Proceedings of the Korean Institute Of Construction Engineering and Management
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2006.11a
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pp.588-592
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2006
Information trend in whole domestic industries can not be a exception for construction industry either. However, Construction companies applying quality information management system(QIMS) through practical use of internet is very limited. Consequently, this research finds the established sample of quality information management system(QIMS) of H-construction company out, and the quality is established to the practical use of the system to be like the this. therefore, the construction industry wished to become opportunity that construction industry competitive power is recognized cosmopolitanly to quality management system(QMS).
Pham, Duong;Jung, Soon-Gil;Tran, Duc H.;Park, Tuson;Kang, Won Nam
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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v.21
no.3
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pp.18-21
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2019
We studied the effect of Fe ion irradiation on the upper critical field ($H_{c2}$) of 410 nm single-crystalline $MgB_2$ thin films. The irradiation energy was fixed at 140 keV when we increased the irradiation doses from $1{\times}10^{14}ion/cm^2$ to $4{\times}10^{14}ion/cm^2$. We found that $H_{c2}$ significantly increase with increasing irradiation dose, despite the low irradiation energy. The enhancement of $H_{c2}$ could be explained by the reduction of electron mean free path caused by defects induced from irradiation, leading to a decrease of coherence length (${\xi}$). We also discussed the effect of irradiation on temperature-dependent resistivity in details.
Jung, Soon-Gil;Son, Seung-Ku;Pham, Duong;Lim, W.C.;Song, J.;Kang, W.N.;Park, T.
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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v.21
no.3
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pp.13-17
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2019
We investigate the effect of thermal annealing on $MgB_2$ thin films with thicknesses of 400 and 800 nm, irradiated by 350 keV C-ions with a dose of $1{\times}10^{15}atoms/cm^2$. Irradiation by low-energy C-ions produces atomic lattice displacement in $MgB_2$ thin films, improving magnetic field performance of critical current density ($J_c$) while reducing the superconducting transition temperature ($T_c$). Interestingly, the lattice displacement and the $T_c$ are gradually restored to the original values with increasing thermal annealing temperature. In addition, the magnetic field dependence of $J_c$ also returns to that of the pristine state together with the restoration of $T_c$. Because $J_c$(H) is sensitive to the type and density of the disorder, i.e. vortex pinning, the recovery of $J_c$(H) in irradiated $MgB_2$ thin films by thermal annealing indicates that low-energy C-ion irradiation on $MgB_2$ thin films primarily causes lattice displacement. These results provide new insights into the application of low-energy irradiation in strategically engineering critical properties of superconductors.
Soon-Gil, Jung;Duong, Pham;Won Nam, Kang;Byung-Hyuk, Jun;Chorong, Kim;Sunmog, Yeo;Tuson, Park
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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v.24
no.4
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pp.1-5
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2022
We investigate the effect of surface disorder on the lower critical field (Hc1) of MgB2 thin films with a thickness of 850 nm, where the disorder on the surface region is produced by the irradiation of 140 keV Co ions with the dose of 1 × 1014 ions/cm2. The thickness of the damaged region by the irradiation is around 143 nm, corresponding to ~17% of the whole thickness of the film, thereby forming the disordered MgB2 overlayer on the pure MgB2 layer. The magnetic field dependence of magnetization, M(H), for the pristine MgB2 thin film and the film with overlayer is measured at various temperatures, and Hc1 is determined from the difference (△M) between the Meissner line and magnetization signal with the criterion of △M = 10-3 emu. Intriguingly, the film with the disordered overlayer shows a remarkably large Hc1(0) = 108 Oe compared to the Hc1(0) = 84 Oe of pristine film, indicating that the disordered MgB2 overlayer on the pure MgB2 layer serves to prevent the penetration of vortices into the sample. These results provide new ideas for improving the superheating field to design high-performance superconducting radio-frequency cavities.
We have investigated the electrical transport properties of polycrystalline tantalum nitride (TaNx) films. Various compositions of tantalum (nitride) thin films have been deposited on SiO2 substrates by reactive DC magnetron sputtering while changing the ratio of nitrogen partial pressure. The substrate temperature was maintained at 283 K during deposition. X-ray diffraction analyses indicated the presence of α-Ta and β-Ta phases in the Ta film deposited in pure argon atmosphere, while fcc-TaNx phases appeared in the sputtering gas mixture of argon and nitrogen. The N/Ta atomic ratio in the film increased ranging from 0.36 to 1.07 for nitrogen partial pressure from 7 to 20.7%. The superconducting transition temperatures of the TaNx thin films were measured to be greater than 3.86 K with a maximum of 5.34 K. The electrical resistivity of TaNx thin film was in the range of 177-577 𝜇Ωcm and increased with an increase in nitrogen content. The upper critical filed at zero temperature for a TaN0.87 thin film was estimated to exceed 11.3 T, while it showed the lowest Tc = 3.86 K among the measured superconducting TaNx thin films. We try to explain the behavior of the increase of the residual resistivity and the upper critical field for TaNx thin films with the nitrogen content by using the combined role of the intergrain Coulomb effect and disorder effect by grain boundaries.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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