압, 소스온도 등의 증착조건에 따른 CdS막의 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 최적 증착조건은 기판온도 $300^{\circ}C$, 분위기압 100mTorr 및 소스온도 $730^{\circ}C$였으며, 이 때 증착된 CdS 막의 비저항은 $7.21{\times}10^{3}{\Omega}cm$있으며 광투과도는 63%이상이었다. 일반적인 고진공증착법으로 제조된 CdS막에 비해서 결정성이 크게 향상되었고 비저항은 약 3승정도 감소하였으며 광투과도는 비슷하여 창재로서 우수한 특성을 나타내었다.

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에너지 절약형 자동조명 장치 개발 (Development of automatic illumination controller for energy saving)

  • 최명호;강형곤;김민기;한병성
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제9권10호
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    • pp.1027-1032
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    • 1996
  • The auto-illumination controller for office, residence, and so on was studied. The system consists of parts of a power supply, a signal oscillator, a lamp controller and two kinds of sensor. The lamp controller has two thyristors triggered by the IR sensor(SCRI) and CdS sensor(SCR2) respectively, When the illuminance around this system is higher than operating value of its sensor, lamp is turned off automatically. Otherwise, the light of lamp gets dim by CdS sensor. In case IR sensor senses the body heat of people around itself, the illuminance of the lamp gets maximum. The illuminance of the lamp can be changed dimmly by control of the variable resistor (RV) connected with SCR2 in series. The turning - on time of the lamp can be also controlled using a variable resistor(Rt) connected with a signal oscillator in parallel. Changing resistance Rt changes the time constant(.tau.), which triggers the gate of SCR2. Though people left the surrounding of lamp, the lamp keeps light for a while.

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