• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제11권2호
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• pp.39-43
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• 2012

This paper presents a study on the design of a pulling module for silicon ingot and an apparatus of manufacturing silicon single crystal ingot using the same method. The pulling module is conceptually designed by using TRIZ. Czochralski method(CZ) is representative way to manufacture single crystal ingot for wafers. The seed can be broken by high tension which is caused by large weight of a silicon ingot. The solution of this problem has been derived using 6SC(6 steps creativity)TRIZ. The pulling module is actuated by DC motor and rollers. High tension in the seed is removed by the rotate-elevate motion of rollers in the pulling module. A rubber belt is included in the rotate-elevate mechanism for increasing friction between rollers and silicon ingot.

• 천문학회보
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• 제44권1호
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• pp.84.3-84.3
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• 2019

We investigate 3D radiation-hydrodynamics (RHD) for surface convection of the solar-type low-mass stars (M = 0.8, 0.9, and 1.0 Msun). The outer convection zone (CZ) of low-mass stars is an extremely turbulent region composed of partly ionized compressible gases at high temperature. Particularly, the super-adiabatic layer (SAL), the top of the CZ is the transition region where the transport of energy changes drastically from convection to radiation. In order to accurately describe physical processes, a realistic treatment of radiation should be considered as well as convection. As a starting model, the initial stratification in the outer envelope calculated using the solar calibrations in the context of the standard stellar theory. When the numerical fluid becomes thermally relaxed, the thermodynamic structure of the steady-state turbulent flow was explicitly collected. In this presentation, we compared thermodynamic properties of turbulent convection of the solar-type low-mass stars.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2007년도 The 1st International Symposium on Advanced Magnetic Materials
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• pp.321.1-321.1
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• 2007

• 한국결정학회:학술대회논문집
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• 한국결정학회 2001년도 정기총회 및 춘계학술대회연구발표회(한국결정학회)
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• pp.27-27
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• 2001

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1989년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.110-110
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• 1989

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1996년도 제10회 학술발표회 논문개요집
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• pp.177-177
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• 1996

• 한국진공학회지
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• 제20권5호
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• pp.367-373
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• 2011

동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 p형과 n형 실리콘 시료에 0, 4.0 MeV 에너지의 1.0, $2.0{\times}10^{13}$ protons/$cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 실리콘 구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수와 W-변수를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수는 시료에 조사된 양성자의 빔 에너지에 따라 변하지 않고 거의 일정한 값을 보인 반면, 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 그 이유는 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 에너지는 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하여 시료전체에는 결함으로 잘 나타나지 않기 때문으로 판단된다. 그리고 빔의 조사량에 따른 결함의 영향이 큰 것으로 나타났다.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권3호
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• pp.89-95
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• 2001

규소 결정의 용융 온도 근처인 $1350^{\circ}C$에서 Ar과 $O_{2}$gas를 이용하여 규소 wafer의 열처리시 vacancy ty[e 결함의 거동에 대해 알아보았다. 이 열처리에서는 wafer의 표면보다 wafer내부에서 결함의 용해속도가 매우 높음을 확인하였다. 이는 $1350^{\circ}C$에서는 규소내의 평형산소농도가 대부분의 CZ silicon에서의 산소농도보다 높아 산소의 understaturation현상과 silicon interstitial농도의 영향에 기인된 것으로 예상된다. 열처리 분위기의 영향을 알아보기 위하여 Ar과 $O_{2}$ 분위기에서 열처리한 결과 vacancy type 결함의 용해속도는 wafer의 내부에서는 차이가 없었고, wafer의 표면에서는 Ar이 $O_{2}$의 경우보다 결함의 용해속도가 높았다. $O_{2}$의 경우에는 표면산화막 성장시 유입된 silicon interstitial의 농도가 높아 결함의 용해속도가 떨어지는 것으로 판단된다. 이는 기존 연구에서 예상된 silicon interstitial이 vacancy cluster로 알려진 결정결함의 제거에 기여한다는 예상과는 상반된다. 본 연구의 결과 silicon interstitial의 존재는 void외부 산화막의 용해속도를 늦추어 결함 용해속도를 떨어뜨리는 것으로 예상된다.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제26권12호
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• pp.2116-2126
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• 2016

