• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권10호
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• pp.57-62
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• 2009

본 논문은 방사선 피폭량을 실시간으로 산출하기 위해 무선전력 전송용 13.56MHz의 안테나 설계를 위한 안테나 회로의 최적화 및 수치적 해석을 연구하였다. 리더기(Reader)에서 테크(Tag)로 무선으로 전력을 전송하기 위해서 안테나 주파수 대역 중 13.56MHz는 유도 전류를 이용한 루프 안테나에 많이 이용하고 있다. 본 논문은 전자유도 방식의 원리를 이용해 안테나 LC 공진을 위한 수치적 계산을 통해 L과 C 값을 산출하여 실제 측정치와의 값과 비교하였다. 또한 안테나 회로의 최적화 튜닝 및 안테나 포트의 매칭을 위해 공진(Resonance)용 캐패시터를 가변하여 스코프로 안테나 코일으 양단의 전압이 최고시점을 관측하여 공진점을 찾아 보았다. 이러한 실험은 무선으로 전력을 공급 받을 수 있는 무선전력 전송 시스템에 응용되어 매우 유용하게 활용될 것으로 기대된다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.60-65
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• 1984

본 논문은 광통신용 광원의 가장 중요한 설계변수인 주파수응답의 최적화를 위하여 대칭 CaAs/(Ca, Al)As DH-LED를 모델로 채택하여 다이오드의 설계변수들인 활성층의 불순물농도, 활성층폭, 소수캐리어수명, 금지대폭, 굴절률, 공간전하용량, 주입전류밀도 등의 물리적 제인자들의 백호관계를 체계적으로 정립하여 컴퓨터 시뮬레이션에 의한 최적설계변수치들을 설정하는데 그 목적이 있다.

• 한국정보기술응용학회:학술대회논문집
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• 한국정보기술응용학회 2005년도 6th 2005 International Conference on Computers, Communications and System
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• pp.263-266
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• 2005

An UHF ($860{\sim}960MHz$) RFID tag antenna is optimized and designed using a genetic algorithm (GA). The tag antenna impedance should be matched to the conjugate of the impedance of the tag IC Chip. The chip impedance has real and capacitive imaginary parts due to the parasitic capacitance of the RFID chip. A GA linked with a commercially available antenna simulation program optimizes the UHF $860{\sim}960\;MHz$ tag antenna to match a commercially available RFID chip. This method shows that any RFID antenna can be designed for any commercial RFID chip with any impedance.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권2호
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• pp.126-129
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• 2006

We investigated an optimized condition of the capacitor threshold voltage implantation(capacitor $V_T$ Implant) in planar P-MOS DRAM Cell. Several samples with different condition of the capacitor $V_T$ Implant were prepared. It appeared that for the capacitor $V_T$ Implant of $BF_2\;2.0{\times}l0^{13}\;cm^{-2}$ 15 KeV, refresh time is three times larger than that of the sample, in which capacitor $V_T$ Implant is in $BF_2\;1.0{\times}l0^{13}\;cm^{-2}$ 15 KeV. Raphael simulation revealed that the lowed maximum electric field and lowed minimum depletion capacitance ($C_{MIN}$) under the capacitor resulted in well refresh characteristics.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2012년도 추계학술대회 논문집
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• pp.103-104
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• 2012

In the AC module system, mismatch problem between AC power and constant input power is occurred. To solve this problem, electrolytic capacitor is utilized for diminishing power pulsation in PV side. However, it has disadvantages of low life span and weak in temperature. Decoupling method has been studied to reduce the capacitance and replaces electrolytic capacitor to film capacitor. This paper proposes design method for decoupling circuit which bidirectional DC-DC converter using soft switching. Proposed system is verified by design optimization and simulation results.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.229-232
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• 2002