Bacterial biofilms are spatially structured communities that contain bacterial cells with a wide range of physiological states. The spatial distribution and speciation of copper in unsaturated Pseudomonas putida CZ1 biofilms that accumulated 147.0 mg copper per g dry weight were determined by transmission electron microscopy coupled with energy dispersive X-ray analysis, and micro-X-ray fluorescence microscopy coupled with micro-X-ray absorption near edge structure (micro-XANES) analysis. It was found that copper was mainly precipitated in a $75{\mu}m$ thick layer as copper phosphate in the middle of the biofilm, while there were two living cell layers in the air-biofilm and biofilm-medium interfaces, respectively, distinguished from the copper precipitation layer by two interfaces. The X-ray absorption fine structure analysis of biofilm revealed that species resembling $Cu_3(PO_4)_2$ predominated in biofilm, followed by Cu-Citrate- and Cu-Glutathione-like species. Further analysis by micro-XANES revealed that 94.4% of copper were $Cu_3(PO_4)_2$-like species in the layer next to the air interface, whereas the copper species of the layer next to the medium interface were composed by 75.4% $Cu_3(PO_4)_2$, 10.9% Cu-Citrate-like species, and 11.2% Cu-Glutathione-like species. Thereby, it was suggested that copper was initially acquired by cells in the biofilm-air interface as a citrate complex, and then transported out and bound by out membranes of cells, released from the copper-bound membranes, and finally precipitated with phosphate in the extracellular matrix of the biofilm. These results revealed a clear spatial pattern of copper precipitation in unsaturated biofilm, which was responsible for the high copper tolerance and accumulation of the biofilm.

• 감성과학
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• 제15권2호
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• pp.259-268
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• 2012

P300-기반 숨긴정보검사(P300 CIT)에서, 조사대상자에게 관련자극이 가치가 있는 정도는 검사결과에 큰 영향을 미친다. 관련자극의 가치가 낮을 경우, P300 CIT의 정확판단율은 낮아진다. 본 연구의 목적은 관련자극의 가치가 낮은 경우, 동공-기반 숨긴정보검사(Pupil CIT)가 P300 CIT를 보완하는 검사로 사용될 수 있는지를 파악하는 것이다. 25명의 실험참여자에게 5장(스페이드 2, 3, 4, 5, 6)의 카드 중 한 장을 뽑도록 한 다음, 실험참여자가 뽑은 카드를 숨기정보로 사용한 P300 CIT와 Pupil CIT를 실시하였다. P300은 Fz와 Cz, Pz에서 측정하였으며, 동공크기는 양쪽 눈에서 모두 측정하였다. P300 CIT에서, Fz와 Cz, Pz에서 측정한 관련자극의 P300 진폭은 무관련자극의 P300 진폭보다 통계적으로 유의하게 더 컸다. Pupil CIT에서, 왼쪽 눈과 오른쪽 눈의 동공크기는 무관련자극이 제시되었을 때보다 관련자극이 제시되었을 때 더 컸다. P300 CIT의 정확판단율은 Fz와 Cz에서 44%였으며, Pz에서 36%였다. Pupil CIT의 정확판단율은 왼쪽 눈의 동공크기를 이용한 경우 52%였으며, 오른쪽눈의 동공크기를 이용한 경우 60%였다. 전체 사례수가 크지 않아 통계적으로 유의하지는 않았지만, Pupil CIT의 정확판단율이 P300 CIT의 정확판단율보다 높은 경향이 있었다. P300 CIT의 판단과 Pupil CIT의 판단 간의 상관관계는 통계적으로 유의하지 않았다. 결과적으로, 조사대상자에게 관련자극의 가치가 높지 않을 경우에는 P300 CIT 보다는 Pupil CIT를 사용하는 것이 더 좋을 것이다. 그리고 두 가지 검사방식을 결합한다면, 더욱 높은 정확도를 가진 숨긴정보검사를 구성할 수 있을 것이다.