In this paper, etching characteristics of Zr-silicate in Ar/ClrCH4 plasma is studied, and possible plasma damage is investigated by fabricating MIS capacitors. We'could increase the selectivity to near 2 while keeping the etch rate of Zr-silicate to about 70 nm/min. Leakage current and flat band voltage shift of PUZr-silicate/si capacitors are measured before and after plasma etching. Using capacitor patterns with the same area but different circumference lengths, we try to separate etching damage mechanisms and to optimize the process. The leakage current of 1.2$\times$10-3 A/cm2 and smaller capacitance variation of 0.2 nF at -2V are obtained in Ar/Cl2/CF4 plasma at 200 W RF power

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권2호
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• pp.204-210
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• 1995

The characteristics of the internal circuits and the load capacitance should be included to optimize the size of BiCMOS buffer. In order to get the optimum size and delay time of the BiCMOS buffer, new size plane is suggested. By using the size plane, the optimum characteristics of CMOS buffer according to the number of stages can be obtained. From this method, delaytime, .tau.$_{D}$, is obtained 2.39 nsec with $V_{\var}$=5V, $C_{L}$=5pF, W=30.mu.m and $A_{e}$=135.mu. $m^{2}$.>..>...>.

• 한국시뮬레이션학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.45-55
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• 2005

There are electric double layer capacitance, polarization resistance and solution resistance in the interface between electrode and solution. Electrode process could be evaluated by the electrical impedance analysis. The necessities of the electrochemical cell analysis with high speed impedance analyzer are followings: minimization of the effects of electric stimulation on electrochemical cell and the concentration of reactive materials, and optimization of impedance signal resolution. This paper represents the design criteria for the selection and stimulation to develop fast impedance analyzer prototype for a electrochemical cell. It was suggested that the design of 470k sample/s sampling rate, 13 bit ABC resolution, and 140ms recording time is required for high speed impedance analysis system in frequency range between dc and 10kHz.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권9호
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• pp.21-25
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• 2008

본 연구에서는 MOSFET의 RF 성능을 극대화하기 위해 단위 게이트 finger 폭($W_u$)에 대한 $f_T$ 및 $f_{max}$의 종속데이터를 측정하고 이 결과를 소신호 모델 파라미터들을 추출함으로써 새롭게 분석하였다. 이러한 물리적 분석결과로 $f_T$의 최대값이 존재하는 원인은 좁은 $W_u$에서 $W_u$에 무관한 parasitic gate-bulk capacitance와 넓은 $W_u$에서 트랜스컨덕턴스의 증가율이 감소하는 wide width effect에 의한 것임을 알 수 있다. 또한, $f_{max}$의 최대값은 게이트저항이 좁은 $W_u$에서 크게 줄어들고 넓은 $W_u$에서 점점 일정하게 되는 non-quasi-static effect에 의해 발생된다는 사실이 밝혀졌다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제25권3호
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• pp.259-268
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• 2014

본 논문에서는 S-파라메타를 이용한 절연 변압기의 고주파 파라메타 추출 방법을 제안한다. 정상상태에서 회로상수 추출은 고전적 방법인 무 부하, 단락 회로 시험을 통해 나온 측정값을 계산하여 추출하는 방법이 있으며, 본 논문에서는 VNA(Vector Network Analyzer)로 측정한 S-파라메타를 이용하여 추출하는 방법에 대한 연구를 수행하였다. 상용주파수인 60 Hz를 포함한 고주파 대역에서의 변압기 회로상수는 측정한 S-파라메타에 데이터 피팅(최적화) 방식을 이용하여 추출하였다. 기본적으로 절연변압기에서의 고주파 파라메타 추출은 기존에 제시하는 변압기 등가 회로에 표유정전용량(Stray capacitance)을 추가한 등가회로 형태로 제시된다. 이렇게 추출한 회로상수의 S-파라메타와 실제 측정한 S-파라메타 결과를 비교하여 유사함을 확인하였고, 변압기의 1차 측에 신호발생기를 입력한 후, 출력되는 2차 측의 전압과 고주파 등가회로를 이용하여 추출한 2차 측 전압을 비교하여 두 값이 일치하는 것을 확인하였다. 이 결과를 통해 S-파라메타를 이용한 절연 변압기의 고주파 파라메타 추출 방법의 타당성을 입증하였다